「絶縁壁」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、第１絶縁側壁３２は第１埋め込み絶縁層１８に達しており、導電側壁３４は第１埋め込み絶縁層１８を貫通して導電層１６に達しており、第２絶縁側壁３６は第１埋め込み絶縁層１８と導電層１６を貫通して第２埋め込み絶縁層１４に達している。例文帳に追加

The first insulation wall 32 reaches the first embedded insulation layer 18, the conductive wall 34 penetrates the first embedded insulation layer 18 to the conductive layer 16, and the second insulation wall 36 penetrates the first embedded insulation layer 18 and the conductive layer 16 to the second embedded insulation layer 14. - 特許庁

絶縁障壁層５はＴｉ−Ｏで形成される。例文帳に追加

The insulating barrier layer 5 is formed of Ti-O. - 特許庁

絶縁物５の側壁上にスペーサ６を形成する。例文帳に追加

Spacers 6 are formed on the side walls of the insulators 5. - 特許庁

超格子を用いた絶縁体障壁のないスイッチ装置例文帳に追加

SWITCHING DEVICE WITH SUPER LATTICE AND WITHOUT INSULATOR BARRIER - 特許庁

絶縁膜上と銅配線パターンの表面を覆う絶縁性拡散障壁膜４９を形成する。例文帳に追加

An insulating diffusion barrier film 49 coating the insulating film and a surface of the Cu wiring pattern is formed. - 特許庁

建築物の壁用の略平らな絶縁性構造パネルは絶縁性コアを含む。例文帳に追加

The approximately flat insulating structural panel for a wall for a building contains an insulating core. - 特許庁

ガラス組成物、それを用いたペ−スト、絶縁体、ＦＰＤ用隔壁および絶縁層例文帳に追加

GLASS COMPOSITION, PASTE USING THE SAME, INSULATOR, PARTITION WALL FOR FPD AND INSULATING LAYER - 特許庁

絶縁隔壁１１ａの頂部は、電子回路基板２上の絶縁域２１ａに隙間なく当接する。例文帳に追加

Peak portions of the insulating barrier 11a abut against insulation areas 21a on the electronic circuit board 2 without any gap. - 特許庁

基板１１上に形成された絶縁層１２が絶縁障壁層２０と同一体となっている。例文帳に追加

In the tunnel magnetoresistive effect element, the insulating layer 12 formed on a substrate 11 is formed integrally with the insulating barrier layer 20. - 特許庁

その後、絶縁膜１２及び酸化膜１３の上から全面に絶縁膜１５を堆積し、絶縁膜１５をエッチバックして、絶縁膜１５が少なくともビット線１１の側壁を覆うように絶縁膜サイドウォールを形成する。例文帳に追加

Thereafter, a dielectric film 15 is deposited all over from above the dielectric film 12 and the oxide film 13, the dielectric film 15 is etched back, and a dielectric film side wall is formed so that the dielectric film 15 covers at least a side wall of a bit line 11. - 特許庁

本方法は、半導体基板５、ゲート絶縁体１０、ゲート絶縁体上の導体６１、１２、導体上の絶縁キャップ、及び導体及び絶縁キャップの一部の側壁上の絶縁スペーサ９２を提供する。例文帳に追加

This method includes steps for forming a semiconductor substrate 5, a gate insulator 10, conductors 61, 12 on the gate insulator, an insulation cap on the conductors, and an insulation spacer 92 on part of the sidewall of the conductors and of the insulation cap. - 特許庁

ゲート電極Ｇ１の側壁には側壁絶縁膜３５が形成される。例文帳に追加

A side wall insulating film 35 is formed on the side wall of a gate electrode G1. - 特許庁

バッテリシステムは、絶縁プレート部を電池セル１の間に挟着し、絶縁壁を電池セル１の外側面と金属バンド５との間に配設して、絶縁壁で電池セル１を金属バンド５から絶縁している。例文帳に追加

In the battery system, the insulating plate part is interposed between the battery cells 1 and the insulating wall is disposed between an outer side face of the battery cell 1 and the metal band 5 to insulate the battery cell 1 from the metal band 5 by the insulating wall. - 特許庁

第１の絶縁ケースの側壁部と第２の絶縁ケースの側壁部とにそれぞれ係合手段を設け、その係合手段を係合させることにより、第１の絶縁ケースと第２の絶縁ケースとを嵌合する。例文帳に追加

