酸化ゲルマニウムの英語

本発明は金属ゲルマニウム及び／又は酸化ゲルマニウムにチタン化合物、ジルコニウム化合物の一種以上を混合し、加熱して出来た改質ゲルマニウムを再生繊維に担持することにより、ゲルマニウムの繊維からの脱落を紡糸できる。例文帳に追加

The drop out of germanium from fibers is inhibited by supporting a modified germanium on regenerated fibers, wherein the modified germanium is obtained by mixing germanium metal and/or a germanium oxide with one or more kind of titanium compounds, zirconium compounds and then heating. - 特許庁

インジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットにおいて、該ゲルマニウムの含有量をゲルマニウム量とインジウム量の合計量に対して２〜１２原子％の範囲とし、インジウム−ゲルマニウム複合酸化物相の平均結晶粒径を３０ミクロン以下とする。例文帳に追加

In an indium-germanium vapor depositing target, the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of germanium and indium, and the average crystal grain size of indium- germanium multiple oxide phases 1 is controlled to ≤30 micron. - 特許庁

ゲルマニウム基板上に誘電層を形成する場合のゲルマニウム基板の酸化を防止するためにゲルマニウム基板上にバリア層を堆積するステップ１３０を伴う。例文帳に追加

The methods involve depositing a barrier layer on the germanium substrate to prevent oxidation of the germanium substrate, when forming a dielectric layer on the germanium substrate (step 130). - 特許庁

酸化ゲルマニウム粉末とゲルマニウム粉末の混合物をグラファイト製坩堝に入れ、不活性ガスを流しながら加熱してゲルマニウムナノワイヤーを製造する。例文帳に追加

Germanium nanowires are produced by charging a mixture of a germanium oxide powder and a germanium powder in a graphite crucible and heating the mixture while making an inert gas flow. - 特許庁

これにより、酸化された上部を除くゲルマニウムを含む層の内部でゲルマニウム濃度が上昇し、ゲルマニウム濃度が高い層が半導体基板の内部に形成される。例文帳に追加

Due to this, the germanium concentration is increased inside the layer including germanium except for the oxidized top part and a layer with a high germanium concentration is formed inside the semiconductor substrate. - 特許庁

成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation. - 特許庁

そして、上記ゲルマニウムを含む層の上部を含み、当該半導体基板の表面から上記ゲルマニウムを含む層の上部までを酸化し、打ち込まれたゲルマニウム原子を表面から上記半導体基板内に押し込む。例文帳に追加

Then, the portion from the surface of the semiconductor substrate to the top part of the layer including germanium, including the top part of the layer including germanium is oxidized and the fired germanium atoms are pushed into the semiconductor substrate from the surface. - 特許庁

本発明の抗菌用組成物は、ゲルマニウムを主成分とするゲルマニウム粒子１２と、ゲルマニウム粒子１２の表面の少なくとも一部を覆う酸化ゲルマニウムを主成分とする酸化ゲルマニウム層１４と、ゲルマニウム粒子１２の表面の少なくとも一部及び／又は酸化ゲルマニウム層１４の少なくとも一部を覆う二酸化ケイ素を主成分とする二酸化ケイ素層１６とを備える複合粒子１０である。例文帳に追加

The antibacterial composition is a composite particle 10 including: a germanium particle 12 containing germanium as a main component; a germanium oxide layer 14 containing, as a main component, germanium oxide at least partially covering the surface of the germanium particle 12; and a silicon dioxide layer 16 containing, as a main component, silicon dioxide at least partially covering the surface of the germanium particle 12 and/or the germanium layer 14. - 特許庁