SK海力士在世界上首次开发出10纳米级“第六代DRAM”

SK海力士在世界上首次开发出10纳米级“第六代DRAM”. August. 30, 2024 07:50. by 朴贤益记者 beepark@donga.com. SK海力士在世界上首次成功开发出了采用最新工艺的DRAM。在人工智能（AI）时代，不仅是系统半导体，在存储器半导体上，为了实现高性能配置的技术竞争也越来越激烈。 SK海力士方面29日表示，成功开发出了采用10纳米（nm•1纳米是10亿分之1米）级第6代1c工艺的DDR5。10纳米级DRAM工艺从第一代1x（18纳米）开始，依次升级为1y（17纳米）、1z（15~16纳米）、1a（13~14纳米）、1b（12~13纳米）、1c（11~12纳米）。表示半导体电路线幅的纳米越低越细微，性能就越高，电力效率也得到改善。去年5月，三星电子率先开始批量生产第5代1b，而SK海力士此次宣布，首次成功开发出第6代1c工艺。 SK海力士强调，以扩张1b工艺基础的方式开发了1c，通过这种方式减少了工艺高度化中可能发生的执行错误。SK海力士表示：“这是将1b的优势最有效地转移到1c上。年内将完成1c DRAM量产准备，从明年开始供应产品。”以1c为基础的DRAM将主要用于高性能数据中心。运行速度比上一代加快了11%，电力效率改善了9%以上。另外，通过设计革新，1c工艺的生产效率比1b提高了30%以上。 AI时代最受瞩目的存储器之一的高带宽存储器（HBM）的性能改善也值得期待。1c技术有望应用于HBM第七代HBM4E。目前，HBM的主流是HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）。SK海力士此次开发的1c工艺是针对中长期投资组合的最新技术。 三星电子也计划尽快开发适用1c的DRAM，并在年内批量生产。存储器业界已经开始争夺第7代1d（10纳米）的主导权。10纳米是存储器中被认为是“膜之墙”的领域，关键在于谁能率先突破。