An engaging means is provided to the sidewalls of a first and a second insulating case, respectively, and the engaging means are engaged with each other, by which the first insulating case and second insulating case are fitted to each other in one piece. - 特許庁

空隙ＡＧ１の埋め込み絶縁膜４が除去される前に側壁保護膜３´にてトンネル絶縁膜５の側壁を覆うことにより、埋め込み絶縁膜４とトンネル絶縁膜５との間でウェット処理のエッチング選択比が確保できない場合においても、トンネル絶縁膜５を保護できるようにする。例文帳に追加

By covering a side wall of a tunnel insulating film 5 with a side wall protection film 3' before removal of the buried insulating film 4 in an air gap AG1, the tunnel insulating film 5 can be protected even when etching selectivity of wet processing between the buried insulating film 4 and the tunnel insulating film 5 cannot be secured. - 特許庁

層間の絶縁膜１０としては、大部分を構成する第１絶縁膜１０１と、この第１絶縁膜１０１に隣接してＣｕ配線部材１２の側壁を形成する第２絶縁膜１０２が構成されている。例文帳に追加

A first insulation film 101 constituting a large part of the interlaminar insulation film 10 and a second insulation film 102 forming a side wall of the Cu wiring member 12 adjacent to the first insulation film 101 are constituted. - 特許庁

その下地絶縁膜２の上に導電膜である配線膜７を底面絶縁膜５，側壁絶縁膜６および表面絶縁膜８で囲む。例文帳に追加

Each wiring film 7 of a conductive film is so formed on the underlaying insulation film 2 as to surround it by each bottom-surface insulation film 5, respective side-wall insulation films 6, and each front-surface insulation film 8. - 特許庁

その後、側壁用絶縁膜１０５の異方性ドライエッチングを行い、ゲート電極１０３の側面上に側壁絶縁膜１０６を形成する。例文帳に追加

The film 105 is subjected to anisotropic dry etching, and a side wall insulating film 106 is formed on a side surface of the gate electrode 103. - 特許庁

絶縁性でかつ不浸透性の壁を製造するためのストリップを接着するための機器およびプロセスならびに絶縁性でかつ不浸透性の壁例文帳に追加

APPARATUS AND PROCESS FOR BONDING STRIP FOR PRODUCTION OF INSULATING AND IMPERMEABLE WALL AND INSULATING AND IMPERMEABLE WALL - 特許庁

厚い絶縁層が障壁層上に付着するより速い速度で該厚い絶縁層がトレンチの底部に付着するように、障壁層が選択される。例文帳に追加

The barrier layer is chosen in such a way that the thick insulator layer is stuck on the bottom of the trench more quickly than on the barrier layer. - 特許庁

複数の絶縁壁(25)で囲まれた空間に配置された両電極(26,27)の端子(30,31)を、絶縁壁(25)の上下に対向する面に設ける。例文帳に追加

Terminals (30, 31) of both electrodes (26, 27) disposed in a space surrounded by a plurality of insulating walls (25) are provided respectively on upper and lower opposed faces of the insulating wall (25). - 特許庁

前記絶縁障壁層５の下には固定磁性層４を構成する第２固定磁性層４ｃが前記絶縁障壁層５と接して形成される。例文帳に追加

A second fixed magnetic layer 4c which constitutes a fixed magnetic layer 4 is formed below the insulating barrier layer 5 so as to be contacted with the insulating barrier layer 5. - 特許庁

側壁絶縁膜９を除去し、これより薄い隔壁絶縁膜１１を形成することによって、このスペーサの幅方向両側を後退させる。例文帳に追加

Subsequently, the sidewall insulating film 9 is removed and a thin barrier insulating film 11 is formed, thus retracting both sides of the spacer in the width direction. - 特許庁

さらに、第２側壁部の幅が第１側壁部の幅よりも大きく、第２下部絶縁膜の厚みが第１下部絶縁膜の厚みよりも大きい。例文帳に追加

Further, the width of the second side wall part is larger than that of the first side wall part, and the thickness of the second lower insulating film is larger than that of the first lower insulating film. - 特許庁

そして、ビットラインを互いに絶縁させるために、ビットラインの側壁に絶縁側壁スペーサを形成する。例文帳に追加

Then, in order to mutually insulate the bit lines, an insulating sidewall spacer is formed on the sidewall of the bit line. - 特許庁

