Bridgmanとは 意味・読み方・使い方

To provide a Bridgman type apparatus for manufacturing a block of a crystalline material such as silicon and germanium, which is capable of accurately adjusting heat removal by conduction.例文帳に追加

シリコン、ゲルマニウム等の結晶質材料のブロックを製造するための、伝導による熱除去を精密に調整可能なブリッジマン型の装置を提供する。 - 特許庁

To efficiently manufacture a high quality single crystal having a large crystal diameter and a long length in the growth of the single crystal by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

縦型ブリッジマン法による単結晶の結晶成長において、結晶径が大きく、かつ、結晶長が長い高品質の単結晶を、効率よく製造する。 - 特許庁

To provide a new method by which a good quality lithium tetraborate single crystal which is free from a light-scattering material and suitable as an optical element can be grown by a vertical bridgman method.例文帳に追加

光学素子用として好適な、光散乱体を含まない極めて良質な四ほう酸リチウム単結晶を、垂直ブリッジマン法により育成させることができる新規な方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a fluoride single crystal by a vertical Bridgman method, which can manufacture a large diameter single crystal suitable for an optical member of an aligner by suppressing polycrystallization during crystal growth.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法によるフッ化物単結晶の製造において、結晶成長途中の多結晶化を抑制し、露光装置の光学部材に適した大口径の単結晶を製造できる単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

A crucible 5 is arranged at an internal space 1a of a growing furnace and the lithium tetraborate single crystal is grown from a raw material (a) provided in the crucible 5 by the vertical bridgman method.例文帳に追加

育成炉の内部空間１ａにルツボ５を配置し、垂直ブリッジマン法により、ルツボ内の原料ａから四ほう酸リチウム単結晶を育成する。 - 特許庁

To grow a compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield by reducing dislocations generated in the vicinity of a seeding part without using a communicating fine tube in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。 - 特許庁

To inhibit dislocation due to thermal strain from being caused and to make a cooling rate high in a method for the production of compound semiconductor crystal using a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いた化合物半導体結晶の製造方法において、熱歪みによる転位発生の抑制と冷却速度の高速化を実現することを可能とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a crystal having a structure with which a high quality single crystal is stably obtained by a simple process, in a growth apparatus of a single crystal by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置において、簡便な方法で、高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。 - 特許庁