装置絶縁技術の英語

絶縁基板を割断する工程を含んだ液晶表示装置の製造でより高い歩留まりを実現するのに有利な技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique advantageous for attaining higher yield in manufacture of a liquid crystal display including a step for cutting an insulating substrate. - 特許庁

液晶表示装置の透明電極膜の一部にこれまでになく簡単且つ良好に絶縁部を形成できる画期的な技術を提供する。例文帳に追加

To provide epoch-making technology capable of forming an insulating part at a part of transparent electrode film of a liquid crystal display device simple and successfully more than ever before. - 特許庁

ゲート絶縁膜にハフニウムを含む絶縁膜を使用したＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴの信頼性向上を図ることができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology of improving reliability of an MISFET in a semiconductor device having an MISFET where an insulating film containing hafnium is used in the gate insulating film. - 特許庁

電気回路稼動状態で、電気設備技術基準規定に基くレベルでの対地絶縁抵抗判定を高精度に行なう事が可能な絶縁監視装置を提供する。例文帳に追加

To provide an insulation level monitoring device capable of accurately performing ground insulation resistance determination at the level based on an electrical facility technical reference requirement in an electrical facility operation state. - 特許庁

プラズマを用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）の製造技術に関し、微細パターンの加工においてもゲート絶縁膜の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damages to a gate insulating film even during a fine pattern process with respect to the manufacturing technology of an insulating gate field effect transistor (IGFET) using plasma. - 特許庁

トレンチの底部が埋込絶縁体で充填されているとともに、埋込絶縁体で充填されていないトレンチ浅部領域の両側面に、絶縁膜が形成されている構成を有する半導体装置の耐圧を向上する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for improving the breakdown voltage of a semiconductor device having a structure where a buried insulator is formed at a bottom section of a trench, and insulating films are formed on both side surfaces of a shallow section of the trench not filled with the buried insulator. - 特許庁

トレンチの深部に埋め込み絶縁体が形成されており、トレンチの浅部の壁面に絶縁層が形成されており、その絶縁層の内側にトレンチ内導体が充填されている構成の半導体装置の耐圧を向上させる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for improving a breakdown voltage in a semiconductor device, where a buried insulator is formed at a deep section in a trench, an insulating layer is formed on the wall surface of a shallow section in the trench, and the inside of the insulating layer is filled with a trench inner conductor. - 特許庁

トレンチの深部に埋め込み絶縁体が形成されており、トレンチの浅部の側壁に絶縁層が形成されており、その絶縁層の内側にトレンチ内導体が充填されている構成を備えている半導体装置の耐圧を向上させる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for improving the breakdown voltage of a semiconductor apparatus configured so that a buried insulator is formed at a deep portion of a trench, an insulating layer is formed on a side wall of a shallow portion of the trench, and an in-trench conductor is charged inside the insulating layer. - 特許庁