シリコンを用いるスピントロニクスデバイスの研究開発に必須となる成膜技術と素子作製プロセス技術を構築しました。当センターオリジナルの表面・界面解析技術と量子力学計算に基づき、トンネル接合におけるポテンシャル障壁の設計指針を提案し、強磁性体からシリコンへのスピン注入効率が向上することを実証しました。今後、シリコンスピントランジスターの研究開発を進めるとともに、本研究で構築した基盤技術を用いる技術支援や技術展開を行いたいと考えています。ご興味のある方は、研究紹介パンフレットをご覧の上、お気軽にご相談ください。
研究紹介パンフレット「半導体シリコンとスピントロニクスを融合する基盤技術の開発」
