あ行

• 晶出
• 晶析
• 圧着技術
• アナログ評価
• アニオン価数
• アニール温度
• アモルファス状態
• イオンビーム
• イオンミリング
• イットリア安定化ジルコニア層
• 異方性
• 異方的典型物質

• インターフェース
• インダクタンス
• インピーダンス
• 渦巻き成長
• 液相エピタキシ法
• 液相プロセス
• 液体ヘリウム
• えぐれ
• エッチング加工
• エピタキシー
• 応力誘起粒成長プロセス
• オーバーオール電流密度

か行

• カイネテイック・インダクタンス
• 界面エネルギー
• 界面改質バリア
• 高強度化機構
• 化学結合
• 化学蒸着法
• 化学プロセス
• 化学溶液法
• 核四重極共鳴
• 革新プロセス
• 化合物
• 仮焼
• 記憶回路
• 記憶素子
• 基材
• 希土類元素
• 基板
• キャップ層
• キャリア注入
• 共晶
• 強加工
• 強結合状態

• 強相関絶縁体材料
• 共融混合物
• クライオスタット
• クラック
• クーパー対
• 欠陥構造
• 結晶化
• 結晶成長機構
• 高圧合成法
• 高温安定RE211相
• 光学反射スペクトル
• 格子整合度
• 格子対応度
• 高周波同軸ケーブル
• 高速サンプリング
• 拘束磁束
• 光電子分光
• 交流損失
• 固相拡散機構
• 固溶体
• コンデンサー状の構造

さ行

• 差動アンプ
• 産業用大型レーザ
• 三次元的な配向組織
• 酸素欠損量
• 酸素制御溶融法
• シフトレジスタ
• 収束イオンビーム
• 種結晶
• 種結晶作製プロセス
• 種膜分解
• 小規模SFQ回路
• 焼結
• 初期結晶粒
• シングルドメイン
• スイッチ回路
• スクラッチ
• スパイラル成長
• スパッタリング
• スピンギャップ

• スピンコーテング
• スピン・電荷の縞状秩序
• 成長界面
• 成長速度補正モデル
• 成膜歩留まり
• 積層型接合
• 積和カウンテイング型フィルタ
• 接合界面
• セルベース設計技術
• 遷移金属酸化物
• 先駆物質
• 双晶境界
• 走査型トンネル顕微鏡
• 相補型MOS回路
• ソノケニカル反応
• ソフトウエア無線
• ソフトウエアラジオ方式
• ソルボサーマル反応

た行

• 帯磁率
• 多元系材料、多元系酸化物、多元系固溶体
• 多段デシメーション型フィルタ
• 単一粒
• 単結晶
• 短尺、中尺、長尺
• タンデム式レーザ蒸着
• ターゲット機構
• チャンバー
• 中間層
• 中規模SFQ回路
• 中性子散乱
• 超電導AD変換器
• 超電導ギャップ
• 超電導相関長
• 超電導体

• 超電導対破壊
• 包晶温度
• 常超電導相
• 常電導状態
• 粒界傾角
• 粒界構造
• 粒界接合
• 粒界伝導機構
• 低温成長プロセス
• 抵抗率
• テスラ
• トラップ磁束
• トリフルオロアセテート
• トリフルオロ酢酸前駆体
• トンネル分光

な行

• ナノ粒子
• 二次元核成長
• 人工粒界

• 熱雑音
• 熱ノイズ
• 熱ゆらぎ

は行

• 配向銀テープ
• 配向性
• ハステロイ
• 半導体的面間伝導
• 反応性抑制中間層
• 半溶融凝固現象
• 引き上げ単結晶
• 非対称４５度粒界
• 非平衡反応
• ファセット成長機構
• フォノン
• 不可逆磁場
• 複合化
• 複合照射法

• 複素交流磁界法
• 浮遊インダクタンス
• 浮融帯溶融法
• 浮遊結晶晶出
• フリップフロップ
• 偏析
• 方向凝固法
• 方向凝固ロッド材
• 捕捉磁場
• 螢石型構造
• ホモロガスシリーズ
• ホモ・エピタキシャル成長
• 本焼

