rpnとは 意味・読み方・使い方

rpn (Class Rpn) Specifies that the rpn mode should be used.例文帳に追加

rpn (Class Rpn)このオプションを指定すると、rpn モードが使用される。 - XFree86

The correction part 10B of the system calculates RPN for each component and calculates RPN weight further by using an FMEA method.例文帳に追加

システムの補正部１０Ｂは、ＦＭＥＡ手法を使用して、構成要素（部品）毎のＲＰＮを算出し、さらにＲＰＮウエートを算出する。 - 特許庁

This option indicatesthat Reverse Polish Notation should be used.発音を聞く 例文帳に追加

\\-rpnこのオプションを指定すると逆ポーランド記法が使われる。 - XFree86

Nitriding can be selectively carried out by rapid thermal nitridation (RTN), furnace nitriding, remote plasma nitriding (RPN), decoupled plasma nitriding (DPN), and wale implantation or polysilicon implantation, or by various techniques, including combinations of these methods.例文帳に追加

窒化は、急速熱窒化（ＲＴＮ）、炉窒化、リモート・プラズマ窒化（ＲＰＮ）、デカップルド・プラズマ窒化（ＤＰＮ）、ウェル注入またはポリシリコン注入、あるいはこれらの組合せを含むさまざまな技法によって選択的に実施することができる。 - 特許庁

An initial purging ratio PRI in starting the introduction of negative pressure is not a fixed value, and is variably determined by subtracting or adding an adjustable value (A×B) calculated on the basis of a fuel component density or the like of the purging gas to a purging ratio RPN in the normal mode.例文帳に追加

負圧導入開始時の初期パージ率ＰＲＩは、固定された値ではなく、通常モード時でのパージ率ＰＲＮに対してパージガスの燃料成分濃度等に基づいて算出された加減量（Ａ×Ｂ）を減算又は加算することにより可変設定される。 - 特許庁

The correction part 10B calculates the correction value of the quality characteristic importance degree especially including the element of the reliability by combining the calculated RPN weight and the quality characteristic importance degree (component characteristic weight) calculated by the importance degree calculation part 10A.例文帳に追加

補正部１０Ｂは、算出したＲＰＮウエートと、重要度算出部１０Ａにより算出された品質特性重要度（部品特性ウエート）とを合成することにより、特に信頼性の要素を含む品質特性重要度の補正値を算出する。 - 特許庁

In the pretreatment process, RPH (Remote Plasma Hydrogenation) treatment for supplying hydrogen radical onto a substrate is performed (202), RPN (Remote Plasma Nitriding) treatment for supplying nitrogen radical onto the substrate is performed (203), and then RPO (Remote Plasma Oxidation) treatment for supplying oxygen radical onto the substrate is performed (204) in the middle of substrate temperature increment for increasing a substrate temperature to a depositing one.例文帳に追加

前処理工程は、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温の途中で、水素ラジカルを基板上に供給するＲＰＨ（リモートプラズマ水素化）処理を行い（２０２）、その後、窒素ラジカルを基板上に供給するＲＰＮ（リモートプラズマ窒化）処理を行い（２０３）、その後、酸素ラジカルを基板上に供給するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行う（２０４）。 - 特許庁