P-500とは 意味・読み方・使い方

The p-type thick film CdTe layer (100 to 500 mm) made as a radiation detector is grown by introducing a minute amount of n-type impurity at a growing temperature of 400°C or above.例文帳に追加

放射線検出部とするｐ型厚膜CdTe層（100〜500mm）の形成を、成長温度400℃以上で微量のn型不純物を導入しながら成長する。 - 特許庁

Further, the element termination region 200 is terminated by a p-type low-impurity concentration layer 500 at a predetermined distance from the trench 700.例文帳に追加

さらに、素子終端領域２００は、トレンチ７００と所定距離を隔てたｐ−型低不純物濃度層５００で終端されている。 - 特許庁

The liquid crystal display panel 500 includes a plurality of pixel circuits P disposed corresponding to the crossings of scanning lines 30 and data lines 31.例文帳に追加

液晶表示装置５００は、走査線３０とデータ線３１との交差に対応して設けられた複数の画素回路Ｐとを備える。 - 特許庁

The n-type clad layer 21 has a thickness Dn of 2 μm or more, and the p-type clad layer 23 has a thickness Dp of 500 nm or more.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 - 特許庁

This dielectric multi-layer film mirror 5 is constituted such that it transmits light with a wavelength of less than 500 nm in both P and S waves and that it reflects light with a wavelength of 500 nm or above.例文帳に追加

この誘電体多層膜ミラー５は、Ｐ波、Ｓ波ともに波長５００ｎｍ以下の光を透過し、波長５００ｎｍ以上の光を反射するように構成する。 - 特許庁

When a lock control section 500 detects that the P range is non-selected while a charging cable is connected for charging an electric storage device from outside, the lock control section 500 generates a lock instruction signal dLCK to a motor control section 530.例文帳に追加

ロック制御部５００は、蓄電装置の外部充電のための充電ケーブルの接続中にＰレンジが非選択とされたことを検知すると、モータ制御部５３０に対してロック指示信号ｄＬＣＫを発生する。 - 特許庁

When a mouse pointer P is away from a dialog 500 (1), help information about the entire dialog 500 is displayed; as the mouse pointer P slightly approaches, e.g., a large icon C (2), help information about the large icon C is displayed.例文帳に追加

マウスポインタＰがダイアログ５００から遠く離れている場合は（１）、ダイアログ５００の全体に関するヘルプ情報が表示され、マウスポインタＰが例えば大きいアイコンＣに少し近づくと（２）、その大きいアイコンＣに関するヘルプ情報が表示される。 - 特許庁

This semiconductor laser element 500 is composed by successively laminating a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-contact layer 4, an n-crack prevention layer 5, an n-clad layer 6, a light emitting layer 7, a p-clad layer 8 and a p-first contact layer 9a on a sapphire substrate 1 whose thickness t1 is 500 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子５００は、厚さｔ_1 が５００μｍのサファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−コンタクト層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−クラッド層６、発光層７、ｐ−クラッド層８およびｐ−第１コンタクト層９ａが順に積層されてなる。 - 特許庁