ま行

• マイクロ波領域
• マイクロファセット
• マイスナー効果
• マスタークロック信号
• マトリックス123相
• 水熱反応
• 無双晶化

• メカニカルモデル
• メカノケミカル反応
• メカノケミストリー
• モジュレータ
• 擬ギャップ現象
• モート形成

や行

• 有機金属化合物
• 有機金属熱分解法
• 有機酸塩

• 溶質
• 溶媒

ら行

• ラッチ型インターフェース回路
• ラッチ型ドライバ回路
• ラッチ動作
• ラマン散乱分光
• ランプエッジ接合
• 量子化磁束
• 臨界温度
• 臨界磁場

• 臨界電流密度
• 連続成膜
• 連続組織形成条件
• レーザ蒸着法
• レーザプルーム分布
• レーザーアブレーション法
• 論理回路
• ローレンツ力

が行

• 銀シースBi系超電導電流リード
• ゲル前駆体

• 合金化

ざ行

• 磁気干渉パターン
• 磁気光学効果
• 磁気光学磁束観察
• 磁気抵抗測定
• 次世代線材
• 磁束クリープ
• 磁束相図
• 磁束トラップ
• 磁束の半融解状態

• 磁束融解転移
• 磁束量子
• 磁束量子増倍回路
• 重量信号モデル
• 蒸着
• ジョセフソン弱結合状態
• 前駆体
• 前駆物質
• ゾーンメルト法

だ行

• 第2相
• 第一種超電導体
• 大規模SFQ回路
• ダイナミック動作
• 第二種超電導体
• 第２相粒子分散制御
• 楕円関数型フィルタ
• デイップ法
• デシメーションフィルタ
• デジタルサンプラー回路
• 電圧パルス伝搬

• 電荷輸送特性
• 電気化学反応
• 電子顕微鏡
• 電子ビーム蒸着法
• 伝導面間の結合
• 電流—電圧応答における非局在性
• 電流磁気特性
• 電流磁気特性効果
• 電流リード
• 電力用超電導ケーブル
• 溝構造

ば行

• バイクリスタル粒界接合
• バランスコンパレータ
• バリア層形成技術
• バルク
• バンドパスΣ—Δ型モジュレータ
• 微小結晶辺
• 微小ホール素子

• ビット誤り率
• ビードコーテング法
• ブロック層
• ブロックレベル
• 分光分析法
• 分子軌道計算

ぱ行

• パイロクロア構造
• ピン止め／ピン止め中心

• ピーク効果

A-Z

• ADコンバータ
• AFM
• Arプラズマ処理
• Atomic Force Microscope
• BaF2プロセス
• BER
• Bi2212
• Bi2223
• Birr
• bulk
• CAICISS表面評価技術
• Caドープ層
• CeO2
• CMOS回路
• Corbino法
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• CVD法
• DMUX, MUX
• Dy123
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• ethylenediaminetetraacetic acid
• ET塩
• ex-situ法
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• flip-flop
• FZ法
• Gd123
• Hastelloy
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• Ic*特性
• in-site法
• Inclined SubstrateDeposition法線材
• Ion BeamAssisted Deposition
• ISD 法線材
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• Jc-B特性
• JSIM
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• ＬＰＥ法
• LSAT

• Metal OrganicDeposition
• Metallorganic Decomposition
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• MgO
• MOD
• ＭＯＤ法
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• Rare-earth element
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• RE123系超電導体
• Reflection High EnergyElectron Diffraction
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• run to run制御性
• SFQサンプラー回路
• signal-noise ratio
• SN特性
• SN比
• SOE法
• SPICE
• SQUID
• superconductingquantum interference device
• Surface OxidizationEpitaxy法
• Ｔ
• Tc
• TFA
• TFA-MOD法
• TFA前駆体
• thermal noise
• Trifluoroacetate
• WinS
• YBCO
• YBCO種膜
• YSZ層

数字

• １次Σ—Δ型モジュレータ
• ２層LPE構造

• ２次のモジュレータ