「ゲート厚」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲート絶縁膜１３の厚みがゲート電極層１２の厚みよりも小さい。例文帳に追加

A thickness of the gate insulation film 13 is smaller than that of the gate electrode layer 12. - 特許庁

ゲート長はゲート絶縁膜の厚さは２ｎｍ程度であり、ＳＯＩ膜の厚さは２０ｎｍ程度である。例文帳に追加

The thickness of the gate insulating film is at most 2nm and the thickness of the SOI film is at most 20nm. - 特許庁

フィルムゲート８８の厚さＧ１は、ゲートランドの厚さＧ２よりも小さい。例文帳に追加

The thickness G1 of the film gate 88 is smaller than the thickness G2 of the gate land. - 特許庁

第２のゲート電極１１５Ｂのゲート長は、第１のゲート電極１１５Ａのゲート長よりも大きく、且つ、第２のゲート電極１１５Ｂにおけるゲート長方向の中央部の厚さは、第１のゲート電極１１５Ａの厚さよりも小さい。例文帳に追加

The gate length of the second gate electrode 115B is made larger than the gate length of the first gate electrode 115A, and the thickness of the central part of the gate length direction in the second gate electrode 115B is made smaller than that of the first gate electrode 115A. - 特許庁

厚さの異なるゲート酸化物層を形成する方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF GATE OXIDE LAYER OF DIFFERENT THICKNESS - 特許庁

これにより、ゲート電極１０の第１のゲート絶縁膜３上での厚さは従来のゲート電極と同じであっても、厚い第２のゲート絶縁膜６Ａ、６Ｂ上での膜厚ｔ２は従来例の膜厚ｔ１に比して薄くなる。例文帳に追加

Thus, even when the thickness of the electrode 10 on the film 3 is the same as that of a conventional gate electrode, a film thickness t2 on the thick second gate insulating films 6A and 6B is thinner than the thickness t1 of a conventional example. - 特許庁

ゲート誘電体の事実上の電気的厚みを減少する。例文帳に追加

To reduce the electrical thickness of a gate dielectric. - 特許庁

バラクタ２０のゲート絶縁膜２５は、ゲート絶縁膜１５，７５よりも厚い。例文帳に追加

The gate insulating film 25 of the varactor 20 is thicker than the gate insulating films 15 and 75. - 特許庁

ゲート誘電体積層構造体に複数種類の厚さのゲート酸化物層を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMATION OF GATE OXIDE LAYER WITH VARITIES OF THICKNESSES IN GATE-DIELECTRIC STACK STRUCTURE - 特許庁

各ゲート（51）には、ゲート（51）を厚さ方向に貫通する圧力導入路（52）が形成される。例文帳に追加

In each gate (51), a pressure introduction passage (52) which penetrates through each gate (51) in thickness direction thereof is formed. - 特許庁

ゲート電極１０２１を薄くし且つゲート配線１０２２を厚くすることができる。例文帳に追加

The gate electrode 1021 can be thinner while forming the gate wiring 1022 thicker. - 特許庁

事実上の電気的厚みが減少されたゲート誘電体を有するゲート積層（１０４）。例文帳に追加

A gate lamination 104 comprises a gate dielectric having reduced electric thickness. - 特許庁

ポンプゲートにおいてゲート扉体の重量、厚み及び高さの低減を図る。例文帳に追加

To reduce weight, thickness, and height of a gate door body in a pump gate. - 特許庁

第１ゲート絶縁膜１７は、第２ゲート絶縁膜１８より厚くなるように形成される。例文帳に追加

The first gate insulating film 17 is thicker than the second gate insulating film 18. - 特許庁

ゲートは、ゲート領域に位置する垂直厚約８０ｎｍ以下のシリコン膜の両側にある。例文帳に追加

A gate is located at each side of a silicon film which is about 80 nm or below in vertical thickness and positioned in a gate region. - 特許庁

ゲート電極膜９はゲート電極膜８よりもゲート電極膜同時加工時での補正膜厚分だけ薄く形成されている。例文帳に追加

The gate electrode film 9 is formed to be thinner than the gate electrode film 8 by a thickness of correction film during simultaneous processing of the gate electrode film. - 特許庁

ここで、クリアゲート電極ＣＧのクリアゲート絶縁層ＣＧＯの厚さを変調ゲート絶縁層ＭＧＯと比べ薄くする。例文帳に追加

The clear gate insulation layer CGO of the clear gate electrode CG is formed thinner than a modulation gate insulation layer MGO. - 特許庁

それから、ゲート絶縁膜の膜厚を測定し（Ｓ５）、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する（Ｓ６）。例文帳に追加

Thereafter, thickness of the gate insulating film is measured (S5) and a gate electrode is formed on the gate insulating film (S6). - 特許庁

