「非晶質層」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

窒素含有非晶質炭素系皮膜、非晶質炭素系積層皮膜および摺動部材例文帳に追加

NITROGEN-CONTAINING AMORPHOUS CARBON FILM, AMORPHOUS CARBON LAYERED FILM, AND SLIDING MEMBER - 特許庁

非晶質ＣｏＦｅＳｉＢ又は非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ自由層を備える磁気トンネル接合例文帳に追加

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION COMPRISING AMORPHOUS CoFeSiB OR AMORPHOUS NiFeSiB FREE LAYER - 特許庁

非晶質透明導電膜及び非晶質透明導電膜積層体並びにこれらの製造方法例文帳に追加

AMORPHOUS TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AMORPHOUS TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM LAYERED PRODUCT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

マグネシウム化合物被膜２は、非晶質層３を含む。例文帳に追加

The magnesium compound film 2 includes an amorphous layer 3. - 特許庁

さらに、半導体層において、非晶質半導体を含む。例文帳に追加

The semiconductor layer furhter includes an amorphous semiconductor. - 特許庁

支持体２は非晶質炭素層２３を含む。例文帳に追加

A support 2 includes an amorphous carbon (a-C) layer 23. - 特許庁

非晶質オルガノシラン積層体、及びその製造方法例文帳に追加

AMORPHOUS ORGANOSILANE LAMINATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

樹脂層が形成された非晶質合金薄帯例文帳に追加

THIN BELT OF AMORPHOUS ALLOY WITH RESIN LAYER FORMED - 特許庁

非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING AMORPHOUS ALLOY OXIDE LAYER - 特許庁

非晶質炭素膜積層部材及びその製造方法例文帳に追加

AMORPHOUS CARBON FILM LAMINATED MEMBER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

非晶質合金薄帯積層体およびその製造方法例文帳に追加

AMORPHOUS ALLOY THIN STRIP LAMINATED PRODUCT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

非晶質金属薄帯積層体及びその製造方法例文帳に追加

THIN LAYERED STRIP OF AMORPHOUS METAL AND ITS PRODUCING PROCESS - 特許庁

また、界面層4は、非晶質の炭素で形成されている。例文帳に追加

Furthermore, the interface layer 4 is formed of amorphous carbon. - 特許庁

非晶質合金薄帯積層体の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF AMORPHOUS ALLOY THIN STRIP LAMINATE - 特許庁

極薄酸化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯例文帳に追加

Fe-BASE AMORPHOUS ALLOY RIBBON WITH EXTRA THIN OXIDE LAYER - 特許庁

ｉ層部分での高光バンドギャップの材料として、非晶質窒化ケイ素水素、非晶質酸化ケイ素水素、非晶質窒化炭素水素、非晶質窒化ケイ素炭素水素、或いは非晶質炭素水素などを使用している。例文帳に追加

High optical band gap material at the i-layer part includes amorphous silicon nitride hydrogen, amorphous silicon oxide hydrogen, amorphous carbon nitride hydrogen, amorphous silicon nitride carbon hydrogen, and amorphous carbon hydrogen. - 特許庁

非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

この保持により、バリア層が非結晶質から結晶構造に変化する。例文帳に追加

By this holding, the barrier layer changes from the amorphous structure to the crystal one. - 特許庁

この際、１回に成膜する非晶質層の厚さが不良事象に応じて決定される臨界応力値によって規定される厚み以下であるように非晶質層の堆積を複数回に分割して行い、各非晶質層の堆積工程後毎に非晶質材料を結晶化させ、かつ非晶質層堆積工程と非晶質材料結晶化工程を繰り返すことにより必要な膜厚の多結晶層６の積層構造体を得る。例文帳に追加

The gate-electrode 2 is formed by a manufacturing method of a thin film, having a deposition process of amorphous layers and crystallization (recrystallization) process of the amorphous material. - 特許庁

結晶層３５および磁性結晶粒３２の間や結晶層４１および磁性結晶粒３６の間には非晶質層３４、３９が介在する。例文帳に追加

Amorphous layers 34, 39 exist between the crystal layer 35 and the magnetic grains 32 or between the crystal layer 41 and the magnetic grains 36. - 特許庁

障壁層を非晶質のリン化硼素（ＢＰ）系半導体層から構成する。例文帳に追加

The barrier layer is formed from the amorphous boron phosphide (BP) semiconductor layer. - 特許庁

表面層が非晶質ポリエステル樹脂層であると好ましい。例文帳に追加

The surface layer is preferably an amorphous polyester resin layer. - 特許庁

連続的側面結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法と非晶質シリコンの結晶化方法例文帳に追加

METHOD FOR VAPOR DEPOSITING AMORPHOUS SILICON LAYER FOR SEQUENTIALLY LATERAL CRYSTALLIZATION, AND METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON - 特許庁