異方性エッチングにより、ビアホールＶＨの底部の第２の絶縁膜を除去し、ビアホールＶＨの側壁に側壁絶縁膜を残す。例文帳に追加

The second insulating film at the bottom of the via hole VH is removed, and a side wall insulating film on the side wall of the via hole VH is retained. - 特許庁

絶縁膜上に、側壁を有するポリシリコン電極ＰＳが形成される。例文帳に追加

A polysilicon electrode PS having sidewalls is formed on the insulating film. - 特許庁

ゲートパターンの両側壁の絶縁膜上に第１スペーサを形成する。例文帳に追加

First spacers are formed on insulating layers on both sidewalls of each gate pattern. - 特許庁

トレンチ１５の側壁にキャパシタ絶縁膜１６を形成する。例文帳に追加

A capacitor insulating film 16 is formed on the side wall of the trench 15. - 特許庁

次いで、側壁部と第２絶縁膜を選択的に除去する。例文帳に追加

Next, the side wall part and the second insulating film are selectively removed. - 特許庁

基板１ｄには電極５ｂや絶縁層や隔壁２を形成する。例文帳に追加

An electrode 5b, an insulating layer, and partitions 2 are formed on a substrate 1d. - 特許庁

トレンチの露出した内壁の上に第２の絶縁膜を堆積する。例文帳に追加

A second insulating film is deposited on the exposed inner wall of the trench. - 特許庁

ゲート絶縁膜８は炭化珪素層の側壁６上に設けられている。例文帳に追加

A gate insulating film 8 is provided on the sidewall 6 of the silicon carbide layer. - 特許庁

各配線５５の側壁に絶縁膜スペーサ５６を形成する。例文帳に追加

An insulating film spacer 56 is formed on the sidewall of each interconnect line 55. - 特許庁

このトレンチ内壁の底面上に第一の絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A first insulating film is formed on the bottom surface of a trench internal wall. - 特許庁

各発光層１１Ｃの間を絶縁する隔壁１１Ｄが設けられている。例文帳に追加

Barrier ribs 11D for insulating between each light emitting layer 11C are provided. - 特許庁

ビア１１の側壁に絶縁層としての熱酸化膜２を形成する。例文帳に追加

A thermal oxide film 2 is formed on a side wall of the veer 11 as an installation layer. - 特許庁

絶縁性でかつ不浸透性の壁をより高速に得ることを可能にする。例文帳に追加

To produce an insulating and impermeable wall with an increased production speed. - 特許庁

ゲート電極１４の側部に側壁絶縁膜１８が設けられている。例文帳に追加

A sidewall insulation film 18 is provided on the side part of the gate electrode 14. - 特許庁

蛍光表示管用ガラス組成物、絶縁材料及び隔壁材料例文帳に追加

GLASS COMPOSITION FOR FLUORESCENT CHARACTER DISPLAY TUBE, ELECTRICAL INSULATION MATERIAL AND PARTITION MATERIAL - 特許庁

そのトレンチ１００の壁面が絶縁膜１０２で被覆されている。例文帳に追加

A wall surface of the trench 100 is coated with an insulating film 102. - 特許庁

絶縁膜をエッチバックして側壁１８を形成する（ｄ）。例文帳に追加

The insulating film is etched back to form a sidewall 18 (d). - 特許庁

エミッタポリシリコン１５を形成する前には、エミッタ形成領域上部の開口に側壁絶縁膜が形成されており、側壁絶縁膜間にレジストを埋め込んで、側壁絶縁膜の上部をエッチング除去し、側壁絶縁膜の高さを低くする。例文帳に追加

Before forming an emitter polysilicon 15, sidewall insulating films are formed at an opening at the upper part of an emitter formation area, resist is embedded in between the sidewall insulating films, and the upper parts of the sidewall insulating films are etching-removed to lower the heights of the sidewall insulating films. - 特許庁

絶縁膜１０７は発光素子の隔壁として機能する膜である。例文帳に追加

The insulation film 107 is a film functioning as a barrier rib of the light emitting element. - 特許庁

絶縁スペーサをゲートとゲート線の側壁上に形成する。例文帳に追加

Insulating spacers are formed on the gate and sidewall of the gate. - 特許庁