膜電位差の英語

半導体基板１３と電極板１４との間に電位差を与えることにより半導体基板１３の表面に酸化膜１８を形成する。例文帳に追加

By applying a potential difference between the semiconductor substrate 13 and the electrode plate 14, oxide films 18 are formed on the surface of the semiconductor substrate 13. - 特許庁

SiＯ_2層３の厚さは薄いので、小さな電位差でも大きな電界を生じ、この電界により、窒化硼素膜２より電子６が放出される。例文帳に追加

A large electric field is generated in the SiO2 layer 3 even by a small potential difference because of its small thickness, therefore, electrons 6 are emitted from the boron nitride film 2. - 特許庁

この金属膜群５は、少なくとも、金属膜５１と、金属膜５１を保護する保護膜５２と、金属膜５１と保護膜５２との電位差を無くす調整膜５３とから構成されている。例文帳に追加

The metal film group 5 is constituted of at least the metal film 51, a protection film 52 protecting the metal film 51, and an adjusting film 53 eliminating a potential difference between the metal film 51 and the protection film 52. - 特許庁

次いで予め完成された液晶装置1で測定した共通電圧の変動による電位差ΔVcomに基づき、電位差ΔVcomがプラス値を示している場合は、TFT基板10に形成されている配向膜16を、所定温度で所定時間加熱処理する(S5)。例文帳に追加

Then when a potential difference ΔVcom due to variation in common voltage measured by a liquid crystal device 1 completed in advance has a plus value, the alignment layer 16 formed on the TFT substrate 10 is heat-treated at predetermined temperature for a predetermined time based upon the potential difference ΔVcom (S5). - 特許庁

金属膜の成膜時に、無電解錫メッキ液中における銅配線３ａとの電位差が０．５Ｖ以内となる金属合金の膜であるニッケル合金スパッタ膜５を成膜する。例文帳に追加

A nickel alloy sputter film 5 is formed which is a metal alloy film and where the potential difference from the copper wiring 3a in the electroless tin plating liquid is 0.5V or lower at formation of a metal film. - 特許庁

前記第二透明導電膜は、前記第一透明導電膜の一側に間隔を空けて設けられ、それにより、前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜の間に電位差が生じる。例文帳に追加

The second transparent conductive film is disposed apart from a side of the first transparent conductive film, such that a potential difference is produced between the first transparent conductive film and the second transparent conductive film. - 特許庁

これによって、放電手段１２によるプラズマ電位に対する有機素子基板Ｗ_1 の電位差を基板全体で均一化し、成膜される保護膜の膜厚分布を±２％以内に抑える。例文帳に追加

By this, a potential difference of the organic element substrate W1 to a plasma potential by a discharge means 12 is homogenized in the whole substrate, and film thickness distribution of the protection film to be film formed is suppressed within ±2%. - 特許庁

このポリセスキオキサン組成物は、燃料電池においてプロトン交換膜として、膜電極組立体の構成要素として、あるいは電位差測定センサにおいてセンサ組立体として使用できる。例文帳に追加

The polysesquioxane composition can be used as a proton exchange membrane in a fuel cell; as a component of a membrane electrode assembly; or as a sensor assembly in a potentiometric sensor. - 特許庁