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IGFETとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 絶縁ゲート電界効果トランジスタ
「IGFET」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
Thus, the main IGFET (11) is protected from the reverse voltage.例文帳に追加
これにより、主IGFET(11)が逆方向電圧から保護される。 - 特許庁
The gate width W2 of the IGFET 100 is set to about a half (about 0.5 μm) that of a conventional IGFET 500.例文帳に追加
ゲート幅W2は、上記従来のIGFET500の0.5倍程度(約0.5μm)となっている。 - 特許庁
The protecting switch means (12) is connected between a drain of the main IGFET (11) and a gate electrode G.例文帳に追加
保護スイッチ手段(12)は主IGFET(11)のドレイン電極Dとゲート電極Gとの間に接続されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of realizing the microfabrication of an IGFET as well as the increase of operating speed of the IGFET.例文帳に追加
IGFETの微細化を実現することができ、かつIGFETの動作速度の高速化を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
The protecting switch control means (13) turns on the protecting switch means (12) when a reverse voltage is applied to the main IGFET (11).例文帳に追加
保護スイッチ制御手段(13)は、主IGFET(11)に逆方向電圧が印加された時に保護スイッチ手段(12)をオンにする。 - 特許庁
A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加
IGFETの半導体基体は、N^+型の第1のドレイン領域34とN^-型の第2のドレイン領域35とP型の第1のボデイ領域36とP^-型の第2のボデイ領域37とN型の第1のソース領域38とN^+型の第2のソース領域39とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ31を有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with an IGFET whose standby power consumption is reduced and by which resistance value of a connection between main electrode semiconductor regions and wiring is reduced, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
スタンバイ状態の消費電力を減少し、主電極半導体領域と配線との接続部分の抵抗値を減少することができるIGFETを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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「IGFET」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
To provide a field-effect semiconductor device and a method for manufacturing thereof, capable of responding to a high breakdown voltage of an IGFET which can be turned off when a reverse voltage is applied.例文帳に追加
逆方向電圧が印加された時にオフ状態にすることができるIGFETの高耐圧化に応えることができる電界効果半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The switching device (10) includes: a main IGFET (11) incorporating a Schottky diode D3 for blocking a reverse current; a protecting switch means (12); and a protecting switch control means (13).例文帳に追加
スイッチング装置(10)は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードD3を内蔵する主IGFET(11)と、保護スイッチ手段(12)と、保護スイッチ制御手段(13)とを有する。 - 特許庁
As shown in Fig. 1 (a), an IGFET 100 is constituted by using an SOI substrate and is provided with a semiconductor layer 1, an embedded insulating film 2, and another semiconductor layer 3 constituting an active region.例文帳に追加
図1(a)および(b)に示すように、IGFET100は、SOI基板を用いて構成され、半導体層1と、埋め込み絶縁膜2と、活性領域を構成する半導体層3とを備えている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, such as insulation gate type field effect transistor (IGFET) of high integration, in which damage are prevented even in micro-patterning.例文帳に追加
高集積度の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(IGFET)を含む半導体装置の製造方法に関し、微細パターンの加工においても、半導体装置の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damages to a gate insulating film even during a fine pattern process with respect to the manufacturing technology of an insulating gate field effect transistor (IGFET) using plasma.例文帳に追加
プラズマを用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(IGFET)の製造技術に関し、微細パターンの加工においてもゲート絶縁膜の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁
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