v族～の英語

To provide a method of growing a crystal by which nitrogen can be mixed in crystals without being affected by the supply condition of a group III raw material and a III-V compound semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen in a group V composition can be obtained.例文帳に追加

III族原料の供給条件に影響を受けることなく窒素の混晶化を行うことができる、窒素と窒素以外のV族元素とをV族組成に有するIII-V族化合物半導体を得る為の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

To prevent degradation of output caused by heat in a semiconductor device having a group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。 - 特許庁

To provide a III-V-family compound semiconductor epitaxial wafer with excellent electric characteristics.例文帳に追加

電気的特性に優れたIII-V 族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The material of the electrode 20 is an ohmic metal to a p-type group III-V compound semiconductors.例文帳に追加

裏面電極２０の材料は、ｐ型のIII−V族化合物半導体に対するオーミック金属である。 - 特許庁

To provide a polytype of an optimum combination for an SiC substrate and overgrown III-V group nitride.例文帳に追加

ＳｉＣ基板および過成長III-V族窒化物の双方に最適な組み合わせのポリタイプを提供する。 - 特許庁

The MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method for growing the nitride semiconductor layer employing ammonium (NH_3) as a V-group material can be utilized.例文帳に追加

V族原料としてアンモニアNH_3を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