意味 | 例文 (17件) |
sog-10とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「sog-10」の意味 |
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sog-10
worm | 遺伝子名 | sog-10 |
同義語(エイリアス) | ||
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | WormBase:WBGene00004943 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「sog-10」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
As the solidified SOG 8a is etched, the etching liquid 10 enters depths of the trenches.例文帳に追加
固化したSOG8aがエッチングされるにつれてエッチング液10がトレンチの奥へ侵入する。 - 特許庁
Etching liquid 10 is brought into contact with a surface of the solidified SOG 8a.例文帳に追加
次に、固化したSOG8aの表面にエッチング液10を接触させる。 - 特許庁
A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration.例文帳に追加
拡散防止膜パターン12の形成された半導体基板10上にimpurityが含まれたSOG膜を形成した後で、impurityが含まれたSOG膜に追加的にプラズマイオン注入法でimpurityイオンを注入してimpurity濃度を高める。 - 特許庁
An interlayer insulating film 15 containing a SOG (Spin On Glass) film 13 is formed on the surface of the semiconductor substrate 10 including the surfaces of the metallic layers 6.例文帳に追加
当該金属層6上を含めた半導体基板10の表面上にはSOG(Spin On Glass)膜13を含む層間絶縁膜15を形成する。 - 特許庁
A base material 11 consisting of SOG is successively formed on the substrate 10, and the plurality of carbon nanotubes 15 are retained by the formed base material 11.例文帳に追加
続いて、基板10の上に、SOGからなる母材11を形成し、形成した母材11により複数のカーボンナノチューブ15を保持する。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit device reduces the SOG amount exposed at a lateral wall of an opening 10 and the degassing amount from an SOG film by making the shape of the opening 10, into which plugs 11 constituting a part of the first guard ring GL1 and the second guard ring GL2 are embedded, into a hole pattern.例文帳に追加
第1のガードリングGL_1 、第2のガードリングGL_2 の一部を構成するプラグ11が埋め込まれる開口部10の形状を穴パターンとすることにより、開口部10の側壁に露出するSOG量を低減して、SOG膜からの脱ガス量を減少させる。 - 特許庁
The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加
単結晶シリコン基板10の主表面側に拡散抵抗配線15を形成し、シリコン窒化膜19aを形成した後に、単結晶シリコン基板10の主表面側を、SOG膜5を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁
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「sog-10」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
Thereby, the SOG solution layer 2 is changed into a diffraction pattern layer 12 having a rugged surface complementary to the rugged surface of the mother mold 1 and a composite material 10 made by adhering the diffraction pattern layer 12 onto the substrate 3 is provided.例文帳に追加
これにより該SOG溶液層2が該母型1の凹凸面と相補的な凹凸面を有する回折パターン層12へと変化するとともに、該回折パターン層12が該基板3に固着した複合体10を得る。 - 特許庁
After connection hole wirings 10 are buried in the contact holes, a modified SOG film 11 and an upper metal wiring layer 12 are formed using the damascene method.例文帳に追加
コンタクトホール9a,9b内に接続孔配線10を埋め込んだ後、ダマシン法を用いて、改質SOG膜11及び上層金属配線12を形成する。 - 特許庁
After a diffused resistance wiring 15 is formed on a main surface side of a single crystal silicon substrate 10 and a silicon nitride film 19a is formed, the main surface side of the single crystal silicon substrate 10 is planarized by coating an SOG film by rotating the substrate 10.例文帳に追加
単結晶シリコン基板10の主表面側に拡散抵抗配線15を形成し、シリコン窒化膜19aを形成した後に、単結晶シリコン基板10の主表面側を、SOG膜5を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁
After an intermediate metal 10 is formed on a 1st wire 2 and an inter-layer insulating film is formed of a 2nd insulating film 3, standing SOG and a 3rd insulating film 5, the film is flattened by CMP until the intermediate metal 10 is exposed, and a 2nd wire 11 is formed on the intermediate metal 10.例文帳に追加
第1の配線2上に中間メタル10を形成し、第2の絶縁膜3、SOG溜まり4および第3の絶縁膜5からなる層間絶縁膜を形成後、中間メタル10が露出するまで、CMPにより平坦化を行い、中間メタル10上に第2の配線11を形成する。 - 特許庁
Furthermore, since the dimension adjusting layer 10 protects the surface of the nano-column 6, uniformity of embedding causing the problem in surface protection by burying an SOG will not causes problems, and the surface protection excelling in controllability and reproducibility can be realized.例文帳に追加
また、径調整層10はナノコラム6の表面を保護するので、SOGの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。 - 特許庁
Since the very low refractive index porous SOG film has the dispersion of the film thickness of not more than 2 μm and film thickness within a ±10 Å range, it can be used as an intermediate layer between the transparent substrate of the display window material which is adjusted to the request level for practical use, and a transparent electrode.例文帳に追加
この超低屈折率多孔質SOG膜は、2μm以下の膜厚と±10Å範囲内の膜厚の散布度とを有して構成できるので、実用化のための要求水準に合致したディスプレイ用窓材の透明基板と透明電極との間の中間層として用いることができる。 - 特許庁
Then, by removing the SOG film 26 formed on the upper surface of the drive circuit part 60 by etch-back, a level difference between the upper surface of the drive circuit part 60 and the insulating substrate 10 is mitigated, and the disconnection of the wiring layer 30 near the bottom part of the drive circuit part 60 is prevented.例文帳に追加
そして、さらに駆動回路部60の上面に形成されたSOG膜26をエッチバックすることによって除去することによって駆動回路部60の上面と絶縁性基板10との間の段差を緩和し、駆動回路部60の底部近傍で配線層30が断線することを防止する。 - 特許庁
A substrate W where solution containing a silica compound is applied is accommodated into an aging chamber 10, and the mixed gas of ammonia and nitrogen gases and vapor is supplied from a vaporizer 30 to the aging chamber 10 for advancing the crosslinking reaction of the silica compound, thus forming the SOG film on the substrate W.例文帳に追加
シリカ化合物を含む溶液を塗布した基板Wをエージングチャンバ10に収容し、そのエージングチャンバ10にベーパライザ30からアンモニアガスと窒素ガスと水蒸気との混合ガスを供給することによってシリカ化合物の架橋反応を進行させ、基板W上にSOG膜を成膜する。 - 特許庁
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