C-Siとは 意味・読み方・使い方

Further, ferrite fraction Vf (area%) in a microstructure satisfies inequality 1.05 Vfe1≤Vf≤2.0 Vfe1 in relation with ferrite fraction Vfe1 specified by equation Vfe1=106.7-142.6[C]-0.256[Si]-4.219[Mn]例文帳に追加

Vfe_1＝106.7−142.6[C]−0.256[Si]−4.219[Mn] ……（１） 但し、[C]，[Si]および[Mn]は、夫々Ｃ，ＳｉおよびＭｎの含有量（質量％）を意味する。 - 特許庁

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

The wire preferably contains ≤0.1% C, ≤1% Si, ≤1% Mn and 12 to 24% Cr.例文帳に追加

好ましくは、質量％でCを0.1%以下、Siを１%以下、Mnを１%以下、Crを12%以上24%以下含有する。 - 特許庁

Consequently, a bond between Si and C is broken, and Si and oxygen are bonded to each other and the film including Si and C is modified into an SiC film.例文帳に追加

これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。 - 特許庁

Thus the surface of the Si substrate 10, facing the etching system 102, is etched, and the thickness of the substrate 10 becomes smaller from its central part 10c (Fig. c).例文帳に追加

こうして、Si基板１０のエッチング系統１０２に面した側がエッチングされ、中央部付近１０ｃからSi基板１０は薄くなっていく(c)。 - 特許庁

As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.例文帳に追加

半金属としてはＣ，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ等が例示される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING C/Si/O COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

Ｃ／Ｓｉ／Ｏ複合材料の製造方法 - 特許庁

A porous dielectric film useful in a semiconductor industry is prepared by depositing an Si-O-C film using a precursor containing carbon and oxygen, and thereafter by decomposing an organic fragment captured inside by heating the Si-O-C film.例文帳に追加

半導体工業において有用な多孔誘電体膜が、炭素及び酸素を含む前駆体を使用してSi-O-C膜を蒸着し、その後Si-O-C膜を加熱して内部に捕獲された有機断片を分解することにより用意される。 - 特許庁