nitrizationとは 意味・読み方・使い方

An SiON film is used as a base insulation film for plasma nitrization.例文帳に追加

プラズマ窒化を行うベース絶縁膜としてＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

A passive film containing a nitrization-modified layer without chromium nitride (CrN) being present therein is generated on a surface of austenitic stainless steel.例文帳に追加

オーステナイト系ステンレス鋼の表面にクロム窒化物（CrN）の存在しない窒化改質層を含む不動態被膜を生成する。 - 特許庁

After the lower electrode is formed, especially, a nitrization treatment of a surface of the HSG film is conducted by a low-temperature nitrogen plasma which does not incur degradation of the properties (105).例文帳に追加

下部電極形成後、特にＨＳＧ膜の表面の窒化処理を、特性劣化を招かない低温の窒素プラズマで行う（１０５）。 - 特許庁

The base SiON film is formed through thermal oxidization/nitrization of a Si substrate or deposition of an oxidized/nitided film on the Si substrate, and then oxidization step (plasma oxidization or O_2 oxidization) is followed by plasma nitirization.例文帳に追加

このベースＳｉＯＮ膜は、Ｓｉ基板の熱酸窒化もしくはＳｉ基板上の酸窒化膜の堆積により形成し、その後、酸化工程（プラズマ酸化、もしくはＯ_2酸化）を行い、引き続きプラズマ窒化を行う。 - 特許庁

To improve a nitrization treatment applied to a surface between a lower electrode and a Ta_2O_5 film, and to improve the properties of a Ta_2O_5 capacity film of a semiconductor device, and to improve the properties of the semiconductor device.例文帳に追加

下部電極とＴａ_2Ｏ_5膜との界面に施す窒化処理を改善して、半導体デバイスのＴａ_2Ｏ_5容量膜の特性、および半導体デバイスの特性を向上する。 - 特許庁

A device separation area 2 is formed on the surface portion of a silicon substrate 1, a silicon oxide film 3 is formed on the surface of the substrate, and the surface of the silicon oxide film 3 is modified by plasma nitrization to be a nitride layer 4.例文帳に追加

シリコン基板１表面部に素子分離領域２を形成し基板表面にシリコン酸化膜３を形成し、プラズマ窒化法でシリコン酸化膜３表面を改質し窒化層４とする。 - 特許庁

Reliability improvement of the gate insulating film and the threshold control of the MOS transistor are performed in a single step, by utilizing a change in fixed charges caused by the nitrization of the gate insulating film for controlling the threshold of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ゲート絶縁膜への窒化処理による固定電荷の変動を利用する事により、ゲート絶縁膜の信頼性向上と、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