「膜コンダクタンス」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

斜め方向から膜を成膜する技術を用いることで実効ゲート部分を短くし、露光の際の微細化を必要とせずに相互コンダクタンスを向上させる。例文帳に追加

To shorten the effective gate part of a compound semiconductor field-effect transistor by adopting a technique for forming a film from the oblique direction and to raise the mutual inductance of the transistor, without needing microscopic formation of the transistor at the time of an exposure. - 特許庁

本発明の化合物およびその薬学的に許容される組成物は、ＡＴＰ結合カセット（「ＡＢＣ」）輸送体モジュレータまたは嚢胞性線維症膜コンダクタンス制御因子（「ＣＦＴＲ」）を含むそのフラグメントとして有用である。例文帳に追加

Compounds, and pharmaceutically acceptable compositions thereof, are useful as modulators of ATP-binding cassette (ABC) transporters or fragments thereof, including cystic fibrosis transmembrane conductance regulator (CFTR). - 特許庁

本発明は、ＡＴＰ結合カセット（「ＡＢＣ」）トランスポーターまたはそのフラグメントのモジュレーター（嚢胞性線維症膜コンダクタンス調節因子が挙げられる）、その組成物、およびそれを用いる方法に関する。例文帳に追加

The present invention relates to the modulators of ATP-Binding Cassette ("ABC") transporters or fragments thereof, including Cystic Fibrosis Transmembrane Conductance Regulator, compositions thereof, and methods therewith. - 特許庁

あるいは遮蔽板を隔壁板から離すことによって、プラズマ生成空間と成膜処理空間との間のコンダクタンスを調整可能とする。例文帳に追加

In this way, the conductance between the plasma generation space and the film formation and treating space can be regulated by contacting and separating the shielding plate to and from the partition wall plate. - 特許庁

感応膜からイオンや汚染物質が侵入したとしても、チャネルのコンダクタンスの低下やチャネルの電流値の不安定化を抑制できるようにする。例文帳に追加

To suppress the lowering of the conductance of a channel or the destabilization of a current value of the channel even if an ion or a pollutant enters from a sensitive film. - 特許庁

駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film-forming apparatus which has enhanced an exhaust conductance of a shielded space structured by a deposition shield plate and has effectively reduced a residual gas while minimizing the complexity of a drive mechanism and the increase of the footprint. - 特許庁

その後、探針２を銀微粒子堆積膜６に接近させ、フィードバックをオフにした後、電源装置８により電圧操作を行ない、電流計１０により電流変化、コンダクタンス変化を測定する。例文帳に追加

Thereafter, the probe 2 is forced to approach the silver fine particle deposition film 6, and feedback is made off, voltage operation is performed by a power supply device 8, and a current change and a conductance change are measured by an ampere meter 10. - 特許庁

集積回路チップ２００は、下にある薄膜電気的相互接続体２０４ａ〜２０４ｎよりも少なくとも１桁大きい熱コンダクタンスを有する電力分配線路２５１、２５２の金属ネットワークを有する。例文帳に追加

An integrated circuit chip 200 is equipped with a metal network composed of electric power distributing lines 251 and 252 each of which has at least 10 times as large thermal conductivity as thin film electric interconnecting bodies located below. - 特許庁

ゲート絶縁膜に窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上含まれるためにｐ型トランジスタのゲート電極に含まれるボロンがチャネルに拡散せず、ゲート絶縁膜にパロゲン元素が含まれるため、トランジスタのコンダクタンスが増大し、ホットキャリア注入に対する信頼性が向上する。例文帳に追加

The high nitrogen concentration preventing boron contained in a gate electrode 106b of the p-type transistor from diffusing, and halogens contained in the gate insulating film increase the conductance of the transistor, resulting in enhanced reliability for hot-carrier injection. - 特許庁

同様に、トップスピンバルブ型磁気抵抗効果膜と導電リード層との間に、固定作用層よりも大きいコンダクタンスを有するチャンネル層を備えるようにしたので、光学読み取り幅とほぼ等しい実効読み取り幅を容易に得ることができる。例文帳に追加

Similarly, since the channel layer, having a larger conductance than a fixing function layer, is provided between a top spin-valve type magneto- resistive film and the conductive lead layer, substantial read width almost equal to the optical read width can be obtained easily. - 特許庁

シリコン基板１１１上に形成されたソース−ドレイン１１２、１１２′間の、絶縁膜に被覆されたフローティング・ゲートに固体電解質二次電池２１２を用い、二次電池が発生する電池電圧によりソース−ドレイン間のチャンネルコンダクタンスを変化させる。例文帳に追加

A solid electrolyte secondary battery 212 is used for a floating gate coated with an insulating film between a source 112 and a drain 112' formed on a silicon substrate 111 and channel conductance between the source and the drain is changed by a battery voltage generated by the secondary battery. - 特許庁

真空槽１０内の反応室１４を退避室１６よりも小さくし、薄膜を成長させる際には、基板ステージ１３を反応室１４側に移動させ、反応室１４の排気コンダクタンスを小さくした状態で、反応室１４内に原料ガスを導入する。例文帳に追加

The reaction chamber 14 in a vacuum tank 10 is made smaller than an evacuation chamber 16 and, when a membrane is grown, a substrate stage 13 is moved toward the reaction chamber 14 and raw material gas is introduced into the reaction chamber 14 in such a state that the exhaustion conductance of the reaction chamber 14 is made small. - 特許庁

ボトムスピンバルブ型磁気抵抗効果膜と導電リード層との間に、フリー層よりも高いコンダクタンスを有するチャンネル層を備えるようにしたので、広がりの少ないセンス電流分布をフリー層から導電リード層にかけて形成することができる。例文帳に追加

As a channel layer, which has a higher conductance than a free layer, is provided between the bottom spin-valve type magneto-resistive film and a conductive lead layer, a sense current distribution of less spread is formed from the free layer to the conductive read layer. - 特許庁

感温部１表面上に形成される赤外線吸収体２のパターン中心部の膜厚に対して、該パターン縁部の膜厚が薄い吸収体形状とし、吸収体中心部付近から吸収体縁部を経由してヒートシンク３に流れ込む熱伝導経路の熱コンダクタンスを小さくする。例文帳に追加

This infrared absorbing material formed on the surface of the heat sensitive part 1 is formed into a shape in which a film thickness of the pattern edge part is thicker than that in the pattern central part, to reduce heat conductance of a heat conducting path running from the vicinity of the absorbing material central part to a heat sink 3 via the absorbing material edge part. - 特許庁

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit. - 特許庁

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber. - 特許庁