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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "反射率計"に関連した英語例文

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"反射率計"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 34



例文

組み合わされたX線反射率計及び回折例文帳に追加

X-RAY REFLECTOMETER COMBINED WITH DIFFRACTOMETER - 特許庁

時間領域反射率計(TDR)、および時間領域反射率計測検査をネットワークケーブルに適用するための方法例文帳に追加

TIME DOMAIN REFLECTIOMETER (TDR), AND METHOD OF APPLYING TIME DOMAIN REFLECTANCE MEASUREMENT TEST TO NETWORK CABLE - 特許庁

反射率計測装置、温度測装置および基板熱処理装置ならびに反射率計測方法、温度測方法および基板熱処理方法例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING REFLECTIVITY AND TEMPERATURE, AND FOR PROCESSING SUBSTRATE HEAT - 特許庁

これら回折信号の測定には偏光反射率計を用いる。例文帳に追加

The first and second measured diffraction signals were consecutively measured using the polarized reflectometer. - 特許庁

例文

光強度測方法、反射率計測方法、及び光強度測装置例文帳に追加

LIGHT INTENSITY MEASURING METHOD, REFLECTANCE MEASURING METHOD, AND LIGHT INTENSITY MEASURING INSTRUMENT - 特許庁


例文

フォトリフレクタ等の反射率計測素子、及び、反射率計測回路を同一基板上に実装具備し、反射率計測回路より測された出力により、サーモパイル型赤外線検出装置からの検出出力に放射補正処理を行った構成である事を特徴としている。例文帳に追加

The configuration of this detector in which a reflectivity measuring element such as a photo-reflector or the like and a reflectivity measuring circuit are mounted on the same board, is characterized in that a detection output from the thermopile type infrared detector is subjected in an emissivity compensating processing, based on an output measured by the reflectivity measuring circuit. - 特許庁

露光装置、基準反射板、反射率計測センサの校正方法及びマイクロデバイスの製造方法例文帳に追加

ALIGNER, REFERENCE REFLECTION PLATE, CALIBRATION METHOD OF REFLECTANCE MEASURING SENSOR, AND MANUFACTURING METHOD OF MICRO DEVICE - 特許庁

成膜前の前記フィルム10の反射反射率計26で測定する。例文帳に追加

The reflectivity of the base film 10, before the DLC film is formed, is measured by a reflectiometer 26. - 特許庁

偏光反射率計を用いた半導体ウエハ上に形成された構造の連続測定例文帳に追加

CONSECUTIVE MEASUREMENT OF STRUCTURES FORMED ON SEMICONDUCTOR WAFER USING POLARIZED REFLECTOMETER - 特許庁

例文

反射率計測センサの校正を短時間で行うことができる露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide an aligner which can carry out calibration of the reflectance measuring sensor in a short time. - 特許庁

例文

分光反射率計(107)は、それぞれの測定環境において、試料で反射された反射干渉光を測定する。例文帳に追加

The spectral reflectance meter (107) measures reflecting interference light being reflected by the sample in each measuring environment. - 特許庁

反射率計算手段が算する光反射の推定値R5は、R5=3・R15−5・R25/2+R45/2を満たすことを特徴とする。例文帳に追加

The estimation value R5 of the optical reflection coefficient calculated by the calculating means satisfies the equation R5=(3×R15)-(5×R25/2)+(R45/2). - 特許庁

偏光反射率計を用いた半導体ウエハ上に形成された構造の連続測定の方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of consecutive measurement of structures formed on a semiconductor wafer using a polarized reflectometer. - 特許庁

製造が容易で安価な整合インピーダンス試験点の試験ができる自動化された時間領域反射率計試験装置を提供する。例文帳に追加

To provide a time domain reflection factor meter-testing device that is easy to manufacture, is inexpensive, and can test a matching impedance test point. - 特許庁

第1、第2の方向性結合器14、18の間にミスマッチ同調器16が接続されたポート1反射率計20と、第3、第5の方向性結合器24、34からなるポート2反射率計32の間にDUT26が配置され、第4の方向性結合器28が低雑音受信器30に接続されている。例文帳に追加

The DUT 26 is arranged between a port 1 reflectometer 20 where a mismatch tuner 16 is connected between first and second directional couplers 14 and 18 and a port 2 reflectometer 32 formed of third and fifth directional couplers 24 and 34, and a fourth directional coupler 28 is connected to a low noise receiver 30. - 特許庁