さらに、前記ゲート電極埋め込み用溝に前記ダミーゲート絶縁膜よりも膜厚の薄いゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に電極材料を埋め込んでゲート電極を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film thinner than the dummy gate insulating film is formed in the trench for burying the gate electrode, and an electrode material is buried on the gate insulating film to form the gate electrode. - 特許庁

トレンチゲート構造のＦＥＴにて、ゲート耐圧を低下させることなくゲート絶縁膜を薄くする、或はゲート絶縁膜を厚くせずにゲート耐圧を向上させることが可能な技術を提供する。例文帳に追加

To make thinner a gate insulator without reducing the breakdown voltage of the gate or to increase the breakdown voltage of the gate without thickening the gate insulator in a FET having a trench gate structure. - 特許庁

ゲート絶縁膜２では、ゲート絶縁膜２におけるゲート電極３の両端部下に位置する厚膜部分２ａの膜厚は、ゲート絶縁膜２におけるゲート電極３の中央部下に位置する中央部分２ｂの膜厚よりも厚い。例文帳に追加

In the gate insulation film 2, the film thickness of a thick film portion 2a of the gate insulation film 2 positioned at the underside of both ends of the gate electrode 3 is larger than that of a central portion 2b of the gate insulation film 2 positioned at the underside of the central portion of the gate electrode 3. - 特許庁

ゲート絶縁膜２では、ゲート絶縁膜２におけるゲート電極３の両端部下に位置する厚膜部分２ａの膜厚は、ゲート絶縁膜２におけるゲート電極３の中央部下に位置する中央部分２ｂの膜厚よりも厚い。例文帳に追加

In the gate insulating film 2, the film thickness of thick film portions 2a of the gate insulating film 2, which are located under both end parts of the gate electrode 3, is thicker than the film thickness of a center portion 2b of the gate insulating film 2, which is located under the center part of the gate electrode 3. - 特許庁

もしくは、ゲート電極Ｇの側壁にライト酸化膜１１ａが形成されたＭＩＳＦＥＴＱｓのゲート絶縁膜を、ゲート電極の中央部の下のゲート絶縁膜の膜厚に対する、ゲート電極の端部下のゲート絶縁膜の膜厚の比が、１．１５以となるよう形成する。例文帳に追加

Otherwise a gate insulating film of MISFETQs forming a light oxidation film 11a on the side wall of a gate electrode G is formed so that a ratio of the film thickness of a gate insulating film under the end of the gate electrode to the film thickness of the gate insulating film under the center part of the gate electrode is 1.15 or greater. - 特許庁

また、ゲート絶縁膜１１の底部１６の膜厚を、ゲート絶縁膜１１の他の部分の膜厚よりも厚くなるように形成する。例文帳に追加

The film thickness of the bottom 16 of the gate insulating film 11 is formed to be thicker than that of the other part of the film 11. - 特許庁

変調トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、電荷転送用トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より、厚い。例文帳に追加

The thickness of a gate insulating film of the modulation transistor is larger than that of the transistor for transferring charge. - 特許庁

領域Ａには薄い膜厚の第１ゲート酸化膜１０７が形成され，領域Ｂには厚い膜厚の第２ゲート酸化膜２１が形成される。例文帳に追加

The first gate-oxide-film 107 is formed in the region A, and the second gate-oxide-film 21 is formed in the region B. - 特許庁

そして、発熱体に近い側のコルゲートフィン６の肉厚を、発熱体に遠い側のコルゲートフィン７の肉厚より厚くする。例文帳に追加

A thickness of the corrugated fin 6 on the side close to the heating element is made thicker than a thickness of the corrugated fin 7 on the side distant to the heating element. - 特許庁

ゲート絶縁膜の膜厚を埋込ゲートコンタクト領域近傍において厚くし、ＭＯＳゲート電極と埋込ゲートコンタクト領域の間を離す。例文帳に追加

The gate insulating film is made thicker in the vicinity of the buried gate contact region, and the MOS gate electrode and the buried contact region are separated from each other. - 特許庁

厚膜ゲート電極３３の側壁部分には、それぞれ、厚膜ゲート電極３３の膜厚に応じた側壁長を有する厚膜ゲート側壁絶縁膜３４が設けられている。例文帳に追加

There is provided a thick film gate side wall insulating film 34 having a side wall length in response to the film thickness of the thick film gate electrode 33 on a side wall of the thick film gate electrode 33. - 特許庁

又、アクティブ領域上でのゲートラインの厚さは、フィールド領域上での厚さに対して厚い。例文帳に追加

Further, the thickness of the gate line on the active region is larger than that on the field region. - 特許庁

ゲート電極と下部不純物拡散領域間にゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜１を形成する。例文帳に追加