基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。例文帳に追加

The method of crystallizing the amorphous Si film 22 includes doping the amorphous Si film 22 formed on a substrate 20 with predetermined metal ions, and annealing the amorphous Si film 22 doped with the metal ions, to crystallize the amorphous Si film 22. - 特許庁

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。例文帳に追加

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11. - 特許庁

このトラップ層により、真性な非晶質シリコン層からｐ型非晶質シリコン層への水素拡散を抑制する。例文帳に追加

The trap layer reduces hydrogen diffusion from the intrinsic amorphous silicon layer to the p-type amorphous silicon layer. - 特許庁

太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に挿入された再結合層Ｒを備える。例文帳に追加

The solar cell 100 includes a recoupling layer R inserted between a p-type amorphous semiconductor layer 11p and an n-type amorphous semiconductor layer 12n. - 特許庁

違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。例文帳に追加

The first polysilicon layer and the second polysilicon layer having different crystal properties has been converted from an amorphous silicon layer of the first region and an amorphous silicon layer of the second region by a single crystallization process. - 特許庁

前記第２ステップは、非晶質アルミニウム酸化物層上に非晶質補助層を形成するステップと、非晶質補助層を結晶化するステップと、を含む。例文帳に追加

The second step includes a step for forming an amorphous auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer and a step for crystallizing the amorphous auxiliary layer. - 特許庁

非晶質中間層を用いた高配向性窒化ガリウム系結晶層の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING HIGHLY ORIENTED GALLIUM NITRIDE CRYSTAL LAYER USING AMORPHOUS INTERMEDIATE LAYER - 特許庁

そして、この非晶質シリコン層にレーザを照射することで、多結晶シリコン層１０を生成する。例文帳に追加

Then the polycrystalline silicon layer 10 is produced by irradiating the amorphous silicon layer 4 with laser light. - 特許庁

シリコンピラー上部に、非晶質シリコン層及び単結晶シリコン層を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon layer and a single crystal silicon layer are formed above a silicon pillar. - 特許庁

下部ポリシリコンゲルマニウム層２３上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化することによって、非方向性結晶構造を有する上部ポリシリコン２４層を得ることができる。例文帳に追加

An amorphous silicon layer is formed on the lower polysilicon germanium layer 23 and then crystallized thus obtaining the upper polysilicon layer 24 having a nondirective crystal structure. - 特許庁

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film. - 特許庁

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。例文帳に追加

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer. - 特許庁

または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。例文帳に追加

Alternatively, a method comprises a heat treatment process which is performed at temperature higher than film formation temperature of the amorphous oxide layer after forming the amorphous oxide layer on the substrate. - 特許庁

透明導電層３は、非晶質のインジウム・スズ複合酸化物からなる非晶質透明導電層を加熱することにより得られうる。例文帳に追加

The transparent conductive layer 3 may be obtained by heating an amorphous transparent conductive layer composed of an amorphous indium-tin complex oxide. - 特許庁

逆スタガ型のＴＦＴにおいて、ゲート絶縁膜と非晶質半導体層の間にｎ型化させた非晶質半導体層を薄く形成する。例文帳に追加

In the reversely-staggered type TFT, an amorphous semiconductor layer changed into an n-type is formed thinly between a gate insulating film and an amorphous semiconductor layer. - 特許庁

貫通孔の内壁面は、ｉ型非晶質シリコン層１４とｉ型非晶質シリコン層１２とによって覆われている。例文帳に追加

The internal wall surface of the via hole is covered by the i-type amorphous silicon layer 14 and the i-type amorphous silicon layer 12. - 特許庁

フリー層７は、鉄からなる一対の結晶質層の間にＣｏ_60 Ｆｅ_20 Ｂ_20 からなる非晶質層が挿入された３層構造である。例文帳に追加

The free layer 7 has a three-layered structure where an amorphous layer composed of Co_60Fe_20B_20 is inserted between a pair of crystalline layers composed of Fe. - 特許庁

電極１５と非晶質半導体層１３との間には固体電解質層１６が介在している。例文帳に追加

A solid electrolyte layer 16 is intervened between the electrode 15 and the amorphous semiconductor layer 13. - 特許庁

イオン注入によって形成される非晶質層評価方法例文帳に追加

EVALUATION METHOD OF AMORPHOUS LAYER FORMED BY ION IMPLANTATION - 特許庁

樹脂層が形成された非晶質合金薄帯およびその製造方法例文帳に追加

THIN BELT OF AMORPHOUS ALLOY WITH RESIN LAYER FORMED AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

非晶質カーボン層を利用したシリンダー型キャパシターの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF CYLINDER TYPE CAPACITOR UTILIZING AMORPHOUS CARBON LAYER - 特許庁

磁気記録層４は、希土類−遷移金属合金非晶質膜からなる。例文帳に追加

The magnetic-recording layer 4 consists of a rare-earth- elements-transition-metals alloy amorphous film. - 特許庁