半導体ウェハ上の回折構造体12cからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折とをまず測定する。例文帳に追加

Before the diffraction from a diffracting structure 12c on a semiconductor wafer, the film thickness and index of refraction of a film underneath the structure are first measured using a spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry when required. - 特許庁

反射係数Aの中に、常時反射率計26で測定した反射rを用いた関数f(r)が入るので、反射の変化に応じて反射係数Aが変わり、正確で安定した膜厚測定が行える。例文帳に追加

Since the function f (r) using the reflectivity (r) always measured by the reflectiometer 26 enters the coefficient A of reflectivity, the coefficient A of reflectivity changes corresponding to a change in reflectivity to accurately and stably measure film thickness. - 特許庁

日射反射率計算部は、塗膜の塗料の混合比と、KS算部が算した吸収係数及び前記散乱係数と、に基づいて、塗料が混合された塗料の日射反射算する。例文帳に追加

A solar reflectance calculation part calculates a solar reflectance of a paint mixed with other paints, based on a mixture ratio of a paint of the coating, and the absorption coefficient and the scattering coefficient having calculated by the KS calculation part. - 特許庁

肌に光を照射し波長域ごとの反射を測定し皮膚の反射率計測スペクトルを表示した後、当該スペクトルとMC法によって作成された仮想スペクトルを比較する。例文帳に追加

Light is applied to the skin to measure the reflectance and display a reflectance measuring spectrum of the skin, and after that, the spectrum and a virtual spectrum created by the MC (Monte Carlo) method are compared. - 特許庁

各層にある色素濃度(C_mi,C_bi)、散乱係数(μ_si)等のパラメータ値を変化させながらMC法を用いてグラフを繰り返し再描写させていくことにより反射率計測スペクトルにフィッティングさせる。例文帳に追加

While the parameter values such as coloring matter concentration (C_mi, C_bi), and scattering coefficient (μ_si) of every layer are varied, a graph is repeatedly re-drawn using the MC method to be fitted to the reflectance measuring spectrum. - 特許庁

透過反射率計等の光学測定機器を使用せず、目視で簡便に観察対象物全体の濃度ムラを観察することが可能な観察装置を提供する。例文帳に追加

To provide an observation apparatus with which irregularities in the concentration of an observation object as a whole can be observed visually and simply, without using an optical measuring apparatus such as a transmissometer, a reflectometer of the like. - 特許庁

塗膜構造体の日射反射率計算方法、装置、プログラム、及び、熱量予測算方法、装置、プログラム、並びに、遮熱効果の定量評価方法、カラーデザイン方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method, device and program for calculating solar radiation reflectance of a coated film structure, a method, device and program for predicting and calculating a caloric value, and a quantitative evaluation method and color design method of the thermal insulation effect. - 特許庁

塗膜構造体の日射反射率計算方法、装置、プログラム、及び、熱量予測算方法、装置、プログラム、並びに、遮熱効果の定量評価方法、カラーデザイン方法例文帳に追加

METHOD, DEVICE AND PROGRAM FOR CALCULATING SOLAR RADIATION REFLECTANCE OF COATED FILM STRUCTURE, METHOD, DEVICE AND PROGRAM FOR PREDICTING AND CALCULATING CALORIC VALUE, AND QUANTITATIVE EVALUATION METHOD AND COLOR DESIGN METHOD OF THERMAL INSULATION EFFECT - 特許庁

リード・ファイバ端部を加熱する間、リード・ファイバ端部からの反射後方散乱損失を測定するために、光時間領域反射率計が使用される。例文帳に追加

While the lead fiber end is heated, an optical time domain reflectometer is used to measure reflected backscatter loss from the lead fiber end. - 特許庁

半導体ウェハ12上の回折構造体12cからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計60または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜12bの膜厚と屈折とをまず測定する。例文帳に追加

Before diffraction from a diffracting structure 12c on a semiconductor wafer 12 is measured, when necessary, the film thickness and refractive index of a film 12b located below the structure are first measured using a spectroscopic reflectometer 60 or a spectroscopic ellipsometer. - 特許庁

