選択スパッタリングの英語

誘導結合ｒｆプラズマ支援マグネトロンスパッタリングによる銀−パラジウム合金からなる水素選択透過性膜を有することを特徴とする水素透過材料。例文帳に追加

The hydrogen-permeable material is characterized by having a membrane selectively permeable to hydrogen, which membrane is composed of a silver-palladium alloy obtained by induction coupled rf plasma supporting magnetron sputtering. - 特許庁

目標とするターゲットに対して選択的に高バイアス電圧を印加してスパッタリングを行えると共に、成膜レートを向上させることができる回転式ターゲットホルダを提供する。例文帳に追加

To provide a rotary target holder capable of performing sputtering by selectively applying a high bias voltage to an objective target, and enhancing the film deposition rate. - 特許庁

接着性バインダーと、スパッタリング法により金属粒子に、金、白金、銀及び銅からなる群から選択される金属を被覆した導電性粒子と、を含む異方導電性接着剤組成物。例文帳に追加

This anisotropic conductive adhesive composition contains an adhesive binder and conductive particles obtained by covering the metal particles with a metal selected from a group composed of gold, platinum, silver and copper through a sputtering process. - 特許庁

スパッタリング装置を用いる多層膜反射鏡の製造プロセスを提供することで、量産効率を高め、生産性を向上させ、且つ多層膜反射鏡材料の選択範囲を大幅に広げること。例文帳に追加

To enhance mass production efficiency, improve productivity and considerably widen the selection range of a multilayer film reflective mirror material by providing the manufacturing process of a multilayer film reflective mirror using a sputtering device. - 特許庁

Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。例文帳に追加

The sputtering target for the optical media includes Al as a principal component includes 1-10 atom% of one or two elements selected from the group including Ta and Nb and 0.1-10 atom% of Ag. - 特許庁

バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact and a sputtering target having a low bulk resistance and a high density, and a transparent amorphous oxide semiconductor film wherein a metal thin film can be etched selectively. - 特許庁

ＩＣカード基材の上に、ジェットプリンティング方式や、メタルマスクを用いた真空蒸着またはスパッタリングなどを代表とする、選択成膜方式を用いることにより、アンテナコイルを直接形成する。例文帳に追加

An antenna coil is directly formed on a base material of an IC card by using a selective film forming system represented by a jet printing method, vacuum deposition using a metal mask and sputtering. - 特許庁

添加物としてＮａ、Ｋ又はこれらの酸化物から選択した１種以上を０．００１〜５ｗｔ％含有することを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The ZnS-SiO_2 sputtering target material contains 0.001-5 wt.% one or more kinds selected from Na, K and there oxides as additives. - 特許庁