| 例文 (8件) |
自由正孔の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを行い、且つ、分離領域１７を介してＹ軸方向にも自由キャリア（正孔）の移動可能とする。例文帳に追加
By the above structure, injection and drawing-out of free carriers (positive holes) are performed from both sides of the source region 4, and free carriers (positive holes) are movable also in a Y axis direction through an isolation region 17. - 特許庁
そのことで、一対のソース領域４間に自由キャリア（正孔）の偏りが発生した場合でも、自由キャリア（正孔）は分離領域１７を介してＹ軸方向にもの移動可能である。例文帳に追加
Consequently, even if deviations of the free carriers (holes) occur between the pair of the regions 4, the free carriers (holes) are movable even in a Y-axis direction via the region 17. - 特許庁
その結果、ゲート領域９からの自由キャリア（正孔）の過剰な注入を抑止し、ソース領域４から多量の自由キャリア（電子）を注入することができ、所望の直流信号電流増幅率を容易に得ることができる。例文帳に追加
Accordingly, the excessive injection of the free carrier (positive hole) from the gate region 9 is inhibited, and a large number of free carriers (electrons) can be injected from the source region 4, thus easily obtaining a desired DC signal current amplification factor. - 特許庁
そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを均一な状態で行うことができる。例文帳に追加
Thus, the free carrier (hole) can be injected and drawn in a uniform state from both sides of the region 4. - 特許庁
屋外から太陽光が差し込むと、カーテン生地の表面に設けられた二酸化チタン２の価電子帯の電子が励起され、正孔と自由電子のペアが生成される。例文帳に追加
When sun light comes into from outdoor, the electrons in the valence band of titanium dioxide on the surface of the curtain cloth are excited to form a pair of positive hole and free electron. - 特許庁
一方、可変電位絶縁電極を利用し、自由キャリア（正孔）のポテンシャルエネルギーを積極的に可変することで、所望のｈＦＥやスイッチング特性を得ることができる。例文帳に追加
On the other hand, it is possible to obtain desired hFE and switching characteristics by actively making variable the potential energy of the free carrier (positive hole) utilizing the variable electric potential insulating electrode. - 特許庁
そして、ゲート領域９からは自由キャリア（正孔）を注入し、ドレイン領域３での電導度変調をもたらすことで、寄生抵抗を低減し、ＯＮ時での低抵抗を実現している。例文帳に追加
A low ON resistance is realized by injecting free carriers (holes) from the gate region 9 and bring about conductivity modulation in the drain region 3, thereby decreasing parasitic resistance. - 特許庁
そのことで、本発明では、トレンチ７とゲート領域９との接触領域を低減させ、半導体素子のＯＦＦ動作からＯＮ動作への移行時に、自由キャリア（正孔）がゲート領域９からトレンチ７側壁へ流れ込むことを抑制する。例文帳に追加
The contact region between the trench 7 and the gate region 9 is reduced, thus preventing the free carrier (positive hole) from flowing out of the gate region 9 to the sidewall of the trench 7 when shifting from the off-operation to the on-operation of the semiconductor element. - 特許庁
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