プリント配線回路基板の上方に位置し、同軸の試験ケーブルによって時間領域反射率計へ接続されている第1のプローバーヘッドと第2のプローバーヘッドを有するx−yプローバーを用いる。例文帳に追加

An x-y prober 16 is used, where it is provided with a first prober head 30 that is located at the upper portion of a printed wiring circuit board 4 and is connected a time domain reflection factor meter through a coaxial test cable and a second prober head 32. - 特許庁

色値算部103は、分光反射率計算部101から入力される合成色の分光データを、CIE Labなどデバイスに依存しない色空間上の色値へ変換し、色値を出力する。例文帳に追加

A color value calculation section 103 converts spectral data of the composite color received from the spectral reflectance calculation section 101 into a color value on a color space independently of a device such as the CIE Lab and outputs the color value. - 特許庁

測定手段としての分光反射率計により、保持容器2の孔1と透視部7とを通して、収容容器4に着色液体としての塗料8が収容された状態で、塗料8の色を測定する。例文帳に追加

The color of paint 8 is measured by a spectral reflectometer as a measuring means through the hole 1 and the see-through part 7 of the holding container 2 with the paint 8 as the colored liquid stored in the storage container 4. - 特許庁

半導体ウェハ12a上の回折構造体12cからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計60または分光エリプソメータ34を使って構造体の下に位置する膜12bの膜厚と屈折とをまず測定する。例文帳に追加

Before the diffraction from the diffracting structure 12c on a semiconductor wafer 12a is measured, the film thickness and index of refraction of a film 12b underneath the structure are first measured using spectroscopic reflectometry 60 or spectroscopic ellipsometry 34 when required. - 特許庁

分光反射率計算部101は、二つの特色データ(名称および濃度値などの情報から構成される)を入力し、特色データベース(DB) 102から適合する分光反射データを取得して、二つの特色の合成色の分光反射算する。例文帳に追加

A spectral reflectance calculation section 101 receives two particular color data (comprising information items such as names and density values) and acquires adapted spectral reflectance data from a particular color database (DB) 102 to calculate a spectral reflectance of the composite color of the two particular colors. - 特許庁

ポリオルガノシロキサン及び/又は変性されたポリオルガノシロキサン等で被覆された少なくとも1種の表面変性された二酸化ケイ素を含有する塗料配合物において、60゜反射率計値が3未満の場合、少なくとも140のシアーズ数M_yを有することを特徴とする、塗料配合物。例文帳に追加

The coating composition containing at least one surface-modified silicon dioxide coated with a polyorganosiloxane and/or modified polyorganosiloxane, etc., has a black number M_y of at least 140 when a 60° reflectometer value is <3. - 特許庁

本発明の課題は、フィードバック制御による照射出力の安定化を行わずに短時間で測の高精度化を図り、照射出力の安定化によるコ-ストアップと測装置の大型化をもたらすことのない反射率計反射濃度反射校正方法を提示することにある。例文帳に追加

To provide a method of calibrating a reflectivity of a reflectometer and a reflection densitometer which can implement the measurement accurately in a short time without carrying out a stabilization of irradiation output by using a feedback control and in which a cost and size of the instrument does not become large by performing the stabilization of irradiation output. - 特許庁

伝導/抵抗プローブ42、44及び/又は1つ以上の時間領域反射率計(TDR)プローブ46の組合せを含むプローブシステム40が、ダウンカマー22の内部に少なくとも部分的に配置され、ダウンカマー22の内部における冷却材液面38及び流速を測定する。例文帳に追加

A probe system 40 including the combination of conductivity/resistance probes 42 and 44 and/or one or more time-domain reflectrometer (TDR) probes 46 is located at least partially inside the downcomer 22 to measure the coolant fluid level 38 and flow velocity of the coolant inside it. - 特許庁

例文

エッチング処理の間に実施されたインサイチューモニタリング(例えば、分光、干渉測、散乱測、反射率計測など)と組合せて、エッチング処理に対してエクスサイチューで提供された測定情報(例えば、限界寸法(CD)、層の厚さなど)を用いて、エッチング処理がモニタリングされても良い。例文帳に追加

Using measuring information (for example, critical dimensions (CD), layer thickness) provided ex-situ on the etch process combining with in-situ monitoring (for example, spectroscopic, interference measurement, scattering measurement, and reflectivity measurement) which is performed during the etch process, the etch process may be monitored. - 特許庁

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