「膜直下」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、ゲート酸化膜２８直下の領域には制御ゲート１６が形成されている。例文帳に追加

A control gate 16 is formed in a region directly below the gate oxide film 28. - 特許庁

またコーティング膜９ａの直下には硬質クロムメッキ９ｂの下地が施されている。例文帳に追加

Undercoating of hard chrome plating 9b is directly applied under the coating film 9a on the sliding portion. - 特許庁

次に、ＴＥＯＳ膜を、フォトレジスト１３２直下を除きエッチバックする。例文帳に追加

The TEOS film is etched back with the exception of a section just under the photo-resist 132. - 特許庁

第１のゲート電極直下のゲート誘電体膜は単層であるが、第２のゲート電極直下のゲート誘電体膜は電荷蓄積手段を内部に含む。例文帳に追加

A gate dielectric film directly below the first gate electrode is single layer whereas a gate dielectric film directly below the second gate electrode includes a charge storage means internally. - 特許庁

さらに、半導体基板１０が、ゲート絶縁膜直下領域１３に対して、ゲート絶縁膜直下領域１３のソース領域側側部領域１５が掘り込まれた構造を有する。例文帳に追加

Further, the semiconductor substrate 10 has a structure in which a source region side lateral region 15 in the region immediately under the gate insulating film 13 is trenched in the region immediately under the gate insulating film 13. - 特許庁

ゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下での電界集中を緩和するために、ドリフト領域とｐ型チャネル領域３の間にゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下を含む近傍に、ｎ^- 型領域１０を形成し、ゲート酸化膜１１直下での空乏化を早める。例文帳に追加

An n--type region 10 is formed near an area comprising a place immediately below a boundary between a gate oxide film 11 and a second gate oxide film 14a between a drift region and a p-type channel region 3 for relaxing field concentration immediately below a boundary between the gate oxide film 11 and the second gate oxide film 14a and depletion immediately below the gate oxide film 11 is accelerated. - 特許庁

化学増幅型レジストにより半導体ウェハ上に形成されるレジスト膜の直下に設けられる反射防止膜である。例文帳に追加

This antireflection film is disposed just under the resist film formed on a semiconductor wafer by the chemically amplified resist. - 特許庁

また、不感領域を酸化膜ＯＸの直下に設けることで、酸化膜ＯＸとの界面の劣化による出力変動を抑制することができる。例文帳に追加

Further, output variations caused by deterioration of an interface with an oxide film OX can be suppressed by providing an insensible region just under the oxide film OX. - 特許庁

そして、半田バンプ２１の端部では、第２Ｎｉ膜１７の直下にポリイミド樹脂膜２２が形成されている。例文帳に追加

A solder bump 21 connects with a surface of the second Ni film 17, and a polyimide resin film 22 is formed immediately below the second Ni film 17 at an end part of the solder bump 21. - 特許庁

レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成する。例文帳に追加

To form a film pattern right below a resist pattern with high size precision, in the same shape as that of the resist pattern. - 特許庁

また、第１非ｐ型層１０４の厚膜部の端部は、ゲート絶縁膜１０６の周縁部の直下にまで潜り込む様に延びている。例文帳に追加

Also, the end of the thick film of the first non p-type layer 104 is extended so as to burrow right under the peripheral edge of a gate insulation film 106. - 特許庁

基板の成膜面を略鉛直下向きに保持して成膜を行う装置において、基板の昇降動作の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability in the elevating/lowering operation of a substrate in a device for perming a film deposition by holding the film-depositing surface of the substrate downward so as to be almost vertical. - 特許庁

抵抗体４は、ソース配線２及びショートリング配線３と同一の層からなり、ショートリング配線３と一体的に形成されたメタル膜１３と、メタル膜１３の直下に形成された第２半導体膜１２と、その直下に形成された第１半導体膜１１の積層体からなる。例文帳に追加

The resistor 4 comprises a layered body of a metal film 13, which is formed of the same layer as the source wiring line 2 and the short ring line 3 and integrally formed with the short ring line 3, a second semiconductor film 12 formed just below the metal film 13, and a first semiconductor film 11 formed just below the film 12. - 特許庁

