「界面領域」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

上記界面上には、該界面の所定の領域に複数の調整機構が備えられる。例文帳に追加

On the interface, a plurality of adjustment mechanisms are provided in a predetermined region of the interface. - 特許庁

ｐボディ領域４内の、ｐボディ領域４領域と、ｎ^+エミッタ領域５およびｐ^+コンタクト領域６との界面には、ｐ^+低抵抗領域４１が設けられている。例文帳に追加

A p^+ low resistance region 41 is provided at the interface among the p body region 4, the n^+ emitter region 5 and p^+ contact region 6, within the p body region 4. - 特許庁

界面領域１１４は、導電線の上表面上に形成され、界面領域１１４は、キャップ層の金属成分を含む。例文帳に追加

An interface region 114 is formed on the top surface of the conductive line, and the interface region 114 contains a metallic components of the cap layer. - 特許庁

そして、この領域とレンズとの境界面（２２）が粗面化されている。例文帳に追加

The interface (22) between the region and each of the lenses has been roughened. - 特許庁

前記界面領域の表面にはトンネル絶縁膜が設けられる。例文帳に追加

A tunnel insulating film is provided on a surface of the interface region. - 特許庁

界面領域の境界を設定できるモデル作成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for model creation capable of setting a border of an interface area. - 特許庁

第１領域と第２領域との接合界面３５は、第１及び第２不純物拡散領域３４、３３が重なり合う部分に形成される。例文帳に追加

The junction interface 35 between the first and second regions 14 and 13 is formed in the overlapping portion of the impurity diffusing regions 33 and 34. - 特許庁

泡は１層以上の緩衝領域層中及び／又は被覆領域と緩衝領域との界面に生成される。例文帳に追加

The foam 26 is formed in ≥1 layer of buffer region layer 22 and/or at the boundary between a coating region 16 and the buffer region 22. - 特許庁

整流領域１７とエミッタ領域１５との界面の順方向電圧は、ベース領域１３とエミッタ領域１５との界面の順方向電圧よりも高い。例文帳に追加

The forward voltage of the interface between the rectifier area 17 and the emitter area 15 is higher than the forward voltage of the interface between the base area 13 and the emitter area 15. - 特許庁

フォトダイオードチップ１Ｂは、領域１３とエピタキシャル層１２との界面に形成される第１のｐｎ接合領域と、領域１７とエピタキシャル層１２との界面に形成される第２のｐｎ接合領域とを有する。例文帳に追加

A photodiode chip 1B has a first p-n junction region, formed at an interface between a region 13 and an epitaxial layer 12, and a second p-n junction region formed at an interface between a region 17 and an epitaxial layer 12. - 特許庁

アノード領域４と高抵抗領域８が接する第１界面６からカソード領域１５と高抵抗領域８が接する第２界面１２までの距離は５０μｍ以上である。例文帳に追加

The distance from a first interface 6 at which the anode region 4 and the high resistance region 8 are in contact with each other through a second interface 12 at which the cathode region 15 and the high resistance region 8 are in contact with each other is 50 μm or greater. - 特許庁

非活性領域１７では、ｎ型ドリフト領域２ｂとｐ型仕切領域３ｂとが交互に配置されており、ｎ型ドリフト領域２ｂとｐ型仕切領域３ｂは、第１の界面３２に沿って延びるとともに、ｎ型ストッパー領域１９側で曲がって第２の界面３１に沿って延びている。例文帳に追加

The n-type drift regions 2b and the p-type division regions 3b extend along a first interface 32, bend in the n-type stopper region 19 side, and further extend along a second interface 31. - 特許庁

従って、エミッタ領域１５から流れる電流は、エミッタ領域１５とベース領域１３との界面を通って対向するコレクタ領域１４に流れ、アイソレーション領域１８へはあまり流れず、漏れ電流が小さい。例文帳に追加

Therefore, the current from the emitter area 15 flows to the opposite collector area 14 through the interface between the emitter area 15 and the base area 13, but hardly flows to the isolation area 18 and the current hardly leaks. - 特許庁

ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。例文帳に追加

In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed. - 特許庁

耐熱樹脂膜２における多孔質フィルム１との界面を含む第一領域２ａの平均細孔径は、耐熱樹脂膜２における第一領域よりも界面から離れた第二領域２ｂの平均細孔径よりも大きい。例文帳に追加

The average pore diameter of a first region 2a of the heat-resistant resin film 2 including the interface with the porous film 1 is larger than the average pore diameter of a second region 2b of the heat-resistant resin film 2 farther from the interface than the first region. - 特許庁

