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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "レジスト厚さ"に関連した英語例文

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"レジスト厚さ"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6



例文

高感度で高レジスト厚さのi線ホトレジスト用スルホニルオキシム類例文帳に追加

SULFONYL OXIMES FOR HIGH SENSITIVITY THICK i-LINE PHOTORESIST - 特許庁

そのため、シリコン層領域13,14上に形成されるトランジスタのゲート電極の高さを揃えることができ、塗布するレジスト厚さが均一化でき、ゲート長を精度よく形成できる。例文帳に追加

Therefore, the lengths of gates can be formed in high accuracy in such a manner that the gate electrodes of transistors formed on the silicon layer regions 13, 14 can be arranged in same height, and coating resists can be equalized in thickness. - 特許庁

そこで、所望の形状の光潜像、すなわち光強度分布を得たいときには、この相関関係に基づいて、レジスト厚さを適宜な値に設定する。例文帳に追加

Therefore, for obtaining a light latent image in a desired shape, namely a light intensity distribution, the resist thickness is set to an appropriate value, based on the correlation. - 特許庁

外周リング電極に隣接する素子のレジストの段差(盛り上がり)を低減し、また各素子の端部にある凸部上のレジスト厚さの減少を抑制することができる絶縁膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an insulating film forming method which reduces a bump (rising) of a resist of an element adjacent to a circumference ring electrode, or suppresses the decrease of a resist thickness on a salient located in a terminal of each element. - 特許庁

例文

ポジ型フォトレジストを使用したときに光潜像As,Bs,Cs、及びネガ型フォトレジストを使用したときの光潜像Ds,Es,Fsと、定在波の節から入射界面への距離(レジスト厚さ)との間には相関関係がある。例文帳に追加

Light latent images As, Bs, Cs when using a positive type photoresist, light latent images Ds, Es, Fs when using a negative type photoresist, and distance (resist thickness) from the node of standing waves to an incident interface are correlated one another. - 特許庁


例文

フォトマスクパターンのライン臨界大きさ別に差等的なスペース幅を適用することで、照明系、サブ膜、レジスト厚さなどによって変わるパターニング不良を検査することができ、同一の臨界大きさを有するが、パターンラインの相異なる長さにより発生する崩れまたはブリッジなどの不良を予め検査できるフォトマスクデータベースパターンの不良検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for detecting failure of database patterns of a photomask in which different space widths are applied according to critical dimensions of lines of the patterns of the photo mask to detect patterning failure varied according to illuminating systems, sub-films and thicknesses of resist, and to preliminarily detect failure, such as collapse or bridges, generated from the different lengths of pattern lines having the same critical dimension. - 特許庁

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