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電気的絶縁破壊の英語
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英訳・英語 electronic breakdown
「電気的絶縁破壊」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 54件
非破壊的方法により基板の表面上の絶縁層を介して電気的に基板を接地する。例文帳に追加
To electrically ground a substrate through an insulating layer on a surface of the substrate by nondestructive method. - 特許庁
１つの電気素子１０３が或る閾値以上の電気的ストレスを受けると絶縁状態から絶縁破壊状態に変化する。例文帳に追加
When an electric element 103 receives electric stress equal to a threshold or larger, the element is changed from an insulation state to a dielectric breakdown state. - 特許庁
電気的特性、耐熱性、滑り性に優れ、特に高い絶縁破壊電圧を有する高絶縁性フィルムを提供すること。例文帳に追加
To provide a high insulation film with excellent electric characteristics, heat resistance and slidability, particularly having high electrical breakdown voltage. - 特許庁
絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。例文帳に追加
To reduce the occurrence of electrostatic destructions in a wiring board having an insulating substrate, while controlling the temperature of the insulating substrate. - 特許庁
電気的特性、耐熱性、巻取り性に優れ、特に高い絶縁破壊電圧を有する高絶縁性フィルムを提供すること。例文帳に追加
To provide a highly insulating film having excellent electric characteristics, heat resistance and winding property, particularly high dielectric breakdown voltage. - 特許庁
保護回路を設けたりかつ集積回路に電気的ノイズをのせたりすること無く、ダミーパッドの帯電による絶縁破壊が発生しない半導体装置と半導体装置の絶縁破壊防止方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which can avoid dielectric breakdown caused by a charged dummy pad while eliminating the need of the provision of a protection circuit or avoiding the collection of electric noise to an integrated circuit, and also to provide a method of preventing the dielectric breakdown of the semiconductor device. - 特許庁
読出手段１０４が第１の電気的ストレスが電気素子に印加された後、第２の電気ストレスが電気素子に印加された場合に、電気素子が絶縁状態にあるか若しくは絶縁破壊状態にあるかを読み出す。例文帳に追加
When the second electric stress applied to the electric element after the first electric stress is applied to the electric element, a read means 104 reads whether or not the electric element is in the insulation state or in the dielectric breakdown state. - 特許庁
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「電気的絶縁破壊」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 54件
経時的絶縁膜破壊試験等のウェーハレベル信頼性試験において、長期にわたって良好な電気的接触を確保する手段の提供。例文帳に追加
To provide a means for ensuring improved electric contact over a long time in a wafer level reliability test, such as an aging breaking test of insulation films. - 特許庁
供給手段１０１が電気素子が絶縁状態を維持する確率と絶縁破壊状態になる確率とが同程度になる第１の電気的ストレス、又は、電気素子の絶縁状態を検出するための第２の電気的ストレスを電気素子に供給する。例文帳に追加
A supply means 101 supplies the electric element with first electric stress where probability for the electric element to maintain the insulation state is almost equal to probability for the element to enter the dielectric breakdown state or second electric stress for detecting the insulation state of the electric element. - 特許庁
静電気サージによる絶縁破壊を効果的に防止することができる入力回路を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device provided with an input circuit capable of effectively preventing dielectric breakdown caused by electrostatic surges. - 特許庁
コンデンサ素子の絶縁破壊が連続的に発生する異常状態において、コンデンサ素子を電気回路から安全に切り離す。例文帳に追加
To safely disconnect capacitor elements from an electrical circuit in an abnormal state where dielectric breakdowns are generated continuously. - 特許庁
前記破壊回路は、例えば、前記記憶回路を構成する回路素子の絶縁を電気的に破壊する昇圧電圧を、動作電源電圧の供給経路に出力可能な昇圧回路である。例文帳に追加
The breaking circuit is configured as a booster circuit capable of outputting a boosting voltage for electrically breaking the insulation of circuit elements configuring the storage circuits to the supply path of an operating power supply voltage. - 特許庁
ボンディング強度を確保しつつ、ボンディングに伴う層間絶縁膜の破壊や電極の破壊を防止することができ、電気的特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device capable of preventing breakage of an interlayer insulating film and breakage of an electrode due to bonding while securing bonding strength, and improving electrical characteristics, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁
ユニットセル１０２では、その大きなプラズマ受容量により、キャパシタ絶縁膜が電気的に破壊状態とされるのに対し、ユニットセル１０１では、その小さなプラズマ受容量により、キャパシタ絶縁膜は非破壊状態に保たれる。例文帳に追加
The unit cell 102 has a great plasma susceptible quantity enough to make a capacitor insulation film destructive, while the unit cell 101 has a small plasma susceptible quantity enough to keep the capacitor insulation film non-destructive. - 特許庁
これら２つの装置は、電気的に直列に接続されて、ガルバニック絶縁された単一の通信システムを与え、良好な信号結合との組み合わせで高い絶縁破壊電圧性能を示す。例文帳に追加
The two devices are electrically connected in series to provide a single galvanically-isolated communication system that exhibits high insulation breakdown voltage performance in combination with good signal coupling. - 特許庁
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electronic breakdown
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