意味 | 例文 (10件) |
sog-8とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「sog-8」の意味 |
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sog-8
worm | 遺伝子名 | sog-8 |
同義語(エイリアス) | ||
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | WormBase:WBGene00004941 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「sog-8」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
After filling SOG 8 in the plurality of trenches, the SOG 8 is solidified.例文帳に追加
複数のトレンチ内にSOGを充填した後、SOGを固化する。 - 特許庁
When SOG 8 is applied on the oxide film 7 by using centrifugal force, remaining SOG 8 collects in the recess part 7X, and SOG 8 is applied on the oxide film 7 on the fuse wiring 3 in uniform thickness.例文帳に追加
酸化膜7上に遠心力を利用してSOG8を塗布すると、余剰分のSOG8が凹部7Xに溜まり、ヒューズ配線3上の酸化膜7に均一な厚さでSOG8が塗布される。 - 特許庁
After metal wirings 6 are buried in a modified SOG film 4 using a damascene method, a modified SOG film 8 is formed on the film 4 and moreover, contact holes are formed in the film 8.例文帳に追加
そして、改質SOG膜4にダマシン法を用いて金属配線6を埋め込んだ後、その上に改質SOG膜8を形成し、更に、コンタクトホール9a,9bを形成する。 - 特許庁
Since the SOG films are not formed on the top face of the wiring 2 to which holes 8 are formed, and on the surface of the substrate 1, the SOG films are not exposed to the inner walls of the holes 8.例文帳に追加
また、ホール8の形成される配線2上面や基板1表面にSOG膜が形成されないのでホール8の内壁にSOG膜が露出しない。 - 特許庁
The lower wiring 4 and the conductive plug 6 are buried by an organic SOG film 7, after that, the surface of the conductive plug 6 is exposed, and second wiring 8 is formed on the organic SOG film 7.例文帳に追加
下層配線4及び導電プラグ6を有機SOG膜7で埋め込み、その後、導電プラグ6表面を露出させ、有機SOG膜7上に第2配線8を形成する。 - 特許庁
Furthermore, a thermally polymerized hydrocarbon film 7 is formed on the modified SOG film mask 5, and a trench 8 communicating with the contact hole 6 is cut in the hydrocarbon film 7.例文帳に追加
更に、改質SOGマスク5の上に熱重合性炭化水素膜7が形成され、この炭化水素膜7には、コンタクトホール6に通じるトレンチ8が形成されている。 - 特許庁
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「sog-8」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
In the lens 13, its height is regulated so as to compensate a sensitivity difference of each color filter 8 through an ion implantation for this organic SOG film.例文帳に追加
レンズ13は、この有機SOG膜に対するイオン注入を通じて、カラーフィルタ8各々の感度差を補償し得るようにその高さが調整される。 - 特許庁
The SOG layer 8 allows a part formed on the wiring 3 in the SiOC film 7 to be exposed and has a surface flush with that of the exposed SiOC film 7.例文帳に追加
SOG層8は、SiOC膜7における配線3上に形成された部分を露出させ、その露出したSiOC膜7の表面と面一をなす表面を有している。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a ground insulating film 4 including on the surface first and second parts 16, 17 each having different height; lower layer wirings 11, 12 formed on the ground insulating film 4; and a first insulating film 6, an organic SOG film 7, and a second insulating film 8 formed sequentially on the lower layer wirings 11, 12, and the ground insulating film 4.例文帳に追加
表面に高さが異なる第1および第2の部分16,17を有する下地絶縁膜4と、下地絶縁膜4に形成された下層配線11,12と、下層配線11,12および下地絶縁膜4上に順次形成された第1絶縁膜6、有機SOG膜7および第2絶縁膜8とを備える。 - 特許庁
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