「ELECTRO-ABSORPTION」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A light transmitter is constituted of the electro absorption modulator constituted of a multiple quantum well, a phase modulator connected to the electro absorption modulator in series and an electric circuit changing a duty ratio by inverting an electrical signal given to the electro absorption modulator.例文帳に追加

多重量子井戸から構成された電界吸収型変調器とこれに直列に接続された位相変調器と電界吸収型変調器に与える電気信号を反転してデューティー比を変える電気回路から構成された光送信装置。 - 特許庁

The optical modulator 23 is an electro-absorption optical modulator, and the distortion compensating circuit 31 is used under the condition that a bias voltage to be applied to the electro-absorption optical modulator is set to a voltage value by which the phase of the distortion generated by the electro-absorption optical modulator is shifted by 180°.例文帳に追加

光変調器２３は電界吸収型光変調器であり、歪補償回路３１は、前記電界吸収型光変調器に印加するバイアス電圧を、該電界吸収型光変調器が発生する歪位相が１８０°シフトする電圧値に設定した条件下で使用される。 - 特許庁

To extend the transmission distance of a semiconductor electro absorption modulator without dispersion compensation.例文帳に追加

分散補償なしでの半導体電界吸収型変調器の伝送距離を拡大する。 - 特許庁

To provide a drive circuit capable of driving an electro-absorption optical modulation element at high speed.例文帳に追加

光吸収型光変調素子の高速駆動を可能とする駆動回路を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-absorption modulator(EAM) and an electro- absorption modulated laser(EML) which do not need external heat control and have a high operation temperature allowance.例文帳に追加

外部熱コントローラを必要としない高い動作温度許容差を有する電気吸収変調器（ＥＡＭ）および電気吸収変調レーザ（ＥＭＬ）を提供すること。 - 特許庁

In the characteristic of an electro-absorption type modulator (an EA modulator) that is one type of optical modulators, the phase of inter- modulation distortion is suddenly shifted for 180° with respect to a bias voltage.例文帳に追加

光変調器の一つである電界吸収（Electro-absorption）型変調器（EA変調器）では、バイアス電圧に対して相互変調歪の位相が１８０°急激にシフトする特性を有する。 - 特許庁

SIMULTANEOUS DEMULTIPLEXING AND CLOCK RECOVERY OF HIGH- SPEED OTDM SIGNAL USING TANDEM ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR例文帳に追加

タンデム電界吸収型変調器を使用する高速ＯＴＤＭ信号の同時逆多重化とクロック回復 - 特許庁

SEMICONDUCTOR OPTICAL FUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRO-ABSORPTION TYPE OPTICAL MODULATOR INTEGRATED SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ - 特許庁

The absorption means is configured with an electro magnetic wave absorbing sheet molded in a square shape so as to surround the antenna pattern.例文帳に追加

また、アンテナパターンを包囲するようにロの字型に成型された電磁波吸収シートで電磁波吸収手段を構成する。 - 特許庁

To realize an electro-absorption semiconductor optical modulator which modulates light with respect to a wide wavelength region and does not require temperature control of an element.例文帳に追加

広い波長領域に対して変調可能で、素子温度の制御が不要な電界吸収型の半導体光変調素子を実現する。 - 特許庁

To provide a wavelength-tunable optical transmitter which is compact and has a high yield and is low-cost by using a semiconductor opto-electrical element wherein an electro-absorption modulator and a semiconductor laser are integrated on one and the same substrate, and at the same time can keep the modulation/transmission characteristics of the electro-absorption modulator/semiconductor laser constant.例文帳に追加

電界吸収型変調器と半導体レーザを同一基板上に集積した半導体光素子用いて、同等の変調・伝送特性を維持できる、小型で高歩留・低コストな、波長可変光送信器を提供する。 - 特許庁

In a configuration integrating and comprising an electro-absorption modulator 8 and a laser source 6, a contact pad 38 that is individually provided in the electro-absorption modulator 8 is arranged on a localized semi-insulating layer island 14.例文帳に追加

電界吸収型変調器８およびレーザ源６を集積して含む構成において、電界吸収型変調器８にそれぞれ設けられているコンタクトパッド３８が、局在化された半絶縁層アイランド１４の上に配置されている。 - 特許庁

This electro-optical device 2 having an electro-optical layer E between a pair of facing electrodes 13 and 17 is so structured that the one-side electrode 13 within the pair of electrodes is formed on a surface of a light absorption layer 19 capable of absorbing external light; and the absorption layer 19 is patterned in accordance with the shape of the one-side electrode 13.例文帳に追加

対向する一対の電極１３，１７間に電気光学層Ｅを有してなる電気光学装置２において、前記一対の電極の内の一方の電極１３が、外部光を吸収可能な光吸収層１９の表面に形成されており、該光吸収層１９が前記一方の電極１３の形状に合わせてパターニングされた構成とする。 - 特許庁

These are electro-absorption modulators provided with a semiconductor layer having electrically controllable absorptivity, and the material composition of the semiconductor layer is selected so that the semiconductor layer substantially transmits the light traveling in the semiconductor layer when substantially zero or reverse-bias voltage is applied to the whole semiconductor layer at an operation temperature of the electro-absorption modulator substantially higher than 25°C.例文帳に追加

