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膜性壁の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 819



例文

感光樹脂組成物及び硬化並びに隔例文帳に追加

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND CURED FILM, AND PARTITION - 特許庁

下地被を有する合成不織例文帳に追加

SYNTHETIC NONWOVEN WALLCOVERING WITH AQUEOUS GROUND COATING - 特許庁

仕上げ用塗の密着試験方法例文帳に追加

ADHESION TEST METHOD ON COATING FILM FOR EXTERIOR WALL FINISH - 特許庁

凹部の側面と底面とを連続的に覆う導電拡散障48を形成する。例文帳に追加

A conductive diffusion barrier film 48 coating the side wall face and the base of the recess part consecutively is formed. - 特許庁

例文

保持を改善したガス吸収装置用濡,濡材および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wet wall used for a gas absorber and having improved oil film retentivity, a wet wall material, and a gas absorber. - 特許庁


例文

回収通路8の内には、親油23が形成されている。例文帳に追加

Lipophilic oil film 23 is formed on an inner wall of the recovery passage 8. - 特許庁

熱伝導13は、各バイアホール12の内に形成されている。例文帳に追加

The heat conductive film 13 is formed on an internal wall of each via hole 12. - 特許庁

シャフト2外は、透光を有する体で形成されている。例文帳に追加

The outer wall of the shaft 2 is formed by a translucent membrane. - 特許庁

の生物物理学的な質を変化させる製剤例文帳に追加

FORMULATION FOR CHANGING BIOPHYSICAL PROPERTY OF MUCOSAL LINING - 特許庁

例文

建物外表面への超親水の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING ULTRA-HYDROPHILIC THIN FILM ON SURFACE OF OUTER WALL OF BUILDING - 特許庁

例文

窪み46の面に沿って磁層34が成される。例文帳に追加

A magnetic layer 34 is film-deposited along the wall surface of the recesses 46. - 特許庁

絶縁上と銅配線パターンの表面を覆う絶縁拡散障49を形成する。例文帳に追加

An insulating diffusion barrier film 49 coating the insulating film and a surface of the Cu wiring pattern is formed. - 特許庁

また、前記材および前記内が、光透過を有する前記構造物を解決手段とする。例文帳に追加

The membrane structure having light permeability is constituted of the membrane and internal wall. - 特許庁

材17となるに対して異方エッチングを行い、ダミーパターン16の側に側材17を残す。例文帳に追加

The film is anisotropically etched to make the side wall material 17, and the side wall material 17 is left on the side wall of the dummy pattern 16. - 特許庁

親水塗装20は、内蓋8の内面、外蓋9の外面、内釜3の内面等にも形成する。例文帳に追加

The hydrophilic coating film 20 is also formed on the inner wall face of the inner lid 8, an outer wall face of an outer lid 9, an inner wall face of the inner port 3, and the like. - 特許庁

その後、側用絶縁105の異方ドライエッチングを行い、ゲート電極103の側面上に側絶縁106を形成する。例文帳に追加

The film 105 is subjected to anisotropic dry etching, and a side wall insulating film 106 is formed on a side surface of the gate electrode 103. - 特許庁

異方エッチングにより、ビアホールVHの底部の第2の絶縁を除去し、ビアホールVHの側に側絶縁を残す。例文帳に追加

The second insulating film at the bottom of the via hole VH is removed, and a side wall insulating film on the side wall of the via hole VH is retained. - 特許庁

層12上に位置するゲート絶縁21よりも厚が大きい側絶縁18を、活層12の周囲を囲んで設ける。例文帳に追加

A side wall insulating film 18 whose film thickness is larger than the gate insulating film 21 positioned above the active layer 12 is disposed by surrounding a periphery of the active layer 12. - 特許庁

絶縁下層をストッパにして上層を異方エッチングすることにより、ゲート電極の側のみに上層を残す。例文帳に追加

The upper film is subjected to anisotropic etching through the insulating lower film as a stopper, whereby the upper film is left only on the side wall of the gate electrode. - 特許庁

離画用感光樹脂の形成方法、感光転写材料、離画付基板、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに表示装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING PHOTOSENSITIVE RESIN FILM FOR BLACK MATRIX, PHOTOSENSITIVE TRANSFER MATERIAL, SUBSTRATE WITH BLACK MATRIX, COLOR FILTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE - 特許庁

尚、多結晶シリコン7の下に位置する側6は、活領域2aと素子分離3との境界50にまたがって設けられる。例文帳に追加

The side wall film 6 located below the polycrystalline silicon film 7 is formed across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolation film 3. - 特許庁

