OEICとは 意味・読み方・使い方

..., but the device density of the resulting optoelectronic integrated circuit (OEIC) is very low and many of the advantages of using optics are lost.発音を聞く 例文帳に追加

...だが、できた光電子集積回路（OEIC）の装置密度は大変低く、光学を利用する利点の多くは失われる。 - コンピューター用語辞典

To solve a problem that sufficient coupling efficiency to an optical device such as a hybrid optical element integrated with an electronic component and an optical component such as an OEIC is not obtained in a conventional optical fiber with a lens.例文帳に追加

従来のレンズ付き光ファイバでは、OEICといった電子部品と光部品が融合したハイブリッド光学素子等の光学デバイスに対して十分な結合効率が得られていない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be fabricated inexpensively while having a monolithic OEIC structure and exhibits a good signal transmission efficiency.例文帳に追加

モノリシックのＯＥＩＣ構造を有して安価に製造でき、信号伝送効率が良好な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In OEIC where the transistor and a light receiving element are loaded together on the same semiconductor substrate, an n-type epitaxial layer 20 is selectively formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

同一の半導体基板上にトランジスタと受光素子が混載されたＯＥＩＣにおいて、シリコン基板１上に選択的にｎ型エピタキシャル層２０を形成する。 - 特許庁

To provide a simple and low power consumption photodetector (OEIC) capable of obtaining a desired combination of received optical signals by freely switching the connection of the light receiving parts of a plurality of dividing lihght receiving devices.例文帳に追加

複数の分割受光器の受光部間の接続を自由に切り換え、所望の組合せの受光信号を得ることが可能で、簡便で低消費電力の光検出装置（ＯＥＩＣ）を提供する。 - 特許庁

Moreover, the peak is detected with the amplifier band expanded (BW: 500 MHz) by making it in an OEIC(optical IC) and using a high-frequency transistor (high in RF hfe at a small current with small input capacitance) for the transistor Q in the peak detector 200.例文帳に追加

また、ＯＥＩＣ（光ＩＣ）化によるアンプ帯域の拡大（ＢＷ：５００ＭＨｚ）を図り、ピーク検出部２００のトランジスタＱ１に高周波トランジスタ（小電流時の高周波ｈｆｅが高く、入力容量が小さいトランジスタ）を用いてピーク検出を行なう。 - 特許庁

Since film thickness of an epitaxial layer is realized which is optimum for high performance of a vertical pnp transistor 3 and the photodiode 4, a structure for showing improvement of characteristics of respective elements to the maximum is realized and the characteristic can be improved as OEIC.例文帳に追加

これにより、バーティカルＰＮＰトランジスタ３及びフォトダイオード４の高性能化に最適なエピタキシャル層の膜厚が実現できるため、各素子の特性向上を最大限に発揮するような構造が可能となり、ＯＥＩＣとして特性向上が図れる。 - 特許庁