膜直下の英語

次に、ＴＥＯＳ膜を、フォトレジスト１３２直下を除きエッチバックする。例文帳に追加

The TEOS film is etched back with the exception of a section just under the photo-resist 132. - 特許庁

第１のゲート電極直下のゲート誘電体膜は単層であるが、第２のゲート電極直下のゲート誘電体膜は電荷蓄積手段を内部に含む。例文帳に追加

A gate dielectric film directly below the first gate electrode is single layer whereas a gate dielectric film directly below the second gate electrode includes a charge storage means internally. - 特許庁

さらに、半導体基板１０が、ゲート絶縁膜直下領域１３に対して、ゲート絶縁膜直下領域１３のソース領域側側部領域１５が掘り込まれた構造を有する。例文帳に追加

Further, the semiconductor substrate 10 has a structure in which a source region side lateral region 15 in the region immediately under the gate insulating film 13 is trenched in the region immediately under the gate insulating film 13. - 特許庁

ゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下での電界集中を緩和するために、ドリフト領域とｐ型チャネル領域３の間にゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下を含む近傍に、ｎ^- 型領域１０を形成し、ゲート酸化膜１１直下での空乏化を早める。例文帳に追加

An n--type region 10 is formed near an area comprising a place immediately below a boundary between a gate oxide film 11 and a second gate oxide film 14a between a drift region and a p-type channel region 3 for relaxing field concentration immediately below a boundary between the gate oxide film 11 and the second gate oxide film 14a and depletion immediately below the gate oxide film 11 is accelerated. - 特許庁

化学増幅型レジストにより半導体ウェハ上に形成されるレジスト膜の直下に設けられる反射防止膜である。例文帳に追加

This antireflection film is disposed just under the resist film formed on a semiconductor wafer by the chemically amplified resist. - 特許庁

また、不感領域を酸化膜ＯＸの直下に設けることで、酸化膜ＯＸとの界面の劣化による出力変動を抑制することができる。例文帳に追加

Further, output variations caused by deterioration of an interface with an oxide film OX can be suppressed by providing an insensible region just under the oxide film OX. - 特許庁

そして、半田バンプ２１の端部では、第２Ｎｉ膜１７の直下にポリイミド樹脂膜２２が形成されている。例文帳に追加

A solder bump 21 connects with a surface of the second Ni film 17, and a polyimide resin film 22 is formed immediately below the second Ni film 17 at an end part of the solder bump 21. - 特許庁

レジストパターンの直下の膜パターンを、寸法精度を高精度にレジストパターンと同形状の膜パターンとして形成する。例文帳に追加

To form a film pattern right below a resist pattern with high size precision, in the same shape as that of the resist pattern. - 特許庁