「じょういたいばんそうきはくり」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

元型（基板１０）に剥離層として電着レジスト層１５または金属メッキ層もしくはこれらの組み合わせた層を設け、該剥離層を介して元型に対する電鋳を行い、該電鋳により形成される電鋳品２０を前記剥離層を除去することにより元型から剥離してスタンパー２５を得る。例文帳に追加

A base mold (substrate 10) has a layer of an electrodeposition resist layer 15 or a metal plating layer or a combination of these layers as a release layer, the base mold is subjected to electroforming through the release layer, and an electroformed product 20 formed by the electroforming is released from the base mold by removing the release layer to obtain a stamper 25. - 特許庁

パターン状の剥離層およびパターン層をエッチングによらずに簡単に形成でき、しかも、剥離層とパターン層が同一形状であるので、転写形状が綺麗で微細パターンに対応できる版、版の製造方法、基板および基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plate allowing a pattern-like separation layer and a pattern layer to be simply formed without using etching, having a beautiful transfer shape and capable of responding to a minute pattern because the separation layer and the pattern layer has an identical shape; to provide a manufacturing method of the plate; and to provide a board and a manufacturing method of the board. - 特許庁

実装基板上にはんだ実装された半導体装置の耐衝撃性を高めるとともに、半導体装置のリペア時に半導体装置の実装基板からの剥離を容易にすることができる電子装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic device such that a semiconductor device solder-mounted on a mounting substrate is enhanced in shock resistance and when the semiconductor device is repaired, the semiconductor device is easily peeled off from the mounting substrate. - 特許庁

厚み３００μｍ以下のガラス板と、樹脂板とを積層一体化した積層体において、ガラス板の端面の破損や、ガラス板と樹脂板との間に剥離が生じるという事態を可及的に低減する。例文帳に追加

To maximally suppress an effect that an end face of a glass sheet is broken and the glass sheet and a resin plate are separated from each other, in a laminate which is formed by laminating and integrating the glass sheet whose thickness is not larger than 300 μm and the resin plate. - 特許庁

支持体剥離装置１３０は、貼り付け基板２４ａを平坦状に強制的に保持する基板保持機構１３２を備える。例文帳に追加

A support separation device 130 has a substrate holding mechanism 132 for forcibly holding a sticking substrate 24a in a flat shape. - 特許庁

割れ難く、半導体素子基板への汚染が少なく、薄く薄層化でき、後の基板剥離や洗浄が容易な薄層化工程を備える。例文帳に追加

To provide a thinly layering process by which a semiconductor element substrate is less likely to crack, contamination to the substrate is little, the substrate can be thinly layered, and subsequent, the peeling or cleaning of the substrate is easy. - 特許庁

実装基板上にはんだ実装された半導体装置の耐衝撃性を高めるとともに、半導体装置のリペア時に、実装基板からの半導体装置の剥離を容易にし得る電子装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic device capable of improving the impact resistance of a semiconductor device soldered onto a mounting board, and facilitating removal of the semiconductor device from the mounting board when the semiconductor device needs repair. - 特許庁

回路基板の当接部の周囲に実装された電子部品の回路基板からの剥離を抑制できる携帯電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a portable electronic apparatus in which stripping of electronic components which are mounted around a contact part of a circuit board from the circuit board is suppressed. - 特許庁

基板（４１）と、基板（４１）の上に形成された剥離層（１４）と、剥離層（１４）上に形成された半導体薄膜（２０）とを有する積層体を用いる。例文帳に追加

A laminate, which includes a substrate (41), a release layer (14) formed on the substrate (41) and a semiconductor thin film (20) formed on the release layer (14), is employed. - 特許庁

これにより、泥弱層２で単結晶ＳｉＣ基板１を剥離させ、単結晶ＳｉＣ基板１の一部によって構成される単結晶ＳｉＣ層１ａをベース基板３上に備えた堆積用基板６を形成する。例文帳に追加

The single crystal SiC substrate 1 is stripped by the muddy layer 2 thus forming a deposition substrate 6 where a single crystal SiC layer 1a composed of a part of the single crystal SiC substrate 1 is provided on the base substrate 3. - 特許庁

透明基板１１に機械的に引っ張り応力を加えると、透明基板１１は剥離性向上膜１２と共に、光導波路１６から容易に剥離し、光導波路１６が多層配線基板１７に転写される。例文帳に追加

When tensile stress is mechanically added to the transparent substrate 11, the transparent substrate 11 with the release improving film 12 is easily peeled from the optical waveguide 16, and the optical waveguide 16 is transferred onto the multilayered wiring board 17. - 特許庁

