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酸化膜界面の英語
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「酸化膜界面」の部分一致の例文検索結果
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酸化膜/炭化珪素界面の作製法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING INTERFACE BETWEEN OXIDE FILM/ SILICON CARBIDE - 特許庁
第1の界面シリコン酸化膜105の膜厚と第2の界面シリコン酸化膜105の膜厚との差は0.2nm以下である。例文帳に追加
The difference in film thickness between the first interfacial silicon oxide film 105 and second interfacial silicon oxide film 105 is ≤0.2 nm. - 特許庁
酸化薄膜の界面構造とその形成方法、及び薄膜トランジスタ例文帳に追加
INTERFACE STRUCTURE OF OXIDE THIN FILM AND FORMING METHOD THEREFOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁
ゲート酸化膜やゲート酸化膜と半導体基板の界面にダメージを与えることなく、界面準位の低減を図る。例文帳に追加
To reduce an interface level without damaging a gate oxide film and an interface between the gate oxide film and a semiconductor substrate. - 特許庁
金属ゲート電極のゲート絶縁膜界面での酸化を抑制する。例文帳に追加
To control oxidization at the gate insulating film interface of a metal gate electrode. - 特許庁
炭化珪素酸化時の炭素の発生を抑制し、良好な炭化珪素/シリコン酸化膜界面を得る。例文帳に追加
To obtain an excellent silicon carbide/silicon oxide film interface by suppressing generation of carbon in silicon carbide oxidization. - 特許庁
金属酸化膜2の形成時に、シリコン基板1の表面を酸化させることにより、界面層3となるシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加
A silicon oxide film as an interface layer 3 is formed by oxidizing the surface of the silicon substrate 1, when the metallic oxide film 2 is formed. - 特許庁
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「酸化膜界面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 498件
低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。例文帳に追加
To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels. - 特許庁
界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density. - 特許庁
そのため形成される酸化膜とSiC界面をより理想的な状態にすることができ、酸化膜/SiC界面の界面準位が小さく、良好な絶縁膜を得ることができる。例文帳に追加
Thus, an interface between the formed oxide film, the SiC can be made in a more ideal state, and proper insulating film having a small interface level of the oxide film/SiC interface can be obtained. - 特許庁
第1のゲート絶縁膜8は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。例文帳に追加
The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer. - 特許庁
TiN膜と半導体基板100界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。例文帳に追加
A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film. - 特許庁
Ge基板と絶縁膜との界面に、良好なGe酸化膜を形成する。例文帳に追加
To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film. - 特許庁
半導体基板21上に形成されたゲート酸化膜23と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜25と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜27とを備える。例文帳に追加
The semiconductor element is provided with a gate oxide film 23 formed on a semiconductor substrate 21, a conductive film 25 formed at the upper part of the gate oxide film and a metal oxide film 27 formed at the boundary of the gate oxide film and the conductive film for the gate. - 特許庁
これにより、チャネル領域は、第2の酸化物半導体膜と接する第1の酸化物半導体膜の界面近傍(つまり、バンドギャップが小さい酸化物半導体膜の界面近傍)に形成される。例文帳に追加
Thus, a channel region is formed in the vicinity of the boundary of the first oxide semiconductor film that is in contact with the second oxide semiconductor film (that is, in the vicinity of the boundary of the oxide semiconductor film with a smaller band gap). - 特許庁
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