結晶界面の英語

この部分では、結晶が連続し、層間界面を構成していない。例文帳に追加

In this part, crystals are continuous and do not form an interlayer interface. - 特許庁

単結晶及び融液の固液界面形状のシミュレーション方法例文帳に追加

METHOD OF SIMULATING FORM OF SOLID-LIQUID INTERFACE BETWEEN SINGLE CRYSTAL AND MELT - 特許庁

結晶成長時に相界面の位置を測定する方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING INTERFACE POSITION AT CRYSTAL GROWTH - 特許庁

赤外レーザービームを結晶粒界境界面に当てて多結晶質炭素塊を異なる結晶組織に転移させる。例文帳に追加

To transfer a polycrystalline carbon lump to a crystalline structure by applying an IR laser beam to a crystal grain boundary surface. - 特許庁

このとき、種結晶４０とＳｉＣ単結晶７０との界面のうちＳｉＣ単結晶７０側で切り離すのが好ましい。例文帳に追加

In this case, the SiC single crystal 70 is cut off preferably at its side in the interface between the seed crystal 40 and the SiC single crystal 70. - 特許庁

固液界面における結晶の存在有無、結晶構造、結晶子寸法（結晶ドメインサイズ）、あるいは、コリレーション長、界面電気二重層の原子イオン、あるいは、分子イオンの構造を迅速に解析・評価する。例文帳に追加

To rapidly analyze and evaluate the presence of a crystal in a solid-liquid interface, a crystal structure, a crystallite dimension (crystal domain size) or a correlation length and the structure of atomic ions or molecular ions of an interfacial electric double layer. - 特許庁

結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する．例文帳に追加

To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control. - 特許庁

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。例文帳に追加

Crystallinity on the interface of a gate insulating film and a microcrystalline semiconductor film is enhanced by forming the gate insulating film on a gate electrode, forming crystalline nuclei on the gate insulating film by using silane fluoride and silane, and forming the microcrystalline semiconductor film by crystal growth using the crystalline nuclei as seeds. - 特許庁