重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。例文帳に追加

The material layer can be peeled certainly from the substrate without causing any cracking in the material layer formed on the substrate, by setting the energy of laser light in each of the overlapping regions to exceed a decomposition threshold required for peeling the material layer 2 from the substrate 1. - 特許庁

液晶表示装置の製造装置５０１は、液晶セルを構成する基板上に貼り付けられた偏光板を分断するために波長が０．３５５μｍ以上１０．６μｍ以下のレーザ光を照射することができる偏光板分断装置５０２と、上記レーザ光によって分断された上記偏光板のうち不要部分を上記基板上から剥離するための偏光板剥離装置５０３とを備える。例文帳に追加

The manufacturing apparatus 501 of liquid crystal display device includes: a polarizing plate dividing device 502 applying laser beams of wavelength 0.355 to 10.6 μm in order to divide the polarizing plate attached onto a substrate which constitutes a liquid crystal cell; and a polarizing plate stripping device 503 for stripping the unnecessary part in the polarizing plate divided by the laser beams. - 特許庁

フレキシブル基板に折れまたは傷を生じさせることなく、フレキシブル基板を粘着シートから容易に剥離できるフレキシブル基板の剥離装置を提供する。例文帳に追加

To provide a flexible substrate detacher capable of easily peeling a flexible substrate from an adhesive sheet without causing breakage or flaw on the substrate. - 特許庁

半導体ウェハ１００は、半導体基板（例えば、ＧａＡｓ基板１０１及びバッファ層１０２）と、この上に形成された剥離層１０３と、この上に形成された化合物半導体エピタキシャル層１０４とを有し、剥離層１０３の厚さを２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満にしたものである。例文帳に追加

The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor substrate (for example, a GaAs substrate 101 and a buffer layer 102), a peeling layer 103 formed thereupon, and a compound semiconductor epitaxial layer 104 formed thereupon, the peeling layer 103 being ≥20 to <200 nm thick. - 特許庁

この状態でＹＡＧレーザーを照射することにより第１接着層１０２が除去され第１固定基板１０１が分離または剥離される。例文帳に追加

Subsequently, it is irradiated with YAG laser under that state thus removing the first adhesion layer 102 and separating or stripping the first fixed substrate 101. - 特許庁

ソース／ドレイン電極５〜ゲート電極９を、第２支持基板層１１と一体にして、剥離層３の表面において第１支持基板１側から剥離する。例文帳に追加

The source/drain electrodes 5 to gate electrode 9 are integrated with the second support substrate layer 11, which is stripped from the side of the first support substrate 1 on the surface of the stripping layer 3. - 特許庁

窒化物系半導体素子の製造方法は、基板（１）の剥離を容易にさせるための剥離層（２）をその基板上に形成し、その剥離層上に１以上の窒化物系半導体層（３−８）を形成する工程を含むことを特徴としている。例文帳に追加

The process for fabricating a nitride based semiconductor element comprises a step for forming a stripping layer (2) which facilitates stripping of a substrate (1) on the substrate, and forming one or more nitride based semiconductor layers (3-8) on the stripping layer. - 特許庁

支持基板２上に第１剥離層４を形成し、その上に無機材料パターン６を形成し、その上に第２剥離層８を形成し、その上に電極パターン１０を形成し、その上に保護層１２を形成し、その上に接着剤層１４を形成することで、支持基板２上に転写体２０を得る。例文帳に追加

The first removing layer 4, an inorganic material pattern 6, the second removing layer 8, an electrode pattern 10, a protecting layer 12 and an adhesive layer 14 are sequentially formed on a supporting substrate 2 to obtain a transcript 20 on the substrate 2. - 特許庁

補強板上に、剥離可能な有機物層、回路パターンを備えた可撓性フイルムが少なくともこの順で積層された回路基板用部材であって、該剥離可能な有機物層が島状の粘着防止領域を含むことを特徴とする回路基板用部材。例文帳に追加

There is provided the substrate member laminated with a separable organic layer and a flexible film equipped with circuit patterns at least in that order on a reinforcing board, wherein the separable organic layer contains an island-shaped adhesion preventing region. - 特許庁

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。例文帳に追加

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface. - 特許庁

樹脂層が形成されたガラス基板を型から容易に剥離することができる離型装置を提供する。例文帳に追加

To provide a demolding device which can easily peel a glass substrate with a resin layer formed from a mold. - 特許庁

半導体基板上に分離層１２ｃ′を介して成長させたエピタキシャル層１３を、分離層で半導体基板から剥離しプラスチックフィルム基板２１に転写させる。例文帳に追加

A epitaxial layer 13 grown on a semiconductor substrate via an isolated layer 12c' is released from the semiconductor substrate in the isolated layer, and is transferred to a plastic film substrate 21. - 特許庁

