電子エネルギー帯の英語

第２コレクタ層１０３は、第１コレクタ層１０２およびベース層１０４に接した状態で、ベース層１０４の伝導帯端のエネルギー準位よりも低く、第１コレクタ層１０２の伝導帯端よりも高い伝導帯端のエネルギー準位を有し、ベース層１０４の価電子帯端のエネルギー準位よりも低い価電子帯端のエネルギー準位を有したものとなっている。例文帳に追加

The second collector layer 103 has an energy level of a conduction band edge lower than that of the base layer 104 and higher than that of the first collector layer 102, and has an energy level of a valence band edge lower than that of the base layer 104, while contacting the first collector layer 102 and the base layer 104. - 特許庁

エネルギーフィルタを用いてエネルギーを弁別し、得られる電子収量の変化から試料電位の変動を測定し、電子線照射時に形成される帯電の時定数を抽出する。例文帳に追加

Energy is discriminated by using an energy filter, fluctuation of sample potential is measured from a change of obtained electron yield, and a time constant of charge formed in radiating an electron beam is extracted. - 特許庁

第２の誘電体膜２２ａは、そのバルクの電荷捕獲準位の、伝導帯もしくは価電子帯からのエネルギー差が、窒化珪素の当該エネルギー差より大きい誘電体材料（たとえば、酸化アルミニウム）からなる。例文帳に追加

The second dielectric film 22a is composed of a dielectric material (aluminum oxide, for example), having energy difference from the conduction band or from the valence band of the charge capture level of bulk thereof being greater than the relevant energy difference of silicon nitride. - 特許庁

活性層から電子がｐ型クラッド層へ出て行かないようにｐ型クラッド層での伝導帯エネルギーＥｃｐを、ｎ型クラッド層での伝導帯エネルギーＥｃｎより高くなるようにした（Ｅｃｐ＞Ｅｃｎ）。例文帳に追加

The conduction band energy Ecp in the p-type clad layer is set to be higher than the conduction band energy Ecn in the n-type clad layer (Ecp>Ecn) so that the electrons in the active layer do not go out to the clad layer. - 特許庁

それらの絶縁膜の隣接する層間の伝導帯端エネルギーと価電子帯端エネルギーの関係は、トンネル絶縁膜からブロック絶縁膜に向かって、次第に大きくなるか、または、次第に小さくなるかのいずれかである。例文帳に追加

Relation between conduction band-end energy and valence band-end energy between the adjacent layers of insulating films of the insulator layers either gradually becomes large or gradually becomes small from a tunnel insulating film toward a block insulating film. - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層１１，１３の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層１２を設けた。例文帳に追加

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector. - 特許庁

携帯型電子機器本体に外部から機械エネルギーが加わると、筐体６に設けられた圧電素子１はこの機械エネルギーを検知して電気信号に変換する。例文帳に追加

When mechanical energy is applied from the outside to the body of portable electronic equipment, a piezoelectric element 1, provided on a casing 6, detects this mechanical energy and converts it into an electrical signal. - 特許庁

電子線走査の振り戻し変更時、一次電子線のランディングエネルギーを変えることで、帯電の影響を除去または抑制する。例文帳に追加

The effect of the electrostatic charge is eliminated or suppressed by varying the landing energy of the primary electron beam at the time of exchange of swing back of electronic line scanning. - 特許庁