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１１と、を備え、半導体基板１０が、ゲート絶縁膜直下領域１３に対して、ゲート絶縁膜直下領域１３のドレイン領域側側部領域１４が掘り込まれた構造を有する。例文帳に追加

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 and a gate insulating film 11 formed on the semiconductor substrate 10 and the semiconductor substrate 10 has a structure in which a drain region side lateral region 14 in a region immediately under the gate insulating film 13 is trenched in the region immediately under the gate insulating film 13. - 特許庁

横隔膜の直下にある腹部大動脈に源を発し、左胃動脈、共通肝動脈、脾動脈に分かれる動脈例文帳に追加

an artery that originates from the abdominal aorta just below the diaphragm and branches into the left gastric artery and the common hepatic artery and the splenic artery  - 日本語WordNet

マグネシウム母材１は、陽極酸化膜２の少なくとも直下部分に母材微細化層３を有する。例文帳に追加

The magnesium base material 1 has a base material fined layer 3 at least in the part directly below the anodization film 2. - 特許庁

続いて、等方性エッチングを行って、トンネル酸化膜２のうち浮遊ゲート３の側壁直下に相当する部分２ｄを除去する。例文帳に追加

Then, isotropic etching is performed, and a part 2d corresponding directly under the side wall of the floating gate 3 of the tunnel oxidation film 2 is removed. - 特許庁

ＩＣチップの直下に最短距離の配線で埋設可能な薄膜キャパシタを高い製品歩留まりで提供する。例文帳に追加

To provide a thin film capacitor which can be buried right below an IC chip with shortest-distance wiring in high product yield. - 特許庁

爆気混合は精密ろ過膜３の直下に配置された散気管６から噴射される空気５により行われる。例文帳に追加

The aeration is carried out by jetting air 5 from an air diffusing pipe 6 arranged just under the membrane 3. - 特許庁

薄膜圧電共振器の共振部の直下の空洞を所望の位置および大きさで精確に且つ容易に形成すること。例文帳に追加

To accurately and easily form a cavity just under the resonating portion of a thin film piezoelectric resonator in a desired position and size. - 特許庁

特に、電荷増倍領域３５は、ゲート酸化膜３９を挟んで、増倍ゲート電極４１の直下に形成されている。例文帳に追加

In particular, the charge multiplication region 35 is formed immediately below the multiplication gate electrode 41 across the gate oxide film 39. - 特許庁

仕切絶縁膜１０５の縁部直下の空間を埋めるように、メッキ法により第２ゲート電極要素１０７を形成する。例文帳に追加

A second gate electrode element 107 is then formed with the plating method to fill the space just under the edge portion of the partitioning insulation film 105. - 特許庁

フィ−ルド酸化膜１９の直下には、チャネルストッパとして機能するウェル領域１５が形成される。例文帳に追加

A well region 15 which functions as a channel stopper is formed just under a field oxide film 19. - 特許庁

ＥＳＤにおいて病変部直下の粘膜下層を剥離する際に、十分な視野を得ることができる内視鏡用フードを提供する。例文帳に追加

To provide a hood for an endoscope, capable of providing a sufficient visual field when a submucosal layer just under a lesion is exfoliated in the endoscopic submucosal dissection (ESD). - 特許庁

成膜室の直下に巻取室１２２を設け、該室内に導電性中空ガラス繊維５０の巻取装置１９を設ける。例文帳に追加

A winding chamber 122 is provided directly under the film forming chamber and a winding device 19 of the electrically conductive hollow glass fiber 50 is provided in the winding chamber. - 特許庁

爆気混合は精密ろ過膜３の直下に配置された散気管６から噴射される空気５により行われる。例文帳に追加

The aeration mixing is conducted with air 5 discharged out of discharge pipe 6 arranged immediately below the microfiltration membrane 3. - 特許庁

パッド直下の相間絶縁膜およびトランジスタに対しワイヤボンドによるダメージ防止が可能なパッド構造を提供する。例文帳に追加

To provide a pad structure which prevents damage caused by wire bonding for an interlayer insulating film and a transistor which are located right beneath the a pad. - 特許庁