An insulating film 1 thicker than a gate insulating film is formed between a gate electrode and a lower dopant diffusion region. - 特許庁

厚さを異にする複数のゲート酸化膜を１回の熱酸化処理により形成する際に厚いゲート酸化を効率的に行なう。例文帳に追加

To efficiently perform a thick gate oxidation, when plural gate oxide films having different thicknesses are formed by a one-time thermal oxidation treatment. - 特許庁

ｐ型窒化物半導体層は、ゲート電極１９の下側部分の厚さが該ゲート電極１９の側方部分の厚さよりも大きい。例文帳に追加

The p-type nitride semiconductor layer is thicker in a lower part of the gate electrode 19 than in a side part of the gate electrode 19. - 特許庁

ＮＭＯＳ型素子のゲート電極１０６ａの膜厚はＰＭＯＳ型素子のゲート電極１０６ｂの膜厚よりも薄い。例文帳に追加

The film thickness of a gate electrode 106a of an NMOS type element is smaller than that of a gate electrode 106b of a PMOS type element. - 特許庁

トレンチ５１の内側には厚さが０．０５μｍの均一な厚さのゲート酸化膜５９を形成し、その内側にゲートポリシリコン５２を形成する。例文帳に追加

A gate oxide film 59 with even thickness of 0.05 μm is formed inside the trench 51 and a gate polysilicon 52 is formed inside it. - 特許庁

トレンチ５１の内側には厚さが0.05μmの均一な厚さのゲート酸化膜５９を形成し、その内側にゲートポリシリコン５２を形成する。例文帳に追加

A gate oxide film 59 of a 0.05 μm, constant thickness, is formed inside the trench 51, the inside of which a gate polysilicon 52 is formed. - 特許庁

埋め込み本体コンタクトは、一般にゲート誘電体の厚さよりも大きな厚さを有する第２の誘電体により、ゲートから分離される。例文帳に追加

The buried body contacts are separated from the gates by second dielectrics whose thicknesses are generally larger than the thicknesses of the first gate dielectrics. - 特許庁

ゲート電極１０６ａの膜厚は５０〜２５０ｎｍであり、ゲート電極１０６ｂの膜厚は１００〜３５０ｎｍである。例文帳に追加

The film thickness of the gate electrode 106a is 50-250 nm, while that of the gate electrode 106b is 100-350 nm. - 特許庁

ゲート電極ＧＴの膜厚は、上層に形成するゲート絶縁膜に対しては段差レスとも看做される膜厚が得られる。例文帳に追加

As the film thickness of the gate electrode GT, such a film thickness that is considered to have no level difference to a gate insulating film to be formed on the gate electrode GT is obtained. - 特許庁

メモリセル部内におけるゲート絶縁膜８の厚みを周辺回路部内におけるゲート絶縁膜９の厚みよりも大きくする。例文帳に追加

Thickness of a gate insulating film 8 in a memory cell part is made larger than thickness of a gate insulating film 9 in a peripheral circuit part. - 特許庁

ｐ型窒化物半導体層は、ゲート電極１９の下側部分の厚さが該ゲート電極１９の側方部分の厚さよりも大きい。例文帳に追加

In the p-type nitride semiconductor layer, the thickness of a lower part of the gate electrode 19 is larger than the thickness of the side part of the gate electrode 19. - 特許庁

周辺回路領域のゲート電極ＰＧは、高電圧トランジスタについては厚い膜厚のゲート絶縁膜１１が形成されている。例文帳に追加

The gate electrode PG in the peripheral circuit region is formed with a gate insulating film 11 having a thick film thickness in regard to the high-voltage transistor. - 特許庁

また、酸化膜換算実効ゲート絶縁膜厚の膜厚に対するゲート長の比をほぼ１０未満とする。例文帳に追加

The ratio of the gate length against the reduced oxide film effective gate insulating film thickness is around less than 10. - 特許庁

ゲート絶縁膜厚を厚くすることなく簡便な方法でトレンチ型パワーＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間の帰還容量を低減する。例文帳に追加

To reduce a feedback capacity between a gate and a drain of a trench power MOSFET in a simple method without enlarging a gate insulating film thickness. - 特許庁

素子形成領域１０のシリコン基板１０１上に形成したゲート酸化膜１１２と、このゲート酸化膜１１２に接する素子分離膜１１０との境界において、ゲート電極１１４の厚みＤ’を、ゲート酸化膜１１２上のゲート電極１１４均一な厚みＤよりも大きくする。例文帳に追加

In the boundary between a gate oxide film 112 formed on a silicon substrate 101 of an element forming region 10 and an element separating film 110 contacted with the gate oxide film 112, the thickness D' of a gate electrode 114 is made larger than the uniform thickness D of the gate electrode 114 present on the gate oxide film 112. - 特許庁