多結晶シリコン7の下に位置する側6は、活領域2aと素子分離3との境界50にまたがって設けられ、且つ、側6の上部は、n型拡散層5の上面より上側に位置している。例文帳に追加

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5. - 特許庁

耐熱合成樹脂製内上に、(イ) 酸又はアルカリの分散媒に溶解又は分散可能であるとともに、(ロ) 上記分散媒への溶解又は分散時に上記内の電荷と反対の極の電荷を帯びる化合物からなる外を形成する方法。例文帳に追加

An outer wall membrane comprising a compound which is (a) soluble or dispersible in an acidic or alkaline dispersion medium and (b) accumulates electric charges whose polarity is reverse to that of electric charges of an inner wall membrane made of a heat resistant synthetic resin when dissolved or dispersed in the dispersion medium is formed on the inner wall membrane. - 特許庁

27は、弾変形可能であり、電極接合体13の電解質14の膨張時に隔27の弾変形により二枚の平板19の間隙を縮小して電解質14の膨張を許容する。例文帳に追加

The barrier ribs 27 are capable of elastic deformation, and reduce a gap between the two sheets of flat plates 19 by the elastic deformation of the barrier ribs 27 to allow expansion of electrolyte membranes 14 at the time of expansion of electrolyte membranes 14 of the membrane electrode assemblies 13. - 特許庁

該シャンティングは、その上部の磁と磁気的に分離されており、軟磁の磁による磁界をシャンティングして、磁気ヘッドに磁磁界が到達しないようにしてSN比を増大させる。例文帳に追加

The shunting film is magnetically separated from the other magnetic films disposed over the shunting film, and shunts a magnetic field generated by the magnetic domain walls of the soft magnetic film such that the magnetic field of the magnetic domain walls cannot reach a magnetic head, thereby increasing an SN ratio(signal-to-noise ratio). - 特許庁

好適には、薄7を互いに間隔をとって配置した複数個の薄により構成し、これら薄間に好適には、膨潤を有する密封手段又は粘液体13を設ける。例文帳に追加

Suitably the elastic film 7 consists of a plurality of film walls arranged with spacing with each other and a sealing means with swelling tendency or viscous fluid 13 is set suitably for the gaps between the film walls. - 特許庁

3中の化合物は磁3内で分散し、磁の移動を妨げるピンニングサイトとして存在する。例文帳に追加

The compound in the magnetic film 3 is dispersed in the magnetic film 3 and exists as pinning sites preventing the displacement of magnetic domain walls. - 特許庁

STO基板11上には、第1強磁13、トンネル障層14及び第2強磁15が、この順に積層されている。例文帳に追加

On an STO substrate 11, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order. - 特許庁

色素で感覚層である網に発達する2つののあるコップ状の落ち込み例文帳に追加

a two-walled cuplike depression that develops into the pigmented and sensory layers of the retina  - 日本語WordNet

アニオン高分子が共有結合しているキトサンを物質として含むマイクロカプセル。例文帳に追加

The microcapsule contains a chitosan as a wall membrane substance bonded to an anionic polymer by a covalent bond. - 特許庁

温度補償技術が適用されたフィルタおよびマルチプレクサ用の多重可撓システム例文帳に追加

MULTIPLE-MEMBRANE FLEXIBLE WALL SYSTEM FOR TEMPERATURE-COMPENSATED TECHNOLOGY FILTER AND MULTIPLEXER - 特許庁

塩基物質拡散障を使用する微細電子素子のデュアルダマシン配線の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF DUAL-DAMASCENE WIRING OF FINE ELECTRONIC ELEMENT USING BASIC MATERIAL DIFFUSION BARRIER FILM - 特許庁

カラーフィルタの要求能を維持しつつ遮光を形成し、微細化、薄化を可能とする。例文帳に追加

To form a light shielding wall while maintaining required performance of a color filter to achieve microfabrication and film thinness. - 特許庁

無機多孔は、細孔にプロトン供与官能基が修飾されていても良い。例文帳に追加

It is preferable that a protogenic functional group in the inorganic porous membrane is modified on a pore wall. - 特許庁

細孔内に設けた撥液の撥液評価方法及びその評価装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING LIQUID REPELLENCY IN LIQUID-REPELLENT FILM PROVIDED TO INNER WALL OF PORES - 特許庁

