重寄生の英語

重畳幅が広い映像信号線及び表示画素電極間の寄生容量と、重畳幅が狭い映像信号線及び表示画素電極間の寄生容量との差を低く抑えて表示品位を高めることのできるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an active matrix type liquid crystal display device which can be improved in display quality by suppressing small the difference between the parasitic capacitance between a video signal line and a display pixel electrode having wide overlap width and the parasitic capacitance between a video signal line and a display pixel electrode having narrow overlap width. - 特許庁

また、設計情報を利用して寄生容量等を求め、検査データもしくは良否の判定をするしきい値に対し重み付け演算をして検査する。例文帳に追加

For carrying out testing, parasitic capacitances are found using the design information, operations for weighting are performed on test data or thresholds for determining acceptance. - 特許庁

異極性同士の内部電極が重ならないように位置していることにより、積層コンデンサ１では、寄生容量Ｃｐの形成が抑制される。例文帳に追加

The internal electrodes having a different polarity are located in this way to prevent them from overlapping one another, thereby the occurrence of parasitic capacitance Cp is suppressed in the multilayer capacitor 1. - 特許庁

このようにすれば、上記ドレーン電極とゲート電極が重なりながら発生する寄生キャパシタンス値Ｃ_gsが小さくなるのでフリッカー（ｆｌｉｃｋｅｒ）が発生しない。例文帳に追加

Since a parasitic capacitance value C_gs generated while the drain electrode is overlapped with the gate electrode becomes small, flicker does not occur. - 特許庁

１−メチル−２−ニトロ−３−［（３−テトラヒドロフリル）メチル］グアニジン０．０１〜２重量％およびアニオン性界面活性剤１０〜７０重量％を含有することを特徴とするヒト寄生性シラミ駆除用シャンプー組成物及び該組成物をヒトに経皮投与することを特徴とするヒト寄生性シラミ駆除方法。例文帳に追加

The shampoo composition for exterminating human parasitic lice contains 0.01-2 wt.% of 1-methyl-2-nitro-3-[(3-tetrahydrofuryl) methyl]guanidine and 10-70 wt.% of an anionic surfactant; and a method for exterminating human parasitic lice comprises the skin administration of the above composition to a human body. - 特許庁

配線重畳部分に寄生容量低減用の層間絶縁膜ＯＩＬ１を新たに一層追加し、画素電極ＰＸ上に選択的に形成すると、液晶の駆動電圧上昇を招くことなく、配線重畳部分での寄生容量を低減でき、配線間の短絡防止が可能となる。例文帳に追加

At the wire overlap part, one inter-layer insulating film OIL1 for parasitic capacity reduction is newly added and selectively formed on the pixel electrode PX, and then the parasitic capacity at the wire overlap part is reducible without causing any rise in the driving voltage of the liquid crystal to prevent wires from short-circuiting to each other. - 特許庁

ソース／ドレイン領域下の寄生容量を顕著に低減した二重ゲート型電界効果トランジスタ（ＤＧＦＥＴ）構造体およびそれを形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual gate field-effect transistor (DGFET) structure, with a significantly reduced parasitic capacity in the source/drain region and its formation method. - 特許庁

また、位相補償コンデンサＣ１を分圧抵抗素子ＲＡ上のみに平面的に重ねて設けて、ノードＮ５と分圧抵抗素子ＲＡとの間のみに容量を寄生させる。例文帳に追加

In another case, the phase compensation capacitor C1 is flatly laid only on the voltage dividing resistors RA for the production of a parasitic capacitance only between the node N5 and the partial voltage resistors RA. - 特許庁