本発明の閉領域抽出方法では、オペレータは、対象となる閉領域の境界位置に架空境界面を挿入し、当該架空境界面を含む複数の面を、閉領域の境界に存在する面として指定する。例文帳に追加

In this closed area extraction method, the operator inserts a virtual boundary face in the boundary position of the objective closed area and designates the plurality of the faces including the virtual boundary face as the faces existing on the boundary of the closed area. - 特許庁

また、ｐ^+型領域５とｐ^++型領域４との不純物濃度の境界面が、フォトダイオード部を形成するｎ型不純物領域３の信号電荷読出し部側の境界面と一致しない構造を採用した。例文帳に追加

Further, an impurity concentration interface between the p^+-type region 5 and a p^++-type region 4 has been so structured as not to agree with an interface at a signal charge readout side of an n-type impurity region 3 that forms the photodiode. - 特許庁

第１金属層と第２半導体層との界面２５を含む界面領域ＩＦＲにおける前記元素の濃度は、第１金属層のうちの界面から離れた第１金属内部領域５１ｃよりも高い。例文帳に追加

The concentration of the element in an interface region IFR containing an interface 25 between the first metallic layer and the second semiconductor layer is set to be higher than a first metallic internal region 51c separated from the interface in the first metallic layer. - 特許庁

領域ＣはＳｉＯ_2を主とする領域からＭｇＦ_2を主とする領域にかけて徐々にＳｉＯ_2の成分濃度比率が小さく、同時にＭｇＦ_2の成分濃度比率が大きくなり、領域Ｄでは領域Ｃと逆の関係となり、これらの領域Ｃ〜Ｄ間には明確な界面は存在しない。例文帳に追加

The region C has a decreasing SiO_2 component density ratio and an increasing MgF_2 component density ratio gradually from the region mainly of SiO_2 to the region mainly of MgF_2, and the region D is opposite to the region C, so that there is no clear interface between the regions C and D. - 特許庁

水素透過性金属領域２および固体電解質領域１が一体的に形成されていることから、水素透過性金属領域２と固体電解質領域１との境界に界面が形成されることが抑制される。例文帳に追加

Because the hydrogen permeable metal region 2 and the solid electrolyte region 1 are integrally formed, the interface is suppressed from being formed at the border of the hydrogen permeable metal region 2 and the solid electrolyte region 1. - 特許庁

多孔質領域（３１）と緻密領域（３２）とが一体的に形成されていることから、多孔質領域（３１）と緻密領域（３２）との境界に界面が形成されることが防止される。例文帳に追加

Because the porous region (31) and the dense region (32) are integrally formed, the interface is prevented from being formed at the boundary of the porous region (31) and the dense region (32). - 特許庁

第２電極コンタクト領域４が、第１電極領域２と第２電極領域３との間の第１の界面から、電界緩和に必要な所定の距離内側に離間して、第２電極領域３の表面に形成されている。例文帳に追加

A second electrode contact region 4 is apart from the first interface between first and second electrode regions 2 and 3 within a specific distance required for electric field relaxation to be formed on the second electrode region 3. - 特許庁

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。例文帳に追加

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1. - 特許庁

ゲート配線形成時の素子領域と素子分離領域の段差を完全に平坦化して素子領域と素子分離領域界面のリーク電流を抑え、そのパターン依存性を無くす。例文帳に追加

To eliminate a pattern dependence by suppressing a leakage current of an interface between an element region and an element isolation region by completely flattening a step between the element region and the element isolation region at a gate wiring forming time. - 特許庁

酸化膜１７１の上面１７１ａは、ドリフト領域１１２とボディ領域１４１との境界面Ｂ１よりも下方側に位置している。例文帳に追加

A top face 171a of the oxide film 171 is located on the lower side than a boundary surface B1 of the drift region 112 and the body region 141. - 特許庁

埋め込み不純物領域３と半導体層２との界面にはｐ^+型の埋め込み不純物領域４が形成されている。例文帳に追加

A p^+-type embedded impurity region 4 is formed in an interface of the embedded impurity region 3 and the semiconductor layer 2. - 特許庁

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。例文帳に追加

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness. - 特許庁

トレッド面２０におけるセンター領域２２とショルダー領域２４との界面は、接地面の外側にある。例文帳に追加

An interface of the center area 22 and the shoulder areas 24 in a tread surface 20 is outside a grounding face. - 特許庁