電気的に制御可能な吸収性を有する半導体層を備えた電気吸収変調器であって、半導体層の材料組成は、２５℃よりも実質的に高い電気吸収変調器の動作温度で、実質的にゼロまたは逆バイアスの電圧が半導体層全体に印加されるときに、該半導体層が該半導体層を伝播する光を実質的に透過するように選択される。 - 特許庁

By using such an electro-absorption modulator integrated laser and determining the driving conditions of the modulator and the laser, the compact and low-cost wavelength-tunable optical transmitter can be obtained.例文帳に追加

このような電界吸収型変調器集積レーザを用い、駆動条件を内蔵することで、小型低コストな波長可変光送信器を提供することができる。 - 特許庁

Simultaneous demultiplexing and clock recovery of high-speed (e.g. 80 Gbps or 160 Gbps) optical time division multiplex (OTDM) signals is achieved using a tandem electro-absorption modulator (TEAM).例文帳に追加

高速（例えば、８０Ｇｂｐｓまたは１６０Ｇｂｐｓ）光時分割多重（ＯＴＤＭ）信号の同時の逆多重化およびクロック回復は、タンデム電界吸収型変調器（ＴＥＡＭ）を使用して達成される。 - 特許庁

A drive circuit 10 driving an electro-absorption optical modulation element 32 via a transmission line 40 having prescribed characteristic impedance includes: an output driver circuit 12; an offset setting circuit 14; and a series circuit 16.例文帳に追加

駆動回路１０は、所定の特性インピ−ダンスを有する伝送線路４０を介して光吸収型光変調素子３２を駆動する回路であって、出力ドライバ回路１２、オフセット設定回路１４、及び直列回路１６を備える。 - 特許庁

To provide a multilayer optical film which hardly degrades a near-infrared ray absorption function and an electro-magnetic wave shielding function and does not change haze even when being retained at a high temperature and a high humidity for a long period of time.例文帳に追加

本発明は、長時間、高温、高湿下に保持されても、近赤外線吸収機能及び電磁波シールド機能の低下が小さく及びヘイズが変化しない多層光学フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a simple and low-cost configuration reducing parasitic capacitance in the integrating structure of an electro-absorption modulator and a distributed feedback laser.例文帳に追加

電界吸収型変調器および分布帰還型レーザの集積構造において、寄生容量を低減し、かつより簡単で低コストの構成を提供する。 - 特許庁

The electro chromic medium contains at least three kinds of electroactive materials having absorption spectra to be added together so that pre-selected colors can be obtained by individually selecting concentrations of at least three kinds of electroactive materials.例文帳に追加

色が少なくとも三種の電気活性物質の濃度を個々に選択することにより予め選択できるよう、ともに加算される吸収スペクトルを有する少なくとも三種の電気活性物質を含むエレクトロクロミック媒体を有する。 - 特許庁

To provide a compact and low power consumable bidirectional optical communication module, capable of transmitting and receiving high-speed optical signals on GE-PON and 10GE-PON by a simple temperature control without using an EA/LD (Electro-Absorption/Laser Diode) that requires severe temperature control.例文帳に追加

厳しい温度制御が必要なＥＡ／ＬＤを使うことなく、簡便な温度制御でＧＥ−ＰＯＮと１０ＧＥ−ＰＯＮとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。 - 特許庁

The system comprises a pretreatment device 10 which removes impurities from a bio-sample by using a column 26 and supplies the standard material, an electro-chemical detector which quantitatively analyzes a biochemical quantity of the bio-sample by using a column 50, and an analyzing device 12 having a cell for measuring UV absorption which quantitatively analyzes the standard material by using a column 52.例文帳に追加

カラム２６を用いて生体試料から夾雑物を除去すると共に、標準物質を供給する前処理装置１０、カラム５０を用いて生体試料の生化学量を定量分析する電気化学検出器、及びカラム５２を用いて標準物質を定量分析するＵＶ吸収測定用セルを備えた分析装置１２とから構成されている。 - 特許庁

The production method of an electro-optical device comprises a step for sticking a semiconductor substrate to the surface of a supporting substrate 500, step (A) for forming a semiconductor layer 220 by separating the semiconductor substrate in a hydrogen ion implantation layer, and step (B) for melting the surface layer part of the semiconductor layer 220 by irradiating it with a laser beam having an absorption wavelength of the semiconductor layer 220.例文帳に追加

支持基板５００の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、（Ａ）半導体基板を水素イオン注入層において分離することにより、半導体層２２０を形成する工程と、（Ｂ）半導体層２２０による吸収波長のレーザを半導体層２２０に対して照射することにより、半導体層２２０の表層部を溶融させる工程とを有する。 - 特許庁

The electro-absorption modulator comprises a substrate and a plurality of semiconductor layers formed on the substrate, wherein one of the semiconductor layers comprises a first quantum well region having a first composition and a second quantum well region having a second composition, and the second quantum well region is embedded in the first quantum well region.例文帳に追加

本発明の電界吸収型変調器は、基板と、基板上に形成されている複数の半導体層とからなり、複数の半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域及び第２の組成を有する第２の量子井戸領域からなり、第２の量子井戸領域が第１の量子井戸領域に埋め込まれていることを特徴とする。 - 特許庁