菱面体晶の英語

チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電材料を、該圧電材料の室温における結晶系が、上記加熱処理によって菱面体晶相から正方晶相へ相転移するよう、モルフォトロピック相境界より菱面体晶相側に設定する。例文帳に追加

In a titanate zirconate lead based piezoelectric material, crystal system of the piezoelectric material under room temperature is set closer to the rhombohedral phase side than the boundary of morphotropic phase so that transition is made from rhombohedral phase to tetragonal phase by heat treatment. - 特許庁

特に、炭素材料の菱面体晶系含有率が５％以上のものを用いることにより、高い効果が得られる。例文帳に追加

The effect is enhanced by using a carbon material in which the percentage of rhombohedral-system content is 5% or more, in particular. - 特許庁

一方、種結晶基板として菱面体晶炭化珪素単結晶基板を用いる場合、その（０００１）珪素面を使用し、かつ種結晶温度を１７００〜１９００℃として結晶を成長させる。例文帳に追加

On the other hand, when a rhombohedral silicon carbide single crystal substrate is used as the seed crystal substrate, the crystal is grown by using its (0001) silicon face and also setting the seed crystal temperature in 1,700 to 1,900°C. - 特許庁

正方晶と菱面体晶との相境界近傍となるように成分調整されて形成されたペロブスカイト構造のセラミックスの、結晶構造を判定する装置１である。例文帳に追加

This device 1 determines a crystal structure of the ceramics with a perovskite structure formed so that the component is adjusted to be near a phase boundary between tetragonal and rhombohedral systems. - 特許庁

結晶構造中に存在する六方晶系構造に対する菱面体晶系構造の割合が20％以上である、電気二重層キャパシタの電極活物質用炭素質材料。例文帳に追加

In the carbonaceous material for electrode active substances for the electric double-layer capacitor, the ratio of a rhombic crystal system to a hexagonal system structure existing in a crystal structure is 20% or higher. - 特許庁

強誘電体膜の結晶は疑似立方晶系であるか、又は疑似立方晶系、菱面体晶系若しくは正方晶系のうち少なくとも二つが混在している結晶系であり、且つ下部電極に平行な結晶面が（１１０）面方位に優先配向している。例文帳に追加

The crystal of the ferroelectric film is a pseudo cubic crystal system or a crystal system in which at least two among the pseudo cubic crystal system, a rhombohedral system or pyramidal quadratic system co-exist and the crystal face parallel to the lower electrode preferentially orients to a (110) face bearing. - 特許庁

サセプタ（１４）は特に２Ｈ、４Ｈ、６Ｈあるいは３Ｃ結晶構造を有する六角形、菱面体、あるいは立方体状の結晶構造の高純度炭化ケイ素から形成される。例文帳に追加

The susceptor (14) is made of highly pure silicon carbide of hexagonal, rhombohedral or cubic crystal structure, which has in particular a 2H, 4H, 6H or 3C crystal structure. - 特許庁

その結果、ＰＺＴ膜のＺｒ／Ｔｉ組成比が菱面体晶（Ｒ）と正方晶（Ｔ）の相境界近傍の組成比となるよう制御することができ、圧電特性を向上させることができる。例文帳に追加

As a result, the Zr/Ti composition ratio of the PZT film can be controlled to become equal to a composition ratio near the phase interface of the rhombohedral crystal (R) and the tetragonal crystal (T) in order to improve the piezoelectric characteristic. - 特許庁