nbnとは 意味・読み方・使い方

The invention includes use of neublastin (NBN) polypeptides.例文帳に追加

ニューブラスチン（ＮＢＮ）ポリペプチドの使用を包含する。 - 特許庁

The present treatments involve the use of neublastin (NBN) polypeptides.例文帳に追加

本発明の処置は、ニューブラスチン（ＮＢＮ）ポリペプチドの使用を包含する。 - 特許庁

To provide an electrode structure when a focusing-type field emission cathode (FEC) is manufactured without using NbN metal.例文帳に追加

ＮｂＮ金属を使用しないで集束型ＦＥＣを製造する際の電極構造を提供すること。 - 特許庁

To achieve ohmic contact between an NbN superconductive electrode layer and a two-dimensional electron gas by inserting an In-Sn layer between the NbN superconductive electrode layer and a GaAs layer for heat treatment in a semiconductor coupled superconductive device having two NbN superconductive electrode layers that becomes the GaA layer for forming the two-dimensional electron gas and the source and drain electrode layer of a superconductive current.例文帳に追加

二次元電子ガスを形成するＧaＡ層と超伝導電流のソース及びドレイン電極層となる二つのＮbＮ超伝導電極層を有する半導体結合超伝導素子において、ＮbＮ超伝導電極層とＧaＡs層との層間にＩn−Ｓn層を挿入し熱処理することにより、ＮbＮ超伝導電極層と二次元電子ガスとのオーミック接触を実現させるものである。 - 特許庁

For shrinkage, the intersection coordinates K(NB1) between the sewing line to the sewing number NBn and a conversion outline 106B are converted from the sewing number M adjacent to the sewing number NBn of the needle location point on a contact outline 107B between a lacking overlapped portion 105B and a partial embroidery region BB into sewing number NBn for an addition adjustment.例文帳に追加

縮小の際は、不足する重合部分１０５Ｂと部分刺繍領域ＢＢとが接する外形線１０７Ｂ上にある針落ち点の縫製番号ＮＢｎと隣接する縫製番号Ｍから、縫製番号ＮＢｎへの縫製ラインが、変換外形線１０６Ｂと交差する交点座標Ｋ（ＮＢ１）を縫製番号ＮＢｎと変換して追加調整する。 - 特許庁

In the solid electrolytic capacitor, the composition ratio X of the niobium powder (NbN_X) is preferably 0.05-1.0.例文帳に追加

この固体電解コンデンサでは、二オブ粉末（ＮｂＮ_x）の組成比Ｘが０．０５以上１．０以下であることが好ましい。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of: forming a multilayer structure object consisting of NbN/MgO/NbN-SIS bonding on an MgO temporary substrate; forming SiO_2 on the multilayer structure object as a substrate; and forming the thin film device by removing the MgO temporary substrate by etching.例文帳に追加

ＭｇＯ仮基板上にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ−ＳＩＳ接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてＳｉＯ_2を形成し、ついでエッチングにより前記ＭｇＯ仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。 - 特許庁