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              MGSF1N02LT1G
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MGSF1N02LT1G

更新时间:2025-01-09 06:05:01
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MGSF1N02LT1G外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：750mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 1.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：125pF @ 5V
  • 功率 - 最大：400mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MGSF1N02LT1GOSMGSF1N02LT1GOS-NDMGSF1N02LT1GOSTR
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