アースラインに向かって配線されたソース配線層８の直下の絶縁膜７ａを数１０ｎｍ程度の厚さとする。例文帳に追加

In a semiconductor device, an insulating film 7a is disposed directly below a source wiring layer 8 wired toward a ground line, and has a thickness of several tens of nanometers. - 特許庁

ガラス溶融室の直下に成膜室１２１を設けるとともに、該室内に導電性物質のスパッタ装置を設ける。例文帳に追加

A film forming chamber 121 is provided directly under the glass melting chamber and also a sputtering device for an electrically conductive substance is provided in the film forming chamber. - 特許庁

そして、下層ギャップ層２６のうち、金属酸化膜２５は、少なくとも磁気トンネル接合素子２７の直下に位置して設けられている。例文帳に追加

And at least the metal oxide film 25 of the lower layer gap layer 26 is provided directly under the magnetic tunnel junction element 27. - 特許庁

半導体装置は、ゲート２４（Ｈ型ゲート２５Ａ１）と、ゲート２４の直下のゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２の直下のボディ領域２６と、ボディ領域２６を挟んだ両側に形成されるソース／ドレイン領域２８とを、フィールド領域３０〜４０に有する。例文帳に追加

The semiconductor device has a gate 24 (H-shaped gate 25A1), a gate insulating film 22 formed immediately under the gate 24, a body region 26 formed immediately under the insulating film 22, and source and drain regions 28 formed on both sides of the body region 26 in each of field regions 30-40. - 特許庁

多層配線構造を有する半導体装置において、配線（３１０）の直下の層間絶縁膜にのみ非ポーラス膜（３０３）を適用し、その他の層間絶縁膜はポーラス膜を適用する。例文帳に追加

In the semiconductor device having the multilayer interconnection structure, a non-porous film (303) is applied only to an interlayer insulating film, directly under a wiring (310), and porous films are applied to the other interlayer insulating films. - 特許庁

そして、抵抗体膜６の直下方におけるＢＣＢ膜３の厚みが他に比べて薄くなった凹部１０が形成されており、この凹部１０におけるＢＣＢ膜３の上に抵抗体膜６が形成されている。例文帳に追加

Then a recess 10 wherein the thickness of the BCB film 3 immediately under the resistor film 6 is made smaller in comparison with others is formed, and the resistor film 6 is formed on the BCB film 3 in the recess 10. - 特許庁

そして、抵抗体膜６の直下方におけるＢＣＢ膜３の厚みが他に比べて薄くなった凹部１０が形成されており、この凹部１０におけるＢＣＢ膜３の上に抵抗体膜６が形成されている。例文帳に追加

A recess 10 is formed, in which the thickness of the BCB film 3 immediately below the resistor film 6 is made smaller in comparison with those of other thicknesses, and the resistor film 6 is formed on the BCB film 3 in the recess 10. - 特許庁

基板分離用絶縁膜２によって半導体基板１から分離した能動領域となる半導体層３上に、支柱状の主ゲート電極６と梁状導電体パターン７からなるＴ字状のゲート電極を設けるとともに、梁状導電体パターン７の直下のゲート絶縁膜の膜厚を主ゲート電極６の直下のゲート絶縁膜４の膜厚より厚くする。例文帳に追加

T-shaped gate electrode composed of a prop-like main gate electrode 6 and a beam-like conductor pattern 7 is provided on a semiconductor layer 3 to be isolated by a substrate isolating insulation film 2 from a semiconductor substrate 1 to form active regions, and the gate insulation film just beneath the beam-like conductor pattern 7 is made thicker than the gate insulation film 4 just beneath the main gate electrode 6. - 特許庁

半導体装置製造の中で薄膜レジストを用いる多層系リソグラフィー工程において使用される塗布型下層膜を提供するものであって、該下層膜の直下に存在する基板の加工に有用である。例文帳に追加

To provide a coated base film, used in the lithographing process using thin resist film, when manufacturing semiconductors and is especially useful for processing the substrate directly under the base film. - 特許庁

誘電体膜１８直下の不純物拡散層１７は、フィ−ルド酸化膜２、埋め込み酸化膜１２により単結晶シリコン層１３から絶縁されている。例文帳に追加

The impurity diffusion layer 17 immediately below the dielectric film 18 is insulated from a single crystal silicon layer 13 by a field oxidized film 2 and a buried oxidized film 12. - 特許庁