高電位島領域１０１内のｎ^-半導体層３とｐ^-半導体基板１との界面にはｎ^+埋め込み不純物領域２が形成されている。例文帳に追加

An n^+ embedded impurity region 2 is formed on an interface between an n^- semiconductor layer 3 in a high-potential island region 101 and a p^- semiconductor substrate 1. - 特許庁

分離絶縁膜４の上部表面は、第１導電型領域２と第２導電型領域１１ｂとの接合界面よりも上に位置する。例文帳に追加

The upper surface of the isolation insulating film 4 is located higher than a bonded interface between the first conductive region 2 and the second conductive region 11b. - 特許庁

半導体材料の２つの領域間に少なくとも１つの界面領域を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming, at least, one interface region between two semiconductor material regions. - 特許庁

脆弱領域がドナー基板の所定深さに在り、脆弱領域と結合界面との間に薄い層が設けられる。例文帳に追加

A frangible region exists in the donor substrate at a designated depth, and a thin layer is prepared between the frangible region and a joint interface. - 特許庁

ここで、第１Ｎ型導電領域２と半導体基板導電領域１の境界面９１及び第２Ｎ型導電領域３と半導体基板導電領域１の境界面９２の双方を、半導体基板１００の端部をメサ状に加工することで略平面状に形成する。例文帳に追加

Both of an interface 91 between the first n type conductive area 2 and a semiconductor substrate conductive area 1 as well as an interface 92 between the second n type conductive area 3 and the semiconductor substrate conductive area 92 are formed almost like a plane by working the ends like a table. - 特許庁

イオン源引き出し領域におけるプラズマ境界面制御方法及びそのイオン源例文帳に追加

PLASMA BOUNDARY SURFACE CONTROL METHOD IN ION SOURCE EXTRACTION REGION AND ITS ION SOURCE - 特許庁

この境界面４は、インクがかかってもよく且つあまり目立たない緩衝領域である。例文帳に追加

The boundary surface 4 may be partly inked and is inconspicuous buffer area. - 特許庁

ｐ型ボディー領域６とｎ型エピタキシャル層２との界面でボディーダイオードが形成される。例文帳に追加

A body diode is formed on the interface between the region 6 and the layer 2. - 特許庁

４次の非線形光学効果に基づく界面の時間領域振動分光法および装置例文帳に追加

TIME DOMAIN VIBRATION SPECTROSCOPY AND DEVICE OF INTERFACE BASED ON 4TH NONLINEAR OPTICAL EFFECT - 特許庁

反位相領域境界面を効果的に低減又は消滅させた炭化珪素膜等を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide film or the like in which reverse phase resion boundary faces are effectively decreased or eliminated. - 特許庁

また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。例文帳に追加

Further, a mixed region is provided on an interface between the oxide semiconductor layer and the silicon oxide layer. - 特許庁

二つのコネクタが接合される界面の領域で電磁波がコネクタに出入りするのを防止する。例文帳に追加

To prevent an electromagnetic wave from coming into and going out of a boundary surface where two connectors are joined together. - 特許庁

上記２層の界面におけるそれぞれのミシン目２および３の間には、ずれ対抗領域がある。例文帳に追加

Between respective perforations 2 and 3 at the boundary of the two layers, a slip resistant-region is provided. - 特許庁

半導体基板１００の選択された領域にボロンフォトダイオード領域１３５が形成され、このボロンフォトダイオード領域１３５の界面と接するようにボロンフォトダイオード領域１３５の下部にＡｓフォトダイオード領域１４５が形成される。例文帳に追加

A boron photodiode region 135 is formed in a region selected in a semiconductor substrate 100, and an As photodiode region 145 is formed beneath the boron photodiode region 135 so as to come into contact with an interface of the boron photodiode region 135. - 特許庁

分離領域によって分離される２つの半導体素子領域が、分離領域との界面に分離領域側に突出する凸部を有している場合、この凸部によって分離領域の絶縁能力が低下することを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of preventing insulation capability of a separation region from being degraded due to projecting parts when two semiconductor element regions separated by a separation region have the projecting parts projecting toward the separation region on interfaces with the separation region, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

従って、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２とが互いに接するように混在する場合（バッティングディフュージョン）においても、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。例文帳に追加

Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion). - 特許庁

半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０^21ｃｍ^-3以上である。例文帳に追加

The maximum value of nitrogen atom concentration in a region within 10 nm from an interface between the semiconductor layer and the insulating film (interface between a channel region and the oxide film 8) is 1×10^21 cm^-3 or over. - 特許庁