「ハーフ‐メタル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。例文帳に追加

The MTJ element (1) includes: a first magnetic layer (10); a second magnetic layer (20); a tunnel barrier layer (30) positioned between the first magnetic layer (10) and the second magnetic layer (20); and a first half metal layer (40) formed by a half metal material. - 特許庁

第１のハーフメタル強磁性体層１３の下に、Ｃｒ／Ａｇ層から成る下地層１２を有し、第２のハーフメタル強磁性体層１５の上に、Ａｇ／Ｒｕ層から成る酸化防止層１６を有している。例文帳に追加

The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15. - 特許庁

また、素子にハーフメタル強磁性体１１，１２を適用することにより、出力の向上とその印加バイアス依存性の低減を図る。例文帳に追加

Further, half-metal ferromagnetic materials 11 and 12 are applied to the element to improve the output and reduce its applied bias dependency. - 特許庁

固定磁性層２０及びフリー磁性層２６には、強磁性且つハーフメタル的な合金層で形成された磁性層１７、２２が形成されている。例文帳に追加

In the fixed and free magnetic layers 20 and 26, magnetic layers 17 and 22 constituted of ferromagnetic metalloid alloy layers are respectively formed. - 特許庁

固定磁性層２０及びフリー磁性層２６には、強磁性且つハーフメタル的な合金層で形成された磁性層１７、２２が形成されている。例文帳に追加

The fixed magnetic layer 20 and the free magnetic layer 26 form magnetic layers 17 and 22 formed of a ferromagnetic as well as half-metallic alloy layers. - 特許庁

Ｃｏ_２Ｆｅ_ｘＭｎ_１−ｘＳｉホイスラー合金（ｘ＝０．０〜１．０）から成り、層厚が２〜２０ｎｍである第１のハーフメタル強磁性体層１３および第２のハーフメタル強磁性体層１５と、それらの間に挟まれたＡｇから成る非磁性金属体層１４とを有している。例文帳に追加

The magnetoresistance effect element has a first half metal ferromagnetic layer 13 and a second half metal ferromagnetic layer 15 composed of a Co_2Fe_xMn_1-xSi Heusler alloy (x=0.0 to 1.0) and having a thickness of 2-20 nm, and a nonmagnetic metal layer 14 composed of Ag sandwiched therebetween. - 特許庁

強磁性、フェリ磁性または反強磁性磁性の磁性を有し、電子のスピン方向に応じて伝導現象が大幅に異なる特性を有するハーフメタルを主成分とする磁性層を磁気抵抗効果膜に挿入する。例文帳に追加

A magnetic layer having ferromagnetism, ferrimagnetism, or antiferromagnetism and such a characteristic that the conducting phenomenon presented by the layer remakably varies depending upon the spin direction of electrons is inserted into a magnetoresistive effect film. - 特許庁

この際Fe_3Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe_3Si磁性相を形成する。例文帳に追加

Then, in order to improve composition controllability of an Fe_3Si layer and form an ordered structure layer having a half metal structure, an Fe_3Si magnetic layer is formed on a silicon substrate using a semiconductor substrate formed of SiC or having SiC on a surface. - 特許庁

第１ハーフメタル層（４０）は、第１磁性層（１０）とトンネルバリア層（３０）との間に介在し、トンネルバリア層（３０）と接触し、第１磁性層（１０）と磁気的に結合する。例文帳に追加

The first half metal layer (40) is interposed between the first magnetic layer (10) and the tunnel barrier layer (30), abuts on the tunnel barrier layer (30), and magnetically couples with the first magnetic layer (10). - 特許庁

状態密度は図２に示すような特性となり、横軸の０点（フェルミ面）を見ると、ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは金属的、ｍｉｎｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは半導体的でありハーフメタルになっている。例文帳に追加

The state density has a characteristic as shown in Fig. 2, and it is seen from the 0-point (Fermi surface) of the horizontal axis that the state density is metallic in majority-spin and semiconductor-like and half-metallic in minority-spin. - 特許庁

前記ハーフメタル的な性質を有する合金層からなる磁性層１７、２２は、従来のＣｏＦｅ合金などに比べてβ値が大きく、また比抵抗値ρも大きいから、従来よりも抵抗変化量ΔＲを大きくすることができ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能になる。例文帳に追加

Since the magnetic layers 17 and 22 have large β-values and high specific resistance values ρ as compared with the conventional CoFe alloy, etc., the resistance variation (ΔR) of this magnetic detecting element can be made larger than the conventional example and the resistance variation rate (ΔR/R) of this element can be improved appropriately. - 特許庁

記録はハーフメタル材料による電界放射陰極アレイで電流磁化反転を用い、再生はナノ加工された近接場光交換素子１７を通して発生させた近接場光の伝播で金属ナノ粒子１６のスピン配列情報を近接場光変換素子１８で読み出す。例文帳に追加

In recording, current magnetization inverse is used by electric field radiation cathode array by a half metal material, in reproducing, spin arrangement information of metal nano-particles 16 is read out by propagation of a near field light generated through a near field light switching element 17 being nano-processed by a near field light conversion element 18. - 特許庁

ハーフメタル強磁性層１２に反強磁性層１３を隣接させることにより、従来の強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に比べ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい且つ高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを得る。例文帳に追加

The ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect head having smaller bias dependency of the magnetic resistance ratio as compared with the conventional ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect element and also having the higher output power is obtained by placing an antiferromagnetic layer 13 adjacent to a half metal ferromagnetic layer 12. - 特許庁

前記ハーフメタル的な性質を有する合金層からなる磁性層１７、２２は、従来のＣｏＦｅ合金などに比べてβ値が大きく、また比抵抗値ρも大きいから、従来よりも抵抗変化量ΔＲを大きくすることができ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能になる。例文帳に追加

The magnetic layers 17 and 22, consisting of the alloy layers having the half-metal property, have a large β value as compared with the conventional CoFe alloy or the like, and since the specific resistance value ρ is large, the resistance change amount ΔR can be made larger than that of the conventional, and the resistance change rate (ΔR/R) can be properly improved. - 特許庁