キャパシタ直下に第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜３を積層し、第２の絶縁膜３を凹状に加工し、凹状部分に下層電極６を形成する。例文帳に追加

At this time, the thickness of the second insulating film 3 and that of the low layer electrode 6 are equalized so as to eliminate the step between surfaces thereof. - 特許庁

これによって、ポリシリコン層４ａ部分以外が厚い酸化膜３ｂとして形成され、ポリシリコン層４ａ直下の酸化膜３が薄い酸化膜３ａとして形成される（図２Ａ）。例文帳に追加

As a result, the part other than the polysilicon layer 4a is formed as a thick oxide film 3b, and the oxide film 3, located directly under the polysilicon layer 4a, is formed as a thin oxide film 3a (Fig. A). - 特許庁

第１絶縁膜６には、第１厚膜部８が形成されており、第２不純物拡散領域４の全周縁は、第１厚膜部８の直下に位置している。例文帳に追加

With the first insulating film 6, a first thickness film part 8 is formed, and all the edge of the second impurity diffusion area 4 is positioned right under the first thickness film part 8. - 特許庁

細胞２１の直下に、シリコン酸化膜１３に形成された連通孔１４を配置し、連通孔１４を埋めるようにナノポーラス構造を有した白金黒製の作用電極１７を形成し、これらの直下に酵素溶液を貯えるマイクロリザーバ１５を配置する。例文帳に追加

The communication holes 14 formed to a silicon oxide film 13 are arranged directly under the cell 21, and an working electrode 17, made of platinum having a nanoporous structure, is formed so as to embed the communication holes 14, while a microreservoir 15 for storing an enzyme solution is arranged directly under the communication holes 14 and the working electrode 17. - 特許庁

ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴにおいては、ゲート電極５の直下の部分の素子間分離酸化膜２をＳｉ活性層３側に張り出させ、ゲート電極５の直下の部分のＳｉ活性層３の厚さをソース領域７およびドレイン領域８の部分のＳｉ活性層３の厚さよりも小さくする。例文帳に追加

In SOI MOSFET, the separation oxide film 2 between elements directly below a gate electrode 5 is allowed to project at the side of an Si activation layer 3, and the thickness of the Si activation layer 3 directly below the gate electrode 5 is set smaller than that of the Si activation layer 3 of source and drain regions 7 and 8. - 特許庁

そして、電荷ブロック層１４におけるセル間絶縁膜１６の直下域に相当する部分１４ｂに塩素を導入し、部分１４ｂの誘電率を電荷ブロック層１４における制御ゲート電極１５の直下域に相当する部分１４ａの誘電率よりも低くする。例文帳に追加

Then chlorine is introduced into a part 14b corresponding to a region of the charge block layer 14 right below the inter-cell insulation film 16, and the dielectric constant of the part 14b is made lower than that of a part 14a of the charge block layer 14 right below the control gate electrode 15. - 特許庁

これにより、パッシベーション膜２３直下に薄い補助空乏層２４が形成され、ショットキー金属層１１直下の主空乏層１４の端部のコーナー部１５の曲がりが緩やかになるため電界集中が緩和され、逆方向耐圧が向上する。例文帳に追加

A thin auxiliary depletion layer 24 is thereby formed directly under the passivation film 23 and since the curve of a corner portion 15 becomes gentle at the end of a main depletion layer 14 directly under a Schottky metal layer 11, the concentration of electric field is relaxed and backward breakdown voltage is enhanced. - 特許庁

その後、第３の絶縁膜１０ａと第２の絶縁膜８ａとをマスクにポリシリコン膜６を異方性エッチングして、第３の絶縁膜１０ａ直下にフローティングゲート１２を形成すると共に第２の絶縁膜８ａ下に抵抗素子２ａ及び容量素子２ｂの下部電極を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the polysilicon film 6 is etched anisotropically using the third insulation film 10a and the second insulation film 8a as a mask thus forming a floating gate 12 beneath the third insulation film 10a and forming the lower electrode of the resistor element 2a and the capacitor element 2b below the second insulation film 8a. - 特許庁