更に、基板１０は、剥離液槽１の底部設置された超音波発生装置２と対面するように保持部材３により保持される。例文帳に追加

The substrate is held by the holder 3 so as to face the ultrasonic wave generator 2 installed at the bottom of the bath 1. - 特許庁

次に、基板を剥離した後、微小発光ダイオードのｎ型ＧａＮ層１５上に透明電極からなるｎ側電極２２を形成する。例文帳に追加

Next, after separation of the substrate, an n-side electrode 22 formed of a transparent electrode is formed on the n-type GaN layer 15 of the fine light emitting diode. - 特許庁

基板上に形成された電極触媒層を、電解質膜に接触させて熱圧縮し、電極触媒層に含まれる電解質樹脂と基板との膨張率の相違を利用した、基板を電極触媒層から容易に剥離するための離型処理を行い、基板を電極触媒層から剥離する、膜電極接合体の製造方法。例文帳に追加

In the method of manufacturing the membrane electrode assembly, the electrode catalyst layer formed on a substrate is heat-compressed by coming in contact with the electrolyte film, and the substrate is exfoliated from the electrode catalyst layer by making separation treatment for easily exfoliating the substrate from the electrode catalyst layer by making use of a difference of expansion coefficients between an electrolyte resin contained in the electrode catalyst layer and the substrate. - 特許庁

異種材料の基板上に形成した平坦かつ薄い半導体基板であって、異種材料の基板からの剥離が容易な半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a flat, thin semiconductor substrate which is formed on a substrate of a different material and can be easily peeled from the substrate of the different material, a semiconductor device, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

転写元基板上に形成された被転写層を転写先基板に転写して半導体装置を製造する際に、転写元基板を容易に剥離できる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of easily peeling a transfer source substrate when making the semiconductor device by transferring a layer to be transferred formed on the transfer source substrate to a transfer destination substrate. - 特許庁

（ａ）に示すように、剥離基板２０上に複数の剥離膜１１を形成し、剥離膜１１上に電極層１３を成膜して所定のパターン形状を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of a laminated substrate, a plurality of release films 11 are formed on a stripping substrate 20 and an electrode layer 13 is formed on the release films 11 to form a prescribed pattern shape. - 特許庁

熱板の下面に密着した上面板を安全かつ容易に剥離させるホットプレス装置を提供する。例文帳に追加

To provide a hot press device which can safely and easily peel off an upper face plate adhering on a lower face of a hot plate. - 特許庁

このレジスト回収装置１０の前段分離機構１４は、ネット板１７を備えており、剥離装置１１から供給された使用後の剥離液Ｂと除去された感光性レジストＡとの混合物Ｄは、まずネット板１７上を流れることにより、剥離液Ｂが、分離されて落下回収される。例文帳に追加

A former separation mechanism 14 of the resist recovering apparatus 10 comprises a net plate 17, and a mixture D of a used stripping solution B and a removed photoresist A supplied from a stripping apparatus 11 is allowed to flow on the net plate 17, whereby the stripping solution B is separated, dropped and recovered. - 特許庁

そして、貼り合わされた基板に衝撃力を付与し、水素イオン注入層１１に沿ってシリコン薄膜を単結晶Ｓｉのバルク部１３から剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を有するＳＯＩ基板を得る。例文帳に追加

Impact force is given to the bonded substrate, and a silicon thin film is separated from a bulk section 13 of a single crystal Si along the hydrogen ion implantation layer 11, thus obtaining the SOI substrate having the SOI layer 12 on the crystal substrate 20. - 特許庁

本発明に係る中性子ミラー１は、平板状の基板上に、屈折率が異なる２種類の物質の対層を交互に積層した多層膜２を形成し、前記基板から多層膜２が剥がれるきっかけとなる剥離誘因部を形成することで当該基板から前記多層膜２を剥がすことで得られる。例文帳に追加

The neutron mirror 1 is acquired by forming a multilayer film 2 obtained by alternately laminating double layers of two types of material having different reflective indexes on a flat plate-shaped substrate, and peeling the multilayer film 2 from the substrate by forming a peeling causing part to be a start to peel the multilayer film 2 from the substrate. - 特許庁

配線層１１及び配線層１２が形成された支持基板１を、フッ化炭素ガスを含むガス中でプラズマ処理し、剥離層の密着力を低下させた後、配線層１１及び配線層１２を支持基板１から分離して、配線基板１０を得る。例文帳に追加

