量子井戸励起子の英語

光励起または電流注入により量子井戸薄膜５に光が発生し、発生した光が円筒状のレーザ共振器の周上を走行し、ウィスパリング・ギャラリー・モードによる光共鳴状態が発生する。例文帳に追加

When optical stimulation or current injection is conducted, the quantum well thin film 5 generates light which travels over the circumference of the cyclindrical resonator, to generate light resonance state by whispering gallery mode. - 特許庁

そして、非磁性半導体量子井戸構造３にサブバンド間エネルギーに相当するサブバンド光を照射し、第２のサブバンド準位に励起した際に流れる電荷量から、フィルタリングされたキャリア量を定量する。例文帳に追加

The well structure 3 is irradiated with a subband light corresponding to energy between subbands, thereby determining the amount of filtered carrier, from the amount of charges flowing in the case of excitation to a second subband level. - 特許庁

超格子半導体発光素子に対して逆バイアス電圧を印加したときに、励起光を入射することによりキャリアを注入して、電子を量子井戸層２２のΓ準位から障壁層２１のＸ準位を介して次段の量子井戸層２２のΓ準位に遷移させかつ電子を正孔と再結合させて発光させる。例文帳に追加

At the time of impressing a reverse bias voltage to the super lattice semiconductor light emitting element, carriers are injected by making incident excitation lights, and electrons are moved from the Γ level of the quantum well layer 22 through the X level of the barrier layer 21 to the Γ level of the quantum well layer 22 in the next stage, and the electrons are recombined with holes so as to emit light. - 特許庁

半導体レーザ素子31からの８１０ｎｍの励起光36は、集光レンズにより面発光型半導体素子23に集光され、面発光型半導体素子23の光閉じ込め層14、16および多重量子井戸活性層15により効率よく吸収されて、波長約９８０ｎｍのレーザ光37が出力される。例文帳に追加

Excitation light 36 of 810 nm from the semiconductor laser element 31 is converged to the semiconductor element 23 by a converging lens and is effectively absorbed by light confinement layers 14, 16 and a multi-quantum well active layer 15 of the semiconductor element 23 and laser light 37 of wave-length of about 980 nm is output. - 特許庁

この超短パルス照射と同期して電圧パルス印加回路（１０）から、量子井戸の励起子振動のエネルギ差ΔＥが、コヒーレント縦光学フォノンの振動エネルギ（ＥＬＯ）と等しくなるように、サブバンドの正孔エネルギ準位（ＨＨ１，ＨＨ２）を調整する。例文帳に追加

Positive hole energy levels (HH1, HH2) of the subbands are adjusted by a voltage pulse applying circuit (10) synchronizing with the ultra short pulse irradiation, so that a difference (ΔE) of exciton oscillation energy of the multiple quantum well is equal to an oscillation energy (ELO) of coherent longitudinal optical phenons. - 特許庁

これら２つの層によって構成された導波路が、量子井戸によって放出された励起波と、パラメトリック変換波との間のパラメトリック蛍光の方法についてモード位相整合条件を有するような、これら２つの層の厚さ及び光屈折率である。例文帳に追加

Waveguides constituted of these two layers are of the thickness and the optical refractive indexes so as to have a modal phase matching condition related to a method of parametrical fluorescence between a pump wave emitted by the quantum well and a parametrical conversion wave. - 特許庁

量子井戸などの半導体微細構造内に閉じ込められた電子及び正孔からなる励起子の量子準位の演算において、荷電粒子間の多体相互作用効果が考慮された電子及び正孔のそれぞれの波動関数ψ_ｅ、ψ_ｈ、及びそのエネルギーＥ_ｅ、Ｅ_ｈを演算する（ステップＳ１０１）。例文帳に追加

In computing a quantum level of an exciton made up of an electron and a hole confined within a semiconductor microstructure such as a quantum well, respective wave functions ψ_e and ψ_h for an electron and hole about which a many-body mutual effect among charged-particles is taken into consideration, and their energy E_e and E_h are computed (Step S101). - 特許庁