「レジスト厚さ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

（２）ＩＴＯ電極２上にレジスト液を塗布して、所要の層厚のレジスト層よりも大きな厚みのレジスト膜を被着させたレジスト塗布基板を作製する。例文帳に追加

(2) A resist coated substrate, on which a resist film which is thicker than the resist layer of the predetermined thickness is formed, is manufactured by coating the surface of ITO electrode 2 with the resist solution. - 特許庁

本発明のレジストパターンの形成方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、レジストパターン厚肉化材料を塗布し、加熱した後、現像することにより前記レジストパターンを厚肉化するレジストパターン厚肉化工程と、厚肉化後のレジストパターンを更に加熱する加熱処理工程とを少なくとも含む。例文帳に追加

The method for forming a resist pattern includes at least a resist pattern thickening step of applying and heating a resist pattern thickening material for covering the surface of a resist pattern, after the resist pattern is formed, and developing the material to thicken the resist pattern; and a heat treatment step of further heating the thickened resist pattern. - 特許庁

レジスト溶液の塗布時、予め登録したレジスト溶液の目標膜厚と重量差を変換するデータテーブルを用いて、レジスト塗布前の基板重量と、レジスト塗布後の基板重量の重量差から膜厚に換算し、該換算値をレジスト膜厚値として出力する測定方法。例文帳に追加

The measuring method enables the output of a conversion value as a resist film thickness value by converting a weight difference between a substrate weight before resist application and a substrate weight after resist application into the film thickness by using a data table for converting a target film thickness and the weight difference of a resist solution registered in advance when the resist solution is applied. - 特許庁

また、レジスト膜は、転写パターンが形成される領域において、膜厚の最も厚い位置におけるレジスト膜の膜厚と、膜厚の最も薄い位置におけるレジスト膜の膜厚との差異が５０オングストローム以下である。例文帳に追加

In a region of the resist film where a transfer pattern is to be formed, the difference between the film thickness of the resist film at a position with the maximum thickness and at a position with the minimum thickness is not more than 50 Å. - 特許庁

レジスト塗布処理時には，回転されたウェハＷの中心部にレジスト液供給ノズルによりレジスト液が吐出され，所定の膜厚のレジスト液の液膜が形成される。例文帳に追加

In resist coating treatment, a resist liquid is delivered from a resist liquid supply nozzle to the center of a spinning wafer W, and a film of the resist liquid having a given thickness is formed. - 特許庁

フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の厚さを均一化して露光を行なうことで、良好なレジストパターンを得る。例文帳に追加

To obtain a favorable resist pattern by performing exposure while the thickness of a resist layer is made uniform in forming a resist pattern in a device such as a photoresist. - 特許庁

レジスト微粒子を小さくして膜厚を均一にした電着レジスト膜を高精度に形成でき、量産性に優れたスプレーレジスト法によるレジスト膜の塗布装置を提供する。例文帳に追加

To provide a resist coating device for a resist film that employs a spray resist method in which an electrodeposition resist film made uniform in film thickness by making resist particulates small can be formed with high precision and which is superior in mass-productivity. - 特許庁

レジストの種類が決められた条件下において、レジスト膜中の定在波の発生を極小化するためのレジストの膜厚、レジスト下地膜の膜厚を高い精度で最適化し得るレジストパターンの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a resist pattern, whereby the thickness of a resist film and the thickness of a resist base film can be optimized with high accuracy for minimizing a standing wave in the resist film under conditions of a kind of resist which is determined. - 特許庁

レジスト膜厚に対する寸法変動が小さいレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern which ensures small dimensional variation irrespectively of resist film thickness, and a resist pattern forming method. - 特許庁

処理時間がレジストの表面硬化層の厚さに依存せず、残渣なくレジストを除去することができるレジスト除去方法およびレジスト除去装置を提供する例文帳に追加

To provide a resist removal method and a resist remover which has process time, independently of the thickness of a surface hardened layer of resist and removes the resist, without residues. - 特許庁

化学増幅型のレジスト膜を露光してレジストパターンを形成する際に、レジスト膜の膜厚のばらつきに起因するレジストパターンの線幅のばらつきを抑制する。例文帳に追加

To suppress variation in the line width of a resist pattern due to the variations in the thickness of a resist film when the resist pattern is formed by exposing the chemically amplified resist film. - 特許庁

レジスト膜の露光部に形成されるシリル化層の厚さを厚くして、レジストパターンの形状を良好にする。例文帳に追加

To improve the shape of a resist pattern by increasing the thickness of a sylilation layer formed at the exposed part of a resist film. - 特許庁

厚いフォトレジスト層がＵＢＭ層上及び絶縁層上に付与される。例文帳に追加

The thick photoresist layer is applied on the UBM layer and the insulating layer. - 特許庁

レジストローラ１２６の変位量から記録材の厚さを検知する。例文帳に追加

The thickness of the recording material is detected from the displacement amount of a resist roller 126. - 特許庁

これにより，レジスト膜の膜厚に関する不具合が解消される。例文帳に追加

As a result, the failure related to film thickness of the resist film is dissolved. - 特許庁

