量子臨界性の英語

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser. - 特許庁

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。例文帳に追加

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation. - 特許庁

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness. - 特許庁