n型半導体の英語

An n type semiconductor diamond having more excellent characteristics can be produced by maintaining a substrate temperature at ≥800°C.例文帳に追加

また基板温度を８００℃以上に保持することでさらに特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が可能になる。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The photodiode may also have an n-type semiconductor material which is formed adjacent to a second surface of the first region which is highly doped.例文帳に追加

当該フォトダイオードはまた、前記第1領域の第2面に隣接して形成される高濃度ドーピングされたn型半導体材料をも有して良い。 - 特許庁

A separation groove 17 is formed between adjacent light receiving element by partially removing respective layers 11, 12.例文帳に追加

これら複数の受光素子間には、前記p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層を部分的に除去した分離溝17が形成される。 - 特許庁

The light emitting diode includes an n-type semiconductor layer formed on the front surface of a rectangular sapphire substrate in such a manner that the n-type semiconductor layer has a plurality of rectangular first regions and a second region formed and crossed between the first regions to divide the first regions.例文帳に追加

上記発光ダイオードにおいて、長方形サファイア基板の表面にn型半導体層が形成され、上記n型半導体層は複数の長方形の第1領域と該第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁

A Schottky electrode 53 is formed in an exposure range on a top surface side including side surfaces 6 of the grooves 2 to form a Schottky junction J2 with the n-type semiconductor region 30.例文帳に追加

ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。 - 特許庁