p-n接合の英語
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英訳・英語 p‐n junction; PN junction; p-n junction
「p-n接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
a semiconductor that consists of a p-n junction発音を聞く 例文帳に追加
P−N接合の半導体 - 日本語WordNet
a p-n junction has marked rectifying characteristics発音を聞く 例文帳に追加
p-n接合は整流特性の特徴がある - 日本語WordNet
of electronics, a laser that uses a specific p-n junction of a semiconductor発音を聞く 例文帳に追加
半導体のp-n接合の特性を利用したレーザー - EDR日英対訳辞書
By the amendment, "diode" before amendment is amended to "an equivalent diode shorted between a transistor base and collector." Herein, "diode" specifically includes both the p-n junction diodes shown in Fig. 1 and the equivalent diode shown in Fig. 2.発音を聞く 例文帳に追加
補正により、補正前の「ダイオード」が「トランジスタのベースとコレクタを短絡した等価ダイオード」となった。ここで「ダイオード」とは、図に示されるp-n接合ダイオードと図に示される等価ダイオードの両者を具体的に含むものである。 - 特許庁
A photoelectric conversion element having an ideal p/n junction interface profile, i.e., graded-junction structure, can be manufactured by employing such a micelle electrolysis method.例文帳に追加
このようなミセル電解法を採用することによって、理想的なp/n接合界面プロファイル、すなわち、傾斜接合の構造を有する光電変換素子を製造できる。 - 特許庁
To faithfully simulate a reverse recovery current of a semiconductor element having a p-n junction part in accordance with an actual physical condition (that is, an actual operation environment) of the semiconductor element.例文帳に追加
p-n接合部を有する半導体素子の逆回復電流を、忠実に、当該半導体素子の実際の物理条件(即ち実際の動作環境)に即してシミュレーションすること。 - 特許庁
Then, the value of the variable resistor R1 (4) is transiently changed in accordance with the charge amount of stored minority carriers of the p-n junction, and thereby the waveform of the reverse recovery current can be obtained from this simulation circuit.例文帳に追加
この時、可変抵抗R1(4)の値を、p-n接合の蓄積少数キャリアの電荷量に従って過渡的に変化させることで、この模擬回路からは逆回復電流の波形を得ることができる。 - 特許庁
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日本語WordNet(英和)での「p-n接合」の英訳 |
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p-n接合
(the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor)
a p-n junction has marked rectifying characteristics p-n接合は整流特性の特徴がある |
pn接合
「p-n接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
The near field image of semiconductor laser has an elliptical shape that the direction along the p-n joint of the semiconductor laser becomes the major axis of an ellipse and the shape of the core is formed so that the ellipse becomes a similar figure to the near visual field image at the incident end face of the multi-mode optical fiber.例文帳に追加
半導体レーザの近視野像は半導体レーザのp-n接合に沿う方向が楕円の長軸となる楕円形状をしているので、この近視野像と相似形となるように、多モード光ファイバの入射端面におけるコアの形状が形成されている。 - 特許庁
The photodiode also comprises a region (4) which extends transversely relative to the planes of the layers, where the region (4) is in contact with the collection layer (2) and the confinement layer (3) and has a conductivity type opposite to the first conductivity type so as to form a p-n junction with the stack.例文帳に追加
そのフォトダイオードは、前記層の面に対して横断して延在する領域(4)も含み、前記領域はコレクション層(2)と閉じ込め層(3)に接触し、前記スタックとp-n接合を形成するために前記第1導電型と反対の導電型を有する。 - 特許庁
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