ESD静电保护管防雷管微型全系列配单 ROHM

ESD静电保护管防雷管微型全系列配单

更新时间:2015-11-24 10:30:42 信息编号:3915217 浏览:100次
供应商
深圳市西联威科技有限公司 商铺
认证
报价
人民币¥.16元每
加工定制
品牌
ROHM
型号
RSB6.8CM
所在地
中国 广东 深圳 福田区 中航路国利大厦1927室
联系电话
86 0755 83013949
联系人
张伟西  请说明来自顺企网,优惠更多
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产品详细介绍

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●公司宗旨:
只做,拒绝假货!!

集成电路: ttl(数字电路)、cmos(模拟电路)、线性电路、光电耦合器、单片机、三端稳压电路、偏冷门芯片;
二极管: 开关二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、检波二极管、触发二极管;esd静电防雷保护管
tvs瞬变(瞬态)抑制二极管:(smaj、smbj、smcj、sa、p6ke、1.5ke等贴片全系列、直插全系列);
三极管: sot-23、sod-323、sod-123、sot-523、sot-323、sot-353、sot-89、sot-223、to-92、to-220
等封装的系列大中小功率三极管;
电阻: 贴片:0402、0603、0805、1206、1210、2010、2512等封装;
直插:1/16w、1/8w、1/4w、1/2w、1w 2w、3w、5w、8w、10w、15w、20w、25w、50w、100w等功率;
5% 1% 0.5% 0.1% 碳膜 金膜 线绕 水泥 金壳等 直插全系列、贴片全系列
电容: 0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220等封装;
瓷片电容、高压电容、电解电容、钽电解电容、cbb电容等 贴片全系列 、直插全系列;
电位器: 3314、3224、3296、3266、3362、3386等普通型、精密型、微调型、功率型及专用型贴片、直插系列;
保险丝: 1812、1206、1210、0805、0603、贴片全系列、直插全系列
led发光灯 0603、0805、1206、1210、φ3、φ5、φ8等 贴片全系列、直插全系列;
客户配单: 专业配单,优质服务,为您提供一站式采购服务

 

 

          场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的id,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制id”。更正确地说,id流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在vgs=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加vds的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流id流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象。其次,vgs向负的方向变化,让vgs=vgs(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
mos场效应管电源开关电路
mos场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductor fieldeffect transistor, mosfet)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型mos场效应管可分为npn型pnp型。npn型通常称为n沟道型,pnp型也叫p沟道型。对于n沟道的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上,同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压(p端接正极,n端接负极)时,二极管导通,其pn结有电流通过。这是因为在p型半导体端为正电压时,n型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的p型半导体端,而p型半导体端内的正电子则朝n型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(p端接负极,n端接正极)时,这时在p型半导体端为负电压,正电子被聚集在p型半导体端,负电子则聚集在n型半导体端,电子不移动,其pn结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态(图7a)。当有一个正电压加在n沟道的mos场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时n型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个n沟道之间的p型半导体中(见图7b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个n型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。
c-mos场效应管(增强型mos场效应管)
电路将一个增强型p沟道mos场效应管和一个增强型n沟道mos场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,p沟道mos场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,n沟道mos场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,p沟道mos场效应管和n沟道mos场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0v,通常在栅极电压小于1到2v时,mos场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

详细参数正在更新中,如有急需,可直接联系我司工作人员:0755-83013949

 

 

 

深 圳 市  西  联 威  科 技 有 限 公 司

shenzhen  xilianwei  technology co., ltd

     

深圳市西联威科技有限公司是一家专业的半导体独立分销商,有专业的市场销售推广和客户服务的团队。公司自成立以来,通过全体员工不断努力,现已经拥有大量的忠诚客户群体及广阔的进货渠道。
我们客户群体有:单位、高等院校、研究机构和工业生产厂家等等。
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我们的人才观:我们为员工提供广阔发展平台的同时,为员工提供优越的福利,如专业的电子产品知识、销售技巧和管理培训;五天半的工作时间、人性化工作环境;享受国家规定的节假日;丰富多彩的员工活动;公司本着“积极进取、稳步发展、以客为先”的经营理念,以公司的跨越式发展和客户利益的Zui大化为Zui终目标。

 

 

 

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公司名称:深圳市西联威科技有限公司

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公司地址:深圳市福田区中航路国利大厦1927室  

    

本产品的加工定制是是,品牌是ROHM,型号是RSB6.8CM,种类是ESC保护,用途是通信,体积是微型,形状是贴片式,执行标准是日规,Zui大电压是6.8(V)

所属分类:中国电子元件网 / ESC保护
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