After the support board 1 wherein a wiring layer 11 and a wiring layer 12 are formed is carried out by plasma polymerization in gas containing a fluoridation carbon gas so as to reduce the adhesion power of the exfoliation layer, a wiring substrate 10 is obtained by separating the wiring layer 11 and the wiring layer 12. - 特許庁

インプリント後に媒体基板表面のレジストに押し付けられたスタンパを容易に剥離することができるインプリント装置を提供する。例文帳に追加

To provide an imprinting apparatus that easily separates a stamper pressed to a resist on the surface of a medium substrate after imprinting. - 特許庁

また、支持基板１の表面直径方向に、複数のガイド溝２を形成し、複数のガイド溝２に剥離液３を浸入させることにより、支持基板１の表面から密着保持層１０を剥離する。例文帳に追加

Also, a plurality of guide grooves 2 are formed in the surface-diameter direction of the support substrate 1, and by making a separation liquid 3 go into a plurality of guide grooves 2, the contact holding layer 10 is separated from the surface of the support substrate 1. - 特許庁

その後、第１次電鋳層６を剥離し、その裏面に剥離処理５を施し第２次電鋳層８を形成し、この第２次電鋳層８に光沢メッキ９を施したものを模様入り基板母材として使用する。例文帳に追加

Thereafter, the primary electroformed layer 6 is peeled, the back face thereof is subjected to peeling treatment 5, so as to form a secondary electroformed layer 8, and the one in which bright plating is applied to the secondary electroformed layer 8 is used as a substrate base material with a pattern. - 特許庁

基板１０上にネガレジスト層（厚膜レジスト層）１３を形成する工程と、基板１０上にめっき皮膜１４を形成する工程と、剥離液に浸漬し、基板１０からネガレジスト層１３を剥離させる工程とを含むパターン形成方法において、ネガレジスト層１３を形成する前にポジレジスト層１２を形成するようにした。例文帳に追加

In the pattern forming method including a step for forming a negative resist layer (thick film resist layer) 13 on a substrate 10, a step for forming a plating film 14 on the substrate 10 and a step for removing the negative resist layer 13 from the substrate 10, a positive resist layer 12 is formed before forming the negative resist layer 13. - 特許庁

サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。例文帳に追加

After an isolation trench 21 is formed in a stripe shape on a compound semiconductor layer 1 formed on a sapphire substrate 20, a plated layer 6 is formed on an entire surface of the compound semiconductor layer 1, so that the plated layer 6 can be used as a support substrate after releasing the sapphire substrate 20. - 特許庁

改質処理により粘着樹脂層上面に粘着力の弱い部分ができるので薄型基板の剥離が容易になる。例文帳に追加

Since a part weak in adhesive strength is formed on the upper surface of the adhesive resin layer through the modification, the thin substrate can be easily removed. - 特許庁

回路基板製造時において、ドライレジストフィルム及び基板に与えるダメージを無くすと共に、容易且つ確実に剥離の切っ掛け部分を形成する剥離(ピーリング)装置を提供する。例文帳に追加

To provide a peeling device capable of eliminating damages on a dry resist film and a board when manufacturing a circuit board, and easily and reliably forming a peel-hooking portion. - 特許庁

基板の周囲に接触して固定し搬送する成膜装置の基板搬送部材の溶射膜および成膜による付着膜の基板搬送部材からの剥離を防止しメンテナンス寿命を高めることである。例文帳に追加

To prevent peeling of a thermal spray film of a substrate transport member in a film deposition device which is brought into contact with a sub strate, fixes and transports the substrate and a deposited film by film deposition from the substrate carrying member, and to increase life for its maintenance. - 特許庁

転写体２０の接着剤層１４にプラスチックシート基材２２を貼合し、次いで転写体２０から支持基板２を剥離除去する。例文帳に追加

A plastic sheet substrate 22 is pasted on the adhesive layer 14 of the transcript 20 and then the supporting substrate 2 is removed from the transcript 20. - 特許庁

パターンを有する樹脂層が形成されたガラス基板を型から容易に剥離することができる離型方法を提供する。例文帳に追加

To provide a mold releasing method which can easily peel a glass substrate with a resin layer having a pattern formed from a mold. - 特許庁

貼り合わされた炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５および支持基板２に対して熱処理を施して、結晶格子切断領域からなるイオン注入層６の領域で、炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５を剥離して、炭化ケイ素ＳＯＩ基板１を形成する。例文帳に追加

A substrate for silicon carbide SOI active layer 5 is pasted on a supporting substrate 2 to perform heating treatment and separated at the layer of ion implantation 6 which is the cutoff region of the crystal lattice to form a silicon carbide SOI substrate 1. - 特許庁