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電位障壁の英語
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英訳・英語 potential barrier
「電位障壁」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
半導体基板1S上に、第1電位障壁膜EB1と電荷蓄積膜ECと第2電位障壁膜EB2からなる積層絶縁膜を介してメモリゲート電極MGが形成されている。例文帳に追加
On a semiconductor substrate 1S, a memory gate electrode MG is formed via a laminate insulating film comprising a first potential barrier film EB1, a charge storage film EC, and a second potential barrier film EB2. - 特許庁
電位障壁層(PBL11)は、第1のフォトダイオードPD1とボディ領域10との間に形成された、より高濃度なp型半導体領域であり、ボディ領域10に対し電位障壁を形成する。例文帳に追加
A potential barrier layer (PBL 11) is configured as a p type semiconductor region with much higher concentration formed between the first photo-diode PD1 and the body region 10 to form a potential barrier against the body region 10. - 特許庁
これにより、逆方向バイアスにおいてはn^- 型エピ層2にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはn^- 型層3にて電位障壁を低くすることができる。例文帳に追加
Thus, in a reverse directed bias, the potential barrier can be made high in the n- type epitaxial layer 2, and in a forward directed bias, the potential barrier can be lowered in the n- type layer 3. - 特許庁
電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲート電極の電位障壁の温度変動を効果的に低減する。例文帳に追加
To effectively reduce temperature fluctuations in the potential barrier of a gate electrode in a field effect compound semiconductor device and its manufacturing method. - 特許庁
その結果、分離領域64とP-sub層80とに挟まれた位置のエピタキシャル層82には、電子に対する電位障壁が形成される。例文帳に追加
Consequently, a potential barrier against electrons is formed on the epitaxial layer 82 between the isolation region 64 and the P-sub layer 80. - 特許庁
キャリアストップ層は、キャリアオーバーフローによって活性層から上部クラッド層へ向かう電子に対する電位障壁として機能する。例文帳に追加
The carrier stop layer functions as a potential barrier with respect to an electron, going from an activating layer toward an upper clad layer by carrier overflow. - 特許庁
DC電位の勾配によって2つのガイド領域を仕切る径方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、イオンが誘導される。例文帳に追加
Ions are guided over a pseudo-potential barrier in a radial direction, which partitions a guide region into two regions by a gradient of DC potential. - 特許庁
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電位障壁
「電位障壁」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。例文帳に追加
Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device. - 特許庁
半導体基板内に、縦方向に積層された接続部21、電位障壁層22、電荷蓄積層23からなる縦型転送路50を形成する。例文帳に追加
A vertical transfer path 50 including a connection part 21, a potential barrier layer 22, and a charge storage layer 23 laminated in a vertical direction is formed in the semiconductor substrate 17. - 特許庁
該フォーワードバイアスがpn接合の固有電位障壁より小さな値となるように、mとnを設定する。例文帳に追加
So that the forward bias has a value smaller than an inherent potential barrier of pn junction, m and n are set. - 特許庁
メモリセル領域に形成されているメモリセルには、コントロールゲート電極CGの側壁に電位障壁膜EV1、電荷蓄積膜ECおよび電位障壁膜EV2を介して、サイドウォール形状のメモリゲート電極MGが形成されている。例文帳に追加
A memory cell formed in a memory cell region has a memory gate electrode MG formed in a side wall shape on a side wall of a control gate electrode CG with a potential barrier film EV1, a charge storage film EC, and a potential barrier film EV2 interposed. - 特許庁
信号電荷が飽和レベル以上に溜まろうとするときに、オーバーフローバリア領域OFB付近の電位が半導体領域EPCR_1,EPCR_2による電位の影響を受けて、障壁電位が変動しようとすることを抑制する。例文帳に追加
When signal charge is going to be accumulated more than a saturation level, potential around the overflow barrier area OFB is inhibited from being going to fluctuate by being affected by potential by the semiconductor areas EPCR_1 and EPCR_2. - 特許庁
光照射に適合した、少なくとも1つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加
To manufacture and process semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier adapted to light emission, and provide a method of manufacturing devices having a high breakdown voltage and a high current but low carrier density. - 特許庁
その結果、N^−型フォトダイオード不純物領域10からN^+型フローティングディフュージョン不純物領域9に転送される電荷が電位障壁や電位の窪みにおいてトラップされ難くなる。例文帳に追加
In result, the charges transferred from the N^- photodiode impurity zone 10 to the N^+ floating difusion impurity zone 9 are hardly trapped in the recess of the potential barrier. - 特許庁
オーバーフローバリア領域OFBの周囲に、センサ部11に蓄積された信号電荷量に依存する電位障壁の変動を抑制するための電位変動抑制半導体領域を形成する。例文帳に追加
A potential fluctuation inhibition semiconductor area for inhibiting a fluctuation in a potential barrier that depends upon a signal charge amount stored in a sensor part 11 is formed around an overflow barrier area OFB. - 特許庁
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