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nanowhiskersとは 意味・読み方・使い方
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「nanowhiskers」を含む例文一覧
該当件数 : 6件
To produce fullerene nanowhiskers in an extremely shorter time than heretofore and to continuously produce the fullerene nanowhiskers; and to perform control of the uniformity, the number and the length of fullerene nanowhiskers, that has been difficult heretofore.例文帳に追加
フラーレンナノウィスカーを、従来より、大幅に、短時間での連続製造し、また従来困難であった、均一性、フラーレンナノウィスカーの本数、長さの制御を実現する。 - 特許庁
According to this method, the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers recrystallize into zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having spiniform branches, and a boron nitride film grows on their surfaces.例文帳に追加
硫化亜鉛双晶ナノウィスカーが再結晶化して、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーになると共に、この表面に窒化ホウ素膜が成長する。 - 特許庁
The boron nitride film is a crystalline boron nitride film grown in a crystal orientation in which a specified crystal face of the crystalline boron nitride is parallel with the surfaces of the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having the spiniform branches.例文帳に追加
この窒化ホウ素膜は結晶性窒化ホウ素膜であり、結晶性窒化ホウ素の特定の結晶面が、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーの表面に平行に結晶配向して成長する。 - 特許庁
To provide a nanowhisker composing an optelectronic device, solar cell, photodetector or the like, and to provide a method of manufacturing the same by a plurality of nanowhiskers which comprise group III-V semiconductor materials and of which a width is controlled.例文帳に追加
光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−V族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。 - 特許庁
A zinc sulfide nanostructure coated with boron nitride is formed by heating zinc sulfide twin crystal nanowhiskers in the presence of a vapor of a compound comprising boron, nitrogen, and oxygen in an atmosphere of a mixed gas of a nitrogen gas and an ammonia gas.例文帳に追加
窒素ガスとアンモニアガスの混合ガス雰囲気中で、ホウ素と窒素と酸素とからなる化合物の蒸気の存在の下に、硫化亜鉛双晶ナノウィスカーを加熱することによって窒化ホウ素で被覆された硫化亜鉛ナノ構造物を形成する。 - 特許庁
At least two or more interfaces are formed by a solution containing a first solvent in which carbon fullerenes are dissolved in a saturated state and a second solvent having lower solubility to the fullerenes than that of the first solvent, and then a two-layer separation state is formed at each interface to deposit the fullerene nanowhiskers.例文帳に追加
炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第1溶媒を含む溶液と、前記第1溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第2溶媒で、少なくとも2以上の界面を作り、それぞれの界面において2層分離状態を形成してフラーレンナノウィスカーを析出する。 - 特許庁
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