高速アニールの英語

次世代ウエハ熱処理工程として開発中のフラッシュランプアニール法（ＦＬＡ）やレーザーアニール法（ＬＡ）において処理されるシリコンウエハの表面温度を放射温度計測するための高温高速放射温度計用参照光源装置を提供することが可能である。例文帳に追加

As a result, the reference light source device for high temperature high-speed radiation thermometers can be provided, which performs radiation temperature measurement of the surface temperature of the silicon wafer processed by a flash lamp anneal method (FLA) under development as a next-generation wafer heat treatment process, and a laser anneal method (LA). - 特許庁

遷移金属シリサイドを用いて非晶質シリコン薄膜を結晶化させる方法において、非晶質シリコン薄膜の一部をシリコン基板に直接接触させるシード法や、より高温のアニール温度により高速に到達させる高温アニール法により、｛１００｝面に方位制御する。例文帳に追加

In a method of crystallizing an amorphous silicon thin film by the use of a transition metal silicide, the amorphous silicon thin film is oriented in the {100} plane through a seed method of bringing a part of the amorphous silicon thin film into contact with a silicon substrate or a high- temperature annealing method of making the amorphous silicon thin film reach a higher annealing temperature at a high speed. - 特許庁

高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する。例文帳に追加

To effectively form an amorphous thin film having a low impurity content on a substrate, without requiring high-speed annealing treatment or complicated cleaning treatment. - 特許庁

そして、高速熱アニール処理を施すことにより、結晶性ケイ素膜１０３中のニッケル１０４を第２の非晶質ケイ素膜へ向けて移動させる。例文帳に追加

A high-speed thermal annealing process is carried out, so that the nickel 104 in the crystalline silicon film 103 is moved toward the second amorphous silicon film. - 特許庁

その後、ケイ素膜１０３の—部に、選択的に５族Ｂから選ばれた元素リン１０８を導入し、高速熱アニール処理を行い、上記リン１０８が導入された領域に、上記触媒元素ニッケル１０４を移動させる。例文帳に追加

Next, an element phosphorus 108 selected from group V row B is selectivity introduced into the part of the silicon film 103, high speed heat anneal process is performed, and the catalyst element nickel 104 is moved to the region where the element phosphorus 108 is introduced. - 特許庁

超高速アニールプロセスにおける加熱応力によるウェハ破壊の頻度を抑圧することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the frequency of wafer destruction by heating stress in an ultra high-speed anneal process. - 特許庁

高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device efficiently forming on a substrate an amorphous thin film with little impurity content, without the need for a high-speed annealing process or a frequent cleaning treatment. - 特許庁

トランジスタ素子形成におけるゲート部形成後に行われる高速昇降アニール工程の安定化を図るための構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure for stabilizing a high-speed lifting-lowering annealing process after the formation of a gate in the formation of a transistor element, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device. - 特許庁