試料室10内面には、導電遮蔽12を保持する保持機構13を設けた。例文帳に追加

A retention mechanism 13 for retaining the conductive shielding film 12 is provided on the inner surface of the sample chamber 10. - 特許庁

上に格子状の溝を掘り、この溝の下部を磁のピニングサイトとする。例文帳に追加

Grid-state grooves are cut on a magnetic film, and the lower part of these grooves are formed to the pinning site of a magnetic wall. - 特許庁

17の上面に撥水材料からなる撥水110を形成する。例文帳に追加

A water repellent film 110 made of water repellent material is arranged on upper face of barrier ribs. - 特許庁

感放射線樹脂組成物、有機EL表示素子用隔及び絶縁、並びにその形成方法例文帳に追加

RADIOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PARTITION FOR ORGANIC EL DISPLAY ELEMENT, INSULATING FILM, AND FORMING METHOD THEREOF - 特許庁

耐熱合成樹脂を有するマイクロカプセル表面に、均質で欠陥のないワックス外を形成した二重化マイクロカプセルを提供する。例文帳に追加

To provide a double wall membrane microcapsule where a homogeneous and nondefective wax outer wall is formed on the microcapsule surface comprising a heat-resistant synthetic resin wall membrane. - 特許庁

貫通部20の両側の縦面21が活化されているので、無電解めっき被4は縦面21にも析出する。例文帳に追加

The vertical wall surfaces 21 of both sides of the penetrating part 20 are activated and, therefore, the electroless plating film 4 is also deposited on the vertical wall surfaces 21. - 特許庁

トレンチ2の側には側酸化2aが形成されており、内部には導電のPolySi部材2bが充填されている。例文帳に追加

An oxide film 2a is formed on the side wall of the trench 2 filled with a conductive polySi member 2b. - 特許庁

物品収納部を構成する容器の内14と外15の少なくとも一方に薄の断熱シート20を貼着した構成とする。例文帳に追加

A thin heat insulating sheet 20 is bonded to at least one of the inner wall 14 and outer wall 15 of the container constituting an article housing part. - 特許庁

凹部22の内22aにはダメージが生じるため、凹部22の内22aには疎水24が形成される。例文帳に追加

Since the inner wall 22a of the recess 22 is damaged, a hydrophobic film 24 is formed in the inner wall 22a of the recess 22. - 特許庁

抵抗皮部20は、例えば、導電インキを含浸させた紙22を紙取付面8に取り付けて形成される。例文帳に追加

The resistance film part 20 is formed by applying a wall paper 22 impregnated with conductive ink to the wall paper applying surface 8. - 特許庁

物品収納部を構成する容器2の内と外の少なくとも一方に薄の断熱シート3を貼着した構成とする。例文帳に追加

A thin heat insulating sheet 3 is bonded to at least one of the inner and outer walls of a container 2 constituting an article housing part. - 特許庁

このゲート電極側導電120をゲート電極側絶縁119に対して選択のある異方エッチングにより適宜除去することにより、ソース領域とドレイン領域との分離及びゲート電極側導電120による局所配線の形成が同時に行なわれる。例文帳に追加

Isolation of a source region and a drain region is performed simultaneously with formation of a local interconnect by the gate electrode sidewall conductive film 120 by removing the gate electrode sidewall conductive film 120 appropriately through anisotropic etching selective for the gate electrode sidewall insulating film 119. - 特許庁

また、(Ga, Mn)_2O_3薄12は、トンネル障13と基本的に同じ結晶構造を有するため、トンネル障13と整合よく接合することができる。例文帳に追加

The (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 can be bonded to the tunnel barrier thin film 13 with sufficient alignment because it has basically the same crystal structure as that of the tunnel barrier thin film 13. - 特許庁

(Ga, Mn)N薄11は、トンネル障13を基板としてエピタキシャル成長させることによりトンネル障13と整合よく接合することができる。例文帳に追加

The (Ga, Mn)N thin film 11 can be bonded to the tunnel barrier thin film 13 with sufficient alignment by growing it epitaxially on the tunnel barrier thin film 13 as a substrate. - 特許庁

例文

シリコン基板1の活領域上にあるシリコン酸化2とシリコン窒化3との積層の側にボロン及びリンを含んだシリコン酸化のサイドウォール6を形成させる。例文帳に追加

A sidewall film 6 of a boron and phosphorus-containing silicon oxide film is formed in the sidewall of a lamination film of a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 on the active region of a silicon substrate 1. - 特許庁

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