膜厚が１〜１００μｍであり、アスペクト比（レジストパターンの膜厚に対する線幅の比）が３．５以上であるレジストパターンとする。例文帳に追加

The resist pattern having a film thickness 1 to 100 μm and an aspect ratio (ratio of a line width to the film thickness of the resist pattern) ≥3.5 is formed. - 特許庁

金属膜の腐食を抑えながら厚膜レジストを残渣なく現像する、厚膜レジスト用現像液を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid developer for a thick film resist, developing a thick film resist without residue while corrosion of a metal film is restrained. - 特許庁

下層レジスト層２、中間層３、フォト・レジスト層（上層レジスト層）４を積層して用いる３層レジスト・プロセスに於いて、パターンに対応する部分の下層レジスト層２の層厚が薄くなるにつれて前記パターンの露光寸法を小さくする。例文帳に追加

In the three-layer resist process wherein an underlayer resist layer 2, an intermediate layer 3 and a photoresist layer (upper resist layer) 4 are laminated and used, exposure dimension of the pattern is made small as the thickness of the underlayer resist layer 2 of a part corresponding to the pattern becomes thin. - 特許庁

第１配線層上にレジストを形成すると、信号線18を形成するためのレジストパターンの厚さは他のレジストの部分の厚さより厚くなる。例文帳に追加

When resist is formed on the first wiring layer, the thickness of a resist pattern for forming a signal line 18 is greater than the thickness of the other resist part. - 特許庁

フォトレジスト３にレジストが薄い部分と厚い部分からなるレジストの溝３１を形成し、ウエハ上のレジスト表面積を増やすことで、デポジション成分をレジストから供給し、配線幅や形状が安定したアルミ合金のエッチングを提供する。例文帳に追加

A groove 31 with thin and thick resist layers is formed on a photoresist 3, and then a deposition component is supplied from a resist by increasing a surface area of the resist on a wafer to enable the aluminum alloy to be etched with the stable wiring width and configuration. - 特許庁

リソグラフィー工程に於ける露光前加熱処理後のレジスト膜に於いて、レジスト膜の膜厚が、３５０ｎｍ以下であり、且つレジスト膜中に残留する溶剤量が、レジスト膜に対して２．００〜１０．０体積％の範囲にあるレジスト膜及びその形成方法。例文帳に追加

The resist film after pre-exposure heat treatment in lithographic processes has ≤350 nm film thickness and 2.00 to 10.0 vol.% solvent content remaining in the resist film with respect to the resist film, and manufacturing method of the resist film. - 特許庁

このレジスト膜厚測定ユニットＲＴＭでは、膜厚モニタなどレジスト塗布済みのウェハがインラインで自動的に導かれ、レジスト膜厚が測定される。例文帳に追加

In the measuring unit RTM, wafers coated with resists are automatically led to a film thickness monitor in an in-line state and the monitor measures the film thicknesses of the resists. - 特許庁

「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いてレジスト剤の塗布を行う場合について、塗布膜の膜厚分布を小さくし、塗布されたレジスト剤によって形成されるレジスト膜の膜厚均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve uniformity of film thickness of a resist film made of applied resist agent by reducing distribution of film thickness of an applied film when it is applied with an application apparatus named 'CAP coater'. - 特許庁

平坦化膜上に塗布された厚さの異なるレジスト層の露光量を最適化し、トラック部のレジスト形状、幅精度を向上させる。例文帳に追加

To optimize the exposure of resist layers whose thickness is different applied on a flattened film, and to improve the resist shape and width precision of a track part. - 特許庁

反射された放射は、レジスト層の中に、レジスト層の厚さを貫いて、投影された空中像の干渉パターンを形成する。例文帳に追加

The reflected radiation forms an interference pattern in the resist layer of the projected aerial image through the resist layer thickness. - 特許庁

第１フォトレジストパターン２８にイオン注入工程を追加して第１フォトレジストパターン２８を硬化させることができるので、フォトレジストの塗布の厚さを従来の塗布の厚さより薄くすることができる。例文帳に追加

Since the first photoresist pattern 28 can be hardened by performing an ion- implanting process added to the first photoresist pattern 28, the thickness of the photoresist can be thinned. - 特許庁

基板に対してレジストが塗布されると、スピンナにおいてレジスト膜の膜厚が測定される（ステップＳ１０４）。例文帳に追加

When the resist is applied to the substrate, the spinner measures the thickness of the formed resist film (step S104). - 特許庁

プロセス支援特徴上にレジスト層が形成されると、このレジスト層はデバイス内のほとんどのビア位置上でより均等な厚さを有する。例文帳に追加

When a resist layer is formed on the process support features, the resist layer has uniform thickness on nearly all via positions in a device. - 特許庁

コア膜上にレジストを塗布し、スピンコータを高速で回転させることにより、均一な厚さのレジストを形成する。例文帳に追加

A resist is applied onto the core film and, by rotating a spin coater at high speed, the resist with a uniform thickness is formed. - 特許庁

検査ブロック１３において、反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の膜厚が測定される。例文帳に追加

In the inspection block 13, film thickness of a reflection preventing film, the resist film and the resist cover film is measured. - 特許庁

被加工面５上にレジストパターン３を形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、レジストパターン厚肉化材料１を塗布することにより、該レジストパターンを厚肉化し、かつ該レジストパターンと共に形成された不要なパターンを消去するレジストパターン形成工程を少なくとも含むことを特徴とする。例文帳に追加

This method contains at least the resist pattern forming step in which after a resist pattern 3 is formed on a processing face 5, a resist pattern thickness increasing material 1 is applied so as to cover a surface of the resist pattern, whereby the thickness of the resist pattern is increased and the unwanted pattern formed together with the resist pattern is erased. - 特許庁

次に、前記レジストパターン４が形成された基板１上に、微小金属粉５を混入したバンプレジスト６を、前記レジストパターン４の厚さより厚く形成する。例文帳に追加

Bump resist 6 where fine metal powder 5 is included is formed on the substrate 1 where the resist pattern 4 is formed while the bump resist 6 is thicker than the resist pattern 4. - 特許庁

さらに、下層レジスト及び上層レジストで断面がＴ字型のフォトレジストパターンを形成し、下部誘電体層２〜保護誘電体層６の積層厚と等しい厚さだけ基板１にイオンエッチングを施す。例文帳に追加

Moreover, a photoresist pattern having T-shaped sectional plane is formed with lower and upper layer resist and ion etching of a thickness equal to the thickness of the laminated body of the lower dielectric material layer 2-the protective dielectric material layer 6 is performed onto the substrate 1. - 特許庁

膜厚が許容値を超える場合には、スペーサ用レジストを剥離して、塗布前の状態に戻し、再度スペーサ用レジストを塗布する。例文帳に追加

In the case the film thickness exceeds an allowable value, the spacer resist is peeled off, and the glass substrate is returned to the non-applied former state, and then, the spacer resist is applied on the substrate again. - 特許庁

レジスト膜厚の測定結果に応じてレジスト塗布装置が制御される様々な構成の実現に寄与する。例文帳に追加

This resist coater is constituted in such a way that the coater is controlled in accordance with the measured results of the film thicknesses of the resists. - 特許庁

基板処理装置は、基板に対してレジストを塗布すると、形成されたレジスト膜の膜厚を測定する（ステップＳ１０４）。例文帳に追加

A substrate treating device measures the thickness of a formed resist film when a resist is applied to a substrate (step S104). - 特許庁

ウェハ表面に形成されるレジストの厚みを均一にできるとともに、レジストの無駄を減少できることを課題とする。例文帳に追加

To make uniform the thickness of resist formed on the surface of a wafer and to reduce the wastage of resists. - 特許庁

現像後のレジスト膜厚が石英基板２３に形成すべき彫り込み量に対応するようにレジスト３２を露光する（図２（ｂ））。例文帳に追加

The resist 32 is exposed, in such a manner that the thickness of a resist film after development corresponds to an etched depth which should be achieved in the board 23. - 特許庁

多層プリント配線板のソルダレジスト形成工程において、スルーホールのエッジ部分のソルダレジストの厚さを確保する。例文帳に追加

To secure the thickness of solder resist at the edge part of a through- hole, in a solder resist forming process for a multi-layered printed wiring board. - 特許庁

ｇ線とｉ線の両波長に感光性をもつフォトレジストを使用するにあたり、最適なフォトレジスト膜厚を決定する手段の提供。例文帳に追加

To provide a means for determining the optimum thickness of a photoresist when using the photoresist having photosensitivity with respect to wavelengths of both a g line and an i line. - 特許庁

レジスト中の光吸収量Ｓは、レジストの実際の膜厚に対して周期性を持つ依存性を示す。例文帳に追加

A quantity S of absorbed light in the resist shows dependency having cyclicity to the real thickness of the resist. - 特許庁

膜厚の均一なレジスト塗膜を形成でき、微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用樹脂を得る。例文帳に追加

To provide a resin for photoresist which can form a resist coating with a uniform thickness and can form a minute pattern with excellent precision. - 特許庁

厚膜のゲート絶縁膜を形成する部分にレジストを形成し、レジストをマスクにして第１のゲート酸化膜をエッチングする。例文帳に追加

A resist is formed at a part where the thick gate insulation film is formed, and the first gate oxide film is etched with the resist as a mask. - 特許庁

無駄なレジストの発生量を抑えるとともに、薄い膜は勿論厚いものであっても膜厚一定で連続的にレジスト膜を形成することができるウエハーへのレジスト膜形成方法あるいはウエハーラミネーターを提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a resist film on a wafer, or an wafer laminator, in which a thick resist film as well as a thin resist film can be formed continuously with constant thickness while suppressing generation of useless resist. - 特許庁

レジストパターンを厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。例文帳に追加

To provide a resist pattern thickening material capable of forming a resist-void pattern which is fine exceeding exposure limits of a light source of an exposure device used for patterning by thickening a resist pattern. - 特許庁