| 意味 | 例文 (8件) |
デンドライト結晶の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
溶融したシリコンを鋳型内でキャスト法によって凝固させてシリコンインゴットを得る多結晶シリコンの製造方法において、凝固初期にデンドライトを発生させて、デンドライトから溶融シリコンを凝固させて結晶を成長させる。例文帳に追加
In the method of producing the polycrystal silicon to obtain a silicon ingot by solidifying a molten silicon in a mold by a casting method, dendrite is generated in its early stages of the solidification and a crystal is grown by solidifying the molten silicon from the dendrite. - 特許庁
これにより製造された多層材料は、銅合金層は、鋼板１０の表面からデンドライト組織がほぼ垂直に伸び、且つ結晶粒度が０．０２ｍｍ以下および／またはデンドライトアームスペイシングが０．０２ｍｍ以下の急冷凝固組織を持つ。例文帳に追加
Consequently, the multilayered material obtained by the described steps is of such a quenched and coagulated texture that a dendrite texture extends almost perpendicularly from the surface of the steel sheet 10 and the crystalline grain sixze is 0.02 mm or less and/or the dendrite arm spacing is 0.02 mm or less. - 特許庁
成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なＳｉ多結晶インゴットを製造することができるＳｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハーを提供する。例文帳に追加
To provide a device for producing a polycrystalline Si ingot, with which it is possible to control the growth direction, arrangement, configuration, and distribution of dendrite crystals that are to be generated in the beginning of growth, and with which a high-quality highly homogeneous polycrystalline Si ingot can be produced, and to provide a polycrystalline Si ingot and a polycrystalline Si wafer. - 特許庁
この高延性鉛フリーはんだ合金は、共晶相において長さ５μｍ以上の針状晶を有し、初晶β−Ｓｎ相が等方的結晶粒からなり、デンドライトを含まない。例文帳に追加
The highly-ductile lead-free solder alloy has the acicular crystal having the length of ≥5 μm in the eutectic phase and the primary crystal β-Sn phase consisting of isotropic crystal grain, and contains no dendrite. - 特許庁
Ｔｉを５０ａｔ％以上含有し、残部がＮｉ、Ｃｕおよびβ−Ｔｉ相安定化元素からなるチタン合金であって、非平衡ＴｉＮｉデンドライト化合物相とβ−Ｔｉ相の複合組織からなる結晶質合金である。例文帳に追加
The titanium alloy comprises, by atom, ≥50% Ti, and the balance Ni, Cu and β-Ti phase stabilizing elements, and is the crystalline alloy having a composite structure composed of a nonequilibrium TiNi dendrite compound phase and a β-Ti phase. - 特許庁
さらに、合金は、一方向凝固により加工され、必要であれば、例えば４００μｍ未満の、狭いデンドライトアーム間隔を含む単結晶形状又は柱状組織の物品にし、これにより、物品の機械特性のさらなる改善を認めることができる。例文帳に追加
Further, the alloys can be processed by directional solidification into articles in single crystal form or columnar structure comprising fine dendrite arm spacing, e.g., less than 400 μm, if need be, so that further improvements in mechanical properties in the articles can be seen. - 特許庁
絶縁体２により被覆された導体１の外周近傍に設けられた酸化銅３を備え、導体１の短絡により短絡痕が生成される際に酸化銅３が融解して混入し、その短絡痕の結晶組織にデンドライト組織が現れるようにした。例文帳に追加
Copper oxide 3 arranged in the vicinity of an outer periphery of a conductor 1 covered with an insulator 2 is provided, and the copper oxide 3 is melt-mixed upon forming the short circuit mark caused by short circuit of the conductor 1 thereby a dendrite structure in a crystalline structure of the short circuit mark appears. - 特許庁
凍結タンク１０内を移動する被処理液の移動方向を制御部２０に従い撹拌機１３によって変更することにより、被処理液中に含まれる溶質の移動方向が変更され、この結果、デンドライト氷同士の間の溶質の滞留を減少させることができ、氷結晶中への溶質の取り込みを減少させることができる。例文帳に追加
The moving direction of a solute in the liquid is changed by modifying the moving direction of the liquid moving within the freeze tank 10 with the stirrer 13 through the control section 20, resulting in the reduction of residence of the solute between dendrite ice crystals, or the reduction of entrainment of the solute in ice crystals. - 特許庁
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