自己抗補体の英語

内部で自己補正的にトリミング抵抗の値を調整(トリミング)することを可能とした半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is capable of adjusting (trimming) the value of a trimming resistance internally in a self-compensating manner. - 特許庁

ＡｌとＮの複合体形成の方が、Ａｌ単独ドーピングに伴う自己補償に比べてエネルギー利得が大きくなるため、ＺｎＳ結晶中でｎ型ドーパントが安定化し、自己補償の抑制効果やｎ型ドーパントの濃度増大効果が生まれ、キャリア濃度増大と共に安定したＺｎＳ薄膜の低抵抗化が可能になる。例文帳に追加

As the compound material of Al and N gives a larger energy gain compared to the self-compensation by Al single doping, the n-dopant is stabilized in the ZnS crystal, inducing an effect of suppressing the self-compensation and an effect of increasing the n-dopant concentration, which results in an increase in the carrier concentration and low resistance of the stable ZnS thin film. - 特許庁

上記抗体、融合タンパク質およびそれらのフラグメントは、ヒト化抗ＣＤ１９モノクローナル抗体またはそのフラグメントであって、ネズミ抗ＣＤ１９抗体の軽鎖および重鎖の相補性決定領域（ＣＤＲ）を含んでなり、Ｂ細胞悪性疾患および自己免疫疾患など様々なＢ細胞疾患の治療および診断に有用である。例文帳に追加

The antibodies, fusion proteins and fragments thereof are human anti-CD19 monoclonal antibodies or fragments thereof, which include light and heavy chain complementarily-determining regions (CDR) of a murine anti-CD 19 antibody, and are useful for the treatment and diagnosis of various B-cell disorders, including B-cell malignancies and autoimmune diseases. - 特許